「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
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フラッシュメモリ１５に書き込み済みのデータのサイズとホスト装置２０からの書き込みデータのサイズとの和が閾値格納部３４に設定されている閾値を超えた場合には、コントローラ１６は、フラッシュメモリ１５の空き容量を確保するために、フラッシュメモリ１５に格納されているデータの少なくとも一部をハードディスク１４に移動するフラッシュ動作を実行する。 - 特許庁 - The flash memory control device includes: a rewritable NAND flash memory 210 composed of a plurality of blocks; and a NAND flash controller 110 which refreshes an arbitrary number of blocks less than the total number of blocks out of the plurality of blocks of the NAND flash memory 210 and refreshes different blocks from the last ones at predetermined timing.
フラッシュメモリ制御装置は、複数のブロックから構成される書き換え可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ２１０と、所定のタイミングで、ＮＡＮＤフラッシュメモリ２１０の複数のブロックのうち全ブロック数より少ない任意の数のブロックをリフレッシュし、所定のタイミングの度に、前回とは異なるブロックをリフレッシュするＮＡＮＤフラッシュコントローラ１１０と、を備える。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory control device rewriting a flash memory itself while executing a regular program read from a flash memory by a CPU and dispensing with a RAM temporarily storing a rewriting program.
ＣＰＵがフラッシュメモリから読み出される通常のプログラムを実行中にフラッシュメモリ自身を書き換えることができ、かつ書き換えプログラムを一時的に格納するＲＡＭを不要とする半導体メモリ制御装置を提供する。 - 特許庁 - By deciding boot information 14 recognizing that the program 15 is absent in a flash memory 13 or that the program 15 is invalid when booting, a format of the flash memory 13 and a program file 19 present in a detachable memory card 17 are installed.
ブートするときにフラッシュメモリ１３にプログラム１５が無い、または不正と認識するブート情報１４を判断することにより、フラッシュメモリ１３のフォーマット及び着脱可能なメモリカード１７にあるプログラムファイル１９をインスツールする。 - 特許庁 - The driving devices 21 and 22 and the controller 3 read their memory blocks out of the virtual shared memories 41, 42, and 43 and download the system program to a specified flash memory when an update notice area is updated and an update address is of the flash memory.
駆動装置２_1，２_2と制御装置３は、仮想共有メモリ４_1，４_2，４__3の自己のメモリブロックを読み出し、更新通知エリアが更新されていて、更新アドレスがフラッシュメモリの場合、システムプログラムを指定されたフラッシュメモリにダウンロードする。 - 特許庁 - When a power supply of the information processor is turned on, a virtual address as a program execution area is mapped in a physical memory area of a flash memory 13, and the program is run on the flash memory 13 to start a task.
情報処理装置の電源がオンにされたときに、プログラム実行領域である仮想アドレスをＦｌａｓｈメモリ１３の物理メモリ領域にマップし、プログラムをＦｌａｓｈメモリ１３上で動作させてタスクを起動する。 - 特許庁 - To shorten, in constructing a plurality of file systems sharing one nonvolatile memory based on the specifications of a JFFS2(Journaling Flash File System 2), the construction time.
ＪＦＦＳ２（Journaling Flash File System2）の規格に基づいて一つの不揮発性メモリを共有する複数のファイルシステムを構築する際に、その構築時間の短縮を図る。 - 特許庁 - In a data storage device including a flash array 58 and a universal serial bus (USB) controller 56 in conformity with the USB specification, a unit 46 includes an erasable nonvolatile memory module called a flash module 58, which can receive a write command and a read command from a host platform 44.
ＵＳＢ仕様に適合性がある、フラッシュアレイ５８及びユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）制御器５６から構成されたデータ記憶装置。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY DEVICE FOR ERASING FLASH BLOCKS FORMED ON SOI SUBSTRATE USING BACK-BIAS, ITS ERASING METHOD AND STRUCTURE THEREOF
バックバイアスを用いてＳＯＩ基板に形成されたフラッシュブロックを消去するためのフラッシュメモリ素子の製造方法、その消去方法及びその構造 - 特許庁 - In this flash memory system, the memories 6 and 7 for logical/physical address conversion are individually provided to the respective flash memories 3 and 4 to improve the reliability.
このフラッシュメモリシステムでは、各フラッシュメモリ３、４毎に個別的に論理／物理アドレス変換用メモリ６、７が設けられ、その信頼性が高められている。 - 特許庁 - Immediately after releasing the reset, the boot code stored in the NAND flash 22 is transferred to the RAM 23 by means of a main memory/NAND flash transfer unit 20.
リセット開放直後、ＮＡＮＤフラッシュ２２に格納したブートコードを、主記憶／ＮＡＮＤフラッシュ転送ユニット２０により、ＲＡＭ２３に転送する。 - 特許庁 - On the other hand, when the decision value is '1', the flash memory control unit 2 executes writing/reading of data alternately for the flash memories 3a and 3b.
一方、上記の決定値が「1」の時、フラッシュメモリ制御部2はデータの書き込み／読み出しを、二つのフラッシュメモリ3a及び3bに対して交互に実行する。 - 特許庁 - An input/output buffer control circuit 3 controls output states of input/ output buffers OIFO-OIF15 of FLASH memory chip FM based on a signal CEfB, a signal OEB, and a signal WEB.
入出力バッファ制御回路3は、信号CEfBと、信号OEBと、WEB信号とに基づき、FLASHメモリチップFMの入出力バッファOIF0〜OIF15の出力状態を制御する。 - 特許庁 - To provide the method of manufacturing a semiconductor memory device in which there are less deterioration and variation in the property of a Vpp transistor, and which provides the stable memory cell property of a flash memory.
Ｖｐｐトランジスタの特性の劣化やばらつきが少なく、安定したフラッシュメモリのメモリセル特性を得ることができる半導体記憶装置の製造方法を得ること。 - 特許庁 - To provide a memory controller capable of executing an access synchronized with an operation clock of a host system, and a flash memory system having the memory controller.
本発明は、ホストシステムの動作クロックに同期したアクセスが可能なメモリコントローラ、及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁 - The memory stick controller instructs this state to the memory stick, and automatically executes get-in when detecting interrupt for finishing processing, and detects an access state of a flash memory.
メモリスティック・コントローラはこれをメモリスティックに指示し、処理終了の割り込みを検知したら自動的にゲット・イントを実行し、フラッシュメモリのアクセス状態を検出する。 - 特許庁 - It is preferable that this auxiliary non-volatile memory 10 is a memory capable of writing data at a higher speed than the flash memory 2 and for example, a Ferroelectric RAM (FeRAM) is practical example.
この補助不揮発性メモリは、好ましくは、フラッシュメモリよりも高速書き込みが可能なメモリであり、例えば、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric ＲＡＭ）が実際的な例である。 - 特許庁 - In addition, at the end of the driving, the memory image of the backup area of the main memory is written all together in the backup area of the flash memory.
また、自車両の運転終了時に、メインメモリにおけるｂａｃｋｕｐ領域のメモリイメージを、フラッシュメモリにおけるｂａｃｋｕｐ領域に一括して書き込む。 - 特許庁 - Waveform data stored in an external memory (NAND flash memory or the like) is read out by one page without no interruption to a controller (CPU), and samples can be supplied to the buffer of the waveform memory.
制御部（ＣＰＵ）への割込み無しで、外部メモリ（ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等）に格納した波形データのページ読出しを行い、波形メモリのバッファにサンプル補充する。 - 特許庁 - A first memory 21 is a memory area divided into a plurality selectable from the outside and can store a plurality of flash memory writing programs in accordance with processor models.
第１のメモリ２１は、記憶領域を外部から選択可能に複数に分割してプロセッサの機種に応じた複数のフラッシュメモリ書き込みプログラムを格納できる。 - 特許庁 - To realize improving reliability of write-in of a non-volatile semiconductor memory such as especially a single gate type flash memory or the like without changing basic constitution of a memory cell array.
特に単ゲート型のフラッシュメモリ等、不揮発性半導体メモリの書き込み信頼性向上を、メモリセルアレイの基本構成を代えずに実現することを課題とし、 - 特許庁 - This data storage medium is a memory card 56 where a liquid crystal display element 10 constructing a display screen by using memory liquid crystal is attached onto the surface of a housing 57 including a flash memory.
フラッシュメモリを内蔵した筺体５７の表面に、メモリ性液晶を用いて表示画面を構成した液晶表示素子１０を貼着したメモリカード５６。 - 特許庁 - A microprocessor 1 with a built-in mask ROM(read only memory) and a flash memory 4 are composed of individual chips and both of the microprocessor 1 and the memory 4 are connected oppositely via bumped electrodes 5.
マスクＲＯＭ内蔵マイコン１とフラッシュメモリ４が別々のチップで構成され、両者はバンプ電極５を介して対面するように接続されている。 - 特許庁 - To provide a memory system for reducing the write-in frequency of a NAND type flash memory using a multi-level memory cell, and for preventing its lifetime from being shortened.
多値のメモリセルを使用したＮＡＮＤ型フラッシュメモリの書き込み回数を低減して、その寿命が短くなることを抑制することができるメモリシステムを提供すること。 - 特許庁 - In one example, a flash memory device with multiple serial data links and multiple memory banks, where the links are independent of the banks, is disclosed.
一例では、リンクがバンクと独立している、複数のシリアルデータリンクおよび複数のメモリバンクを備えるフラッシュメモリ装置が開示される。 - 特許庁 - This memory card 1 provided with a flash memory 2 and a CUP 3 is provided with a light emitting diode 4 for electromotive force and a light emitting diode 5 for communication.
フラッシュメモリ２とＣＰＵ３を備えたメモリカード１に、起電力用発光ダイオード４と通信用発光ダイオード５を設ける。 - 特許庁 - To prevent deflag processing from being frequently operated to a storage medium equipped with a flash memory, and to prevent a memory life from being shortened.
フラッシュメモリを備えた記録媒体に対してデフラグ処理が頻繁に行われてしまうことを防止し、メモリ寿命が縮むことを防ぐ。 - 特許庁 - To facilitate use of a memory device for information download for a user by dispensing consideration of charge to be paid to download the information contents to a flash memory.
フラッシュメモリに情報コンテンツのダウンロードするのに、支払い料金を考慮する必要がなく、ユーザにとって使用し易くする。 - 特許庁 - To provide a flash memory device in which accurate data can be read by load due to a position of a memory cell and process variation also.
メモリセルの位置による負荷及び工程変化によっても正確なデータを読み出すことが可能なフラッシュメモリ装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a cache memory system for improving data integrity, a cache hit ratio, and a flash efficiency, and to provide a method for controlling a cache memory.
データ保全性とキャッシュヒット率、及びフラッシュ効率を向上させるキャッシュメモリシステム、及びキャッシュメモリの制御方法を提供する。 - 特許庁 - At the read of the memory dial, an identification number such as a user code registered in the portable telephone set 20 is also read and written to the flash memory.
メモリダイヤルの読み出し時に、携帯電話機２０に登録されたユーザコード等の暗証番号をも読み出してフラッシュメモリに書き込む。 - 特許庁 - Then, a floating gate electrode 7a or the like of a transistor T2 of a flash memory cell is formed on a surface of a memory cell region RM.
次に、メモリセル領域ＲＭの表面上にフラッシュのメモリセルのトランジスタＴ２のフローティングゲート電極７ａ等を形成する。 - 特許庁 - If there is no task exist but there is an ineffective area (S14), the flush memory erasure task erases flash memory in the ineffective area (S15).
タスクがなく、かつ、無効領域が存在する場合（Ｓ１４）、フラッシュメモリ消去タスクは無効領域のフラッシュメモリを消去する（Ｓ１５）。 - 特許庁 - The flash memory devices may be cascaded in a daisy-chain configuration using echo signal lines to serially communicate between the memory devices.
エコー信号ラインを使用して、フラッシュメモリ装置をデイジーチェーン構成においてカスケードし、メモリ装置間で連続的に通信してもよい。 - 特許庁 - This multiprocessor processing system loads an OS program to a memory stored in a flash memory, and performs the loaded OS program.
本発明に係るマルチプロセッサ処理システムは、フラッシュメモリに記憶されたＯＳプログラムをメモリにロードし、ロードされたＯＳプログラムを実行する。 - 特許庁 - In the page differential logging, only a differential which is a difference between an original page in a flash memory and a newest page in the memory is recorded.
ページディファレンシャルロギングでは、フラッシュメモリー内のオリジナルページとメモリー内の最新ページとの差異であるディファレンシャルのみが記録される。 - 特許庁 - To provide an automobile electronic controller capable of utilizing effectively a memory capacity of a flash memory, and capable of storing efficiently data.
フラッシュメモリのメモリ容量を有効に活用でき、データの保存を効率良く行える自動車用電子制御装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a multi-bit flash memory cell capable of storing at least two-bit multi-bit information in one memory cell.
一つのメモリセルに少なくとも２ビットのマルチビット情報を格納することができるマルチビットフラッシュメモリセルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To improve write speed while suppressing influence due to capacity coupling and increasing memory capacity, in a NAND type flash memory.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、容量結合による影響を抑制し、記憶容量を上げつつ書込みスピードを向上させる。 - 特許庁 - A control unit 2 records the present date and time information which is stored in a control data memory 12 upon the initial starting in a flash memory ROM 13.
制御部２は、初回起動時に、制御データメモリ１２に現在保存されている現在日時情報をフラッシュROM１３に記録する。 - 特許庁 - A memory (flash memory) 2 in which a schedule is written is inserted into a terminal casing 1 and the schedule is read out by an internal CPU.
スケジュールが書き込まれたメモリ（フラッシュメモリ）２が端末筐体１内に挿入され、内部のＣＰＵでこのスケジュールが読み取られる。 - 特許庁 - A CPU 3 makes it possible to read internal flash information out of the internal flash memory 5 from the debugging tool 2 through a JTAG interface 11, rewrite data based upon the internal flash information are inputted from the debugging tool 2 through the JTAG interface 11, and further the CPU 3 rewrites the rewrite data to the internal flash memory 5 according to a rewriting program stored in the internal flash memory 5.
ＣＰＵ３によって、内蔵フラッシュメモリ５に格納された内蔵フラッシュ情報をＪＴＡＧインタフェース１１を介してデバッグツール２から読み出し可能にし、デバッグツール２からその内蔵フラッシュ情報に基づいた書き換みデータをＪＴＡＧインタフェース１１を介して入力して、さらに、ＣＰＵ３によって、内蔵フラッシュメモリ５に格納された書き換えプログラムに基づいて書き換みデータを内蔵フラッシュメモリ５に書き換える。 - 特許庁 - The flash memory data storage apparatus renders its embedded flash memory to be accessed with 128-bit data in parallel in a period of 80 ns, while communicating with an external system for 16-bit data in parallel during a period of 20 ns.
内蔵フラッシュメモリに対しては８０ｎｓの周期で１２８ビットのデータが並列にアクセスされ、外部システムとは２０ｎｓの周期の間に１６ビットのデータが並列に送受信できることになる。 - 特許庁 - A flash memory control part 13 writes, for a given period, cache data into the flash memory 3 when an empty cache page is depleted or with a data synchronization request from the FAT file system part 11 as a turning point.
フラッシュメモリ制御部１３は一定周期、空きキャッシュページ枯渇時またはＦＡＴファイルシステム部１１からのデータ同期要求を契機に、フラッシュメモリ３へのキャッシュデータの書出しを行う。 - 特許庁 - A virtual mapping system including the flash memory 12, a flash controller 14 and a random access memory 16 is provided, to thereby enable continuous writing on a physical address location where data are not written.
フラッシュメモリ（１２）、フラッシュコントローラ（１４）とランダムアクセスメモリ（１６）とを含む仮想マッピングシステムを設けることにより、データを書込まれていない物理アドレス場所に連続して書込むことが可能になる。 - 特許庁 - Thus, the liquid crystal display element 10 is also initialized as the flash memory is initialized and, then, when picture data are stored in the flash memory, the thumbnail picture of the picture data is displayed on the display element 10.
フラッシュメモリが初期化処理されるに伴って液晶表示素子１０も初期化処理され、フラッシュメモリに画像データが記憶されるとそのサムネイル画像が液晶表示素子１０に表示される。 - 特許庁 - To reduce the cost of a printing controller by effectively utilizing a flash memory after loading a program on the flash memory to a DRAM or to improve the performance of the printing controller.
フラッシュメモリ上のプログラムをＤＲＡＭへのロード後にフラッシュメモリを有効に活用し印刷制御装置のコストを下げること、あるいは、印刷制御装置の性能を向上させることを目的とする。 - 特許庁 - An instruction group list file 210 describing therein an instruction group list 200 in an ASCII data format created by a user using a PC or the like beforehand is read from a USB flash memory 50 to an incorporated flash memory 151.
ユーザが、予め、ＰＣ等で作成したＡＳＣＩＩデータ形式の命令群リスト２００を記載した命令群リストファイル２１０は、ＵＳＢフラッシュメモリ５０から、内蔵フラッシュメモリ１５１へ読み込まれる。 - 特許庁 - A flash memory 4 to memorize programs for conducting control related to travel and work of a construction machine and data control only, and a flash memory 5 to memorize data related to the construction machine only are separately provided.
建設機械の走行、作業及びデータ管理に係わる制御を行うプログラムのみを記憶するフラッシュメモリ４と、建設機械に係わるデータのみを記憶するフラッシュメモリ５とをそれぞれ個別に備える。 - 特許庁 - To take activation program data as an object of update, normally perform activation and operation, when reset occurs during writing to a flash memory, and restore the flash memory under writing.
起動用プログラムデータも更新の対象とし、さらに、フラッシュメモリへの書き込み中にリセットが発生した場合にも、正常に起動および運用を行い、かつ書き込み中であったフラッシュメモリを復旧する。 - 特許庁
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