「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 28 29 30 31 32 33 34 35 36 .... 88 89 次へ＞- The flash memory card reading apparatus includes a plurality of connectors 62, 64, 66 and 68, and a conversion chip 40.
フラッシュメモリカード読取装置は、複数のコネクタ６２，６４，６６，６８、及び変換チップ４０を備える。 - 特許庁 - PAGE BUFFER CIRCUIT WITH REDUCED AREA, FLASH MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF OPERATING PROGRAM
面積が減少したページバッファ回路と、これを含むフラッシュメモリ装置およびそのプログラム動作方法 - 特許庁 - NAND FLASH MEMORY DEVICE HAVING PAGE BUFFER ADAPTED TO DISCHARGE BIT LINE VOLTAGE DURING ERASE OPERATION
消去動作時ビットライン電圧を放電するページバッファを具備したＮＡＮＤフラッシュメモリ装置 - 特許庁 - The flash memory stores user data and an error correcting code for correcting an error in the user data.
フラッシュメモリはユーザデータとユーザデータの誤りを訂正するための誤り訂正符号を記憶する。 - 特許庁 - WIRELESS TYPE STORAGE DEVICE, WIRELESS TYPE HARD DISK, WIRELESS TYPE FLASH MEMORY DISC, STORAGE DEVICE AUTHENTICATION METHOD
無線式ストレージ装置、無線式ハードディスク、無線式フラッシュメモリディスク、ストレージ装置認証方法 - 特許庁 - PAGE BUFFER CIRCUIT OF FLASH MEMORY DEVICE WITH FUNCTION FOR PROGRAMMING DUAL PAGE AND ITS PROGRAM OPERATION METHOD
デュアルページプログラム機能を有するフラッシュメモリ装置のページバッファ回路およびそのプログラム動作方法 - 特許庁 - When the program is in existence in the built-in flash memory, the deleted program can be selected.
内蔵フラッシュメモリ内にプログラムが有る場合は、削除するプログラムを選択することができる。 - 特許庁 - A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate.
分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が第１伝導型の半導体基板の上に形成される。 - 特許庁 - A split gate NAND flash memory structure is formed on a first conductive type semiconductor substrate.
分割ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ構造が、第１伝導型の半導体基板上に形成される。 - 特許庁 - To provide a flash memory device and its programming method that can improve program performance.
プログラム性能を向上させることができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法が開示される。 - 特許庁 - The compressed picture data of a photographic picture and its thumbnail picture are stored in a flash memory 26.
フラッシュメモリ２６には撮影画像の圧縮画像データとそのサムネイル画像が格納される。 - 特許庁 - To provide a USB storage for automatically deleting a data file stored in a flash memory.
フラッシュメモリに記憶されたデータファイルを自動的に削除できるＵＳＢストレージを提供する。 - 特許庁 - A USB hub 24 connects the hardware lock 22 and the flash memory 23 to a USB connector 25.
ＵＳＢハブ２４はこれらのハードウエアロック２２とフラッシュメモリ２３をＵＳＢコネクタ２５に接続する。 - 特許庁 - To provide a flash memory element manufacturing method for making the thickness and the width of a bit line uniform.
ビットラインの厚さおよび幅を均一にするためのフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To perform a flash operation of a cache memory in a wide range address space in a short period of time.
短時間で広範囲アドレス空間のキャッシュメモリのフラッシュ動作を行うことを課題とする。 - 特許庁 - To provide a programming method and device programming a flash memory cell in an analog storage device array.
アナログ記憶装置アレイ中のフラッシュ・メモリ・セルをプログラムする方法および装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing flash memory elements that can be prevented from the occurrence of an ONO penetration phenomenon.
ＯＮＯ浸透現象を防止することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and system for storing and retrieving data using flash memory devices.
フラッシュメモリデバイスを用いてデータを記憶及び検索するための方法及びシステムを提供する。 - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR GENERATING TEMPERATURE COMPENSATED READING/VERIFYING OPERATION IN FLASH MEMORY
温度補償された読み出し・検証動作をフラッシュ・メモリにおいて生成するための方法及び装置 - 特許庁 - The optical image and the reference image in units of inspection stripe are sequentially stored in a flash memory 122.
検査ストライプ単位の光学画像及び参照画像はフラッシュメモリ１２２に逐次格納される。 - 特許庁 - Disclosed is a test system including at least 100 flash memory devices and a mass test board.
少なくとも１００個のフラッシュメモリ・デバイスおよびマス・テスト・ボードを含むテスト・システムを開示する。 - 特許庁 - A flash memory 10 has a data area and a standby area for data writing in a cell array 11.
フラッシュメモリ１０は、セルアレー１１にデータ領域及びデータ書き込み用予備領域を備える。 - 特許庁 - The system is constituted so that photographic subject retrieval data are stored in a built-in flash memory 109 of the camera 1.
カメラ１の内蔵フラッシュメモリ１０９に被写体検索データを格納するように構成した。 - 特許庁 - To provide a NAND flash memory device, and a method for its erasing, programming, and a copy-back programming.
ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置及びそれの消去、プログラム、及びコピーバックプログラム方法を提供する。 - 特許庁 - This image pickup device is provided with an electronic flash device 21, an AGC circuit 33, a nonvolatile memory 22 and a CPU 12.
ストロボ装置２１と、ＡＧＣ回路３３と、不揮発性メモリ２２と、ＣＰＵ１２を設ける。 - 特許庁 - To perform efficient log data preservation processing in an HDD having a magnetic disk and a flash memory.
磁気ディスクとフラッシュ・メモリを有するＨＤＤにおいて、ログ・データの保存処理を効率化する。 - 特許庁 - The CPU 9 reads from a flash memory 10 a measured voltage matching the position detection data.
そしてＣＰＵ９は、位置検出データに応じた測定電圧値をフラッシュメモリ１０から読み出す。 - 特許庁 - The file system part 103 controls the reading/writing of data stored in a NAND flash memory 12.
ファイルシステム部１０３は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２に記憶されるデータの読み書きを制御する。 - 特許庁 - The first management table has address information indicative of the location where data in a flash memory is stored.
前記第１の管理テーブルは、フラッシュメモリのデータの記録場所を示すアドレス情報を有する。 - 特許庁 - The CPU 9 records the received image data in a flash memory 12, or the like (step S7).
そして、ＣＰＵ９は、該送られてきた画像データをフラッシュメモリ１２などに記録する（ステップＳ７）。 - 特許庁 - To provide a flash memory device having cell current measuring scheme utilizing a write-in driver.
書き込みドライバを利用したセル電流測定スキームを有するフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - DATA UPDATE METHOD FOR FLASH MEMORY, DATA UPDATE PROGRAM, INFORMATION PROCESSOR, AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM
フラッシュメモリのデータ更新方法、データ更新プログラム、情報処理装置、及び情報処理システム - 特許庁 - The data is copied from the hard disk 6 to the flash memory device 7 in the nighttime with low power rate.
電力料金の安い夜間に、ハードディスク６からフラッシュメモリデバイス７にデータをコピーする。 - 特許庁 - A memory card 20 having a plurality of flash memories (FM1 to FM6) is installed on the digital camera 2.
複数のフラッシュメモリ（ＦＭ１〜ＦＭ６）を有するメモリカード２０はデジタルカメラ２に装着される。 - 特許庁 - To provide a USB storage allowing automatic deletion of a data file stored in a flash memory.
フラッシュメモリに記憶されたデータファイルを自動的に削除できるＵＳＢストレージを提供する。 - 特許庁 - In a step 120, data of detection signals from a respiratory sensor 1 are recorded in the flash memory 55.
ステッフ゜１２０では、呼吸センサ１からの検出信号のデータをフラッシュメモリ５５に記録する。 - 特許庁 - The multifunction machine transmits the invalidation instruction data and thereafter clears the user area of the flash memory to initialize the user area.
複合機は、この失効指示データの送信後、フラッシュメモリのユーザ領域をクリアし初期化する。 - 特許庁 - A flash memory 7 stores a program for a main microcomputer 5 and a program for a sub microcomputer 8.
フラッシュメモリ７には、メインマイコン５用のプログラムと、サブマイコン８用のプログラムが記憶されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor flash memory which can rapidly read and write meta information and has a long life.
高速にメタ情報の読み書きができ且つ寿命が長い半導体フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁 - The address table 42 on the flash memory in this time is accessed in almost the same procedure as user data.
この時フラッシュメモリ上のアドレステーブル４２は、ユーザーデータと殆ど同様の手順でアクセスされる。 - 特許庁 - The memory module 4 is constituted by connecting the buffer 3 to flash memories 2 by a bus 9.
複数のフラッシュメモリ２に対してバッファ３をバス９で接続してメモリモジュール４を構成する。 - 特許庁 - Each flash memory 17 and 18 stores sector data and sector management tables 0, 1, 2, and 3.
各フラッシュメモリ１７，１８は、セクタデータを格納するとともに、セクタ管理テーブル０，１，２，３を格納する。 - 特許庁 - Next, data is shifted to the flash memory from the DRAM (40), write request is satisfied using the DRAM (32).
次に、DRAMからフラッシュメモリにデータをデステージし(40)、DRAMを使用して書き込み要求を満足させる(32)。 - 特許庁 - When there are only the telephone book data, the control unit writes and stores the telephone book data in a flash memory 11.
電話帳データのみであると、電話帳データをフラッシュメモリ１１に書き込み保存する。 - 特許庁 - To enable data to be stored in a portable flash memory without impairing the safety of a thin client system.
シンクライアントシステムの安全性を損なうことなく、可搬型フラッシュメモリ内にデータを保存可能とする。 - 特許庁 - ROW DECODER CIRCUIT OF NAND TYPE FLASH MEMORY, AND OPERATING VOLTAGE SUPPLYING METHOD USING THE SAME
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのロウデコーダ回路およびこれを用いた動作電圧供給方法 - 特許庁 - When there is a read command from the outside, the user data and error correcting code are read from the flash memory.
外部より読み出しコマンドがあればユーザデータと誤り訂正符号をフラッシュメモリより読み出す。 - 特許庁 - To provide a flash memory to realize prevention of rewrite and deletion of data at low cost.
低コストでデータの書き替え・消去を防止することを実現するフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a NOR flash memory device with a twin bit cell structure, and also to provide a manufacturing method therefor.
ツインビットセル構造のＮＯＲ型フラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In starting the NAND flash memory controller 12, an NAND ID 20 is read from the NAND type flash memory 13, and individual specifications necessary for memory access are set, and configuration data 21 are read, and a speed (access time) when memory access is set.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリコントローラ１２の起動においては、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１３からＮＡＮＤ ＩＤ２０を読み込んで、メモリアクセスに必要な個別仕様を設定すると共に、コンフィグデータ２１を読み込んで、メモリアクセス時におけるスピード（アクセスタイム）を設定する。 - 特許庁
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