「Flash memory」を含む例文一覧(4423)
＜前へ 1 2 .... 30 31 32 33 34 35 36 37 38 .... 88 89 次へ＞- The peripheral circuit forming area 7 can be shared by being electrically connected to both the NOR-type flash memory formation area 2 and DINOR-type flash memory formation area 3.
周辺回路形成領域７はＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域２及びＤＩＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域３双方に電気的に接続されることにより共有可能である。 - 特許庁 - Further, the flash memory not referred with the CFI command is referred to by a status register clear command (S14), and the command type of the flash memory is determined based on the result referred to by the status register command (S15, S16).
また、CFIコマンドで照会不能なフラッシュメモリをステータスレジスタクリアコマンドで照会し（Ｓ１４）、ステータスレジスタコマンドで照会した可否の結果に基づいてフラッシュメモリのコマンドタイプを判定する（Ｓ１５、Ｓ１６）。 - 特許庁 - To provide a flash memory element and a method of manufacturing the same wherein floating gates each is isolated in a semiconductor substrate by an element isolation film to shut off the interference among the floating gates in the flash memory element.
フラッシュメモリ素子において、フローティングゲートが半導体基板内で素子分離膜により分離されてフローティングゲート間の干渉を完璧に遮断するフラッシュメモリ素子及びその製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a flash memory element capable of forming to fine a dielectric film contact hole for formation by utilizing existing exposure facilities without requiring any expensive exposure facilities, and to provide a method of manufacturing the flash memory element.
高額な露光装備を要せずとも、既存の露光設備を利用することによって誘電体膜コンタクトホールを微細化して形成することができるフラッシュメモリ素子とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Thus, a service engineer can easily obtain the flash memory 62 which stores the software necessary for the onsite maintenance of the personal computer and go to perform onsite maintenance, carrying the flash memory 62 with him or herself.
したがって、サービスエンジニアは、そのパソコンのオンサイト保守に必要なソフトウェアが格納されたフラッシュメモリ６２を容易に取得でき、そのフラッシュメモリ６２を携行してオンサイト保守に向かうことができる。 - 特許庁 - To shorten the time required for writing a flash memory having a plurality of banks while enhancing the processing capacity of a computer system including it and to reduce the chip size and the cost of a flash memory.
複数のバンクを備えるフラッシュメモリ等の書き込み所要時間を短縮し、これを含むコンピュータシステム等の処理能力を高めるとともに、フラッシュメモリ等のチップサイズを縮小し、その低コスト化を図る。 - 特許庁 - To provide electronic equipment in which, even when a write program is not written in a flash memory on a circuit board, the program code of the flash memory can be rewritten without loading an exclusive interface.
回路基板上のフラッシュメモリに書き込みプログラムが書き込まれていない場合にも、専用インターフェースを搭載することなく、フラッシュメモリのプログラムコードを書き換えることが可能な電子機器を得ること。 - 特許庁 - This information processor is provided with a flash ROM (non- volatile memory) 3 to store programs read from a memory card 15 through card interface 5 and a CPU 1 to execute programs stored in the flash ROM 3.
カードインタフェース５を介して、メモリカード１５から読み出されたプログラムを記憶するフラッシュＲＯＭ（不揮発性メモリ）３と、フラッシュＲＯＭ３に記憶されたプログラムを実行するＣＰＵ１とを備えている。 - 特許庁 - A plurality of partial blocks of a flash memory 2 configure a CIS region for storing the CIS of the flash memory 2, and CIS is stored in each of the plurality of blocks in the CIS region.
フラッシュメモリ２の複数の一部のブロックは、フラッシュメモリ２のＣＩＳを記憶するためのＣＩＳ領域を構成していて、ＣＩＳ領域内の複数のブロックにそれぞれＣＩＳを記憶している。 - 特許庁 - A flash memory 29 stores a required reference output level in advance, and a temperature sensor 28 measures in advance a reference temperature corresponding to each reference output level and stores the result to the flash memory 29.
所要の基準出力レベルをフラッシュメモリ２９に予め記憶し、各基準出力レベルに対応した基準温度を予め温度センサ２８によって測定してフラッシュメモリ２９に記憶する。 - 特許庁 - That is, in a series of rewriting sequence in the flash memory 1. output operation of existing data for page buffers 5, 6 of the flash memory 1 can be inhibited, and a write-in time can be largely reduced.
即ち、フラッシュメモリ１における一連の書き換えシーケンスの中で、フラッシュメモリ１のページバッファ５、６に対する既存データの出力動作を禁止でき、書き込み時間を大幅に短縮できる。 - 特許庁 - Therefore, when a user tries to use a flash memory by connecting it to a USB while operating the keyboard far from the body section, the user is able to continuously use the flash memory by connecting it to the USB installed in the keyboard.
したがって、例えば、ユーザが本体部から離れてキーボードを操作中、フラッシュメモリをＵＳＢに接続して利用しようとする場合に、キーボードが有するＵＳＢにフラッシュメモリを接続して利用できる。 - 特許庁 - This data operation method includes a flash memory and a controller having an interface connected to a host computer to enable the down/up load of optional data in the data area of the flash memory which is to access the host computer.
フラッシュメモリと、ホストコンピューターに接続され、ホストコンピューターにアクセスしようとするフラッシュメモリのデータ領域に任意のデータをダウン／アップロード可能にするためのインタフェースを有する制御器を備える。 - 特許庁 - Since an excess area B for (32 MB-29.1 MB)/29.1 MB=0.10, i.e., 10% substitution, can be formed in each flash memory element, rewriting more than the rewritable frequency of each conventional flash memory element can be attained.
そのため、各フラッシュメモリ素子毎に、（３２ＭＢ−２９．１ＭＢ）／２９．１ＭＢ＝０．１０、即ち１０％の代替用の余剰領域Ｂを設けることができ、従来のフラッシュメモリ素子の書換可能回数以上の書換が可能となる。 - 特許庁 - To provide a storage medium access controller capable of effectively utilizing the storage capacity of a flash memory by rewriting data for each byte even in the case of the flash memory disabled to erase data for each byte.
１バイトごとのデータの消去ができないようなフラッシュメモリであっても、１バイトごとのデータの書き換えを可能にしフラッシュメモリの記憶容量を有効利用できる記憶媒体アクセス制御装置を得る。 - 特許庁 - During recording, a CPU converts music data inputted from a parallel port into serial data and then records even-numbered data into a flash memory 50a and odd-numbered data into a flash memory 50b in a standard format.
記録時、ＣＰＵはパラレルポートから入力される音楽データをシリアルデータ化した後、偶数番目のデータをフラッシュメモリ５０ａに、奇数番目のデータをフラッシュメモリ５０ｂに標準フォーマットで記録する。 - 特許庁 - To improve a host system comprising a sequential ROM interface to be accessible to a NAND type flash memory and to provide a NAND flash memory device accessible from the improved host system.
シーケンシャルＲＯＭインターフェースを具備するホストシステムをＮＡＮＤ型フラッシュメモリーにアクセス可能に改良すること、及び、該改良されたホストシステムからアクセス可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリーデバイスの提供。 - 特許庁 - To rewrite new firmware by reducing power necessary for rewriting a flash memory, securing the safety of a member which may be carelessly operated in rewiring and safely erasing the flash memory.
フラッシュメモリ書換え時に必要な電力を削減し、書換え時の不用意に動作する可能性のある部材の安全性を確保し、フラッシュメモリを安全に消去し、新しいファームウエアを書換える。 - 特許庁 - The selection of the flash memory to be written is decided by whether data of 'A15' in a low address is a low level or a high level, and an interface chip 4 issues an invalid command to the flash memory not to be written.
書き込みを行なうフラッシュメモリの選択は、ロウアドレスにおける’Ａ１５’のデータがハイレベルかロウレベルかで判断し、書き込みを行なわないフラッシュメモリには、インタフェースチップ４が無効コマンドを発行する。 - 特許庁 - To provide a data updating method of a flash memory preventing loss of all data even if an accident occurs during updating of data of the flash memory built in a photograph processing device.
写真処理装置に内蔵されているフラッシュメモリのデータ更新中にアクシデントが発生してもデータが全てなくなることがない、フラッシュメモリのデータ更新方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To lower the cost of a print controller or to enhance the performance thereof by utilizing a flash memory effectively after loading a program on the flash memory to a DRAM.
フラッシュメモリ上のプログラムをＤＲＡＭへのロード後にフラッシュメモリを有効に活用し印刷制御装置のコストを下げること、あるいは、印刷制御装置の性能を向上させることを目的とする。 - 特許庁 - The semiconductor storage apparatus includes a flash memory array 118, which includes a plurality of nonvolatile memory elements which need to be erased before writing, and a ferroelectric memory array 113 including a plurality of nonvolatile memory elements which can be overwritten.
書き込み前に消去が必要な複数の不揮発性メモリ素子からなるフラッシュメモリアレイ１１８と、上書き可能な複数の不揮発性メモリ素子からなる強誘電体メモリアレイ１１３とを設ける。 - 特許庁 - To provide bias to a plurality of memory sectors in a memory element by bulk of a smaller region in a non-volatile memory element of especially a flash type and providing method for bias in a memory element.
特にフラッシュ型の不揮発性のメモリ素子、およびメモリ素子内のバイアス付与方法に関し、より小さな領域のバルクによってメモリ素子内の複数のメモリ・セクタにバイアスを付与することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a memory system which includes a memory controller equipped with an address-scrambling function to a flash memory device which stores 2N+1 bit data, and also provide a method for scrambling address data in the memory system.
２Ｎ＋１ビットデータを格納するフラッシュメモリ装置に対するアドレススクランブル機能付きメモリ制御器を含むメモリシステム、およびそのメモリシステムにおいてアドレスデータをスクランブルする方法を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor memory device includes: NAND flash memories 11 and 12 having first and second memory cell configurations; a controller 13 having a controller function 13A for controlling the NAND flash memory 11 and a controller function 13B for controlling the NAND flash memory 12; and a card bus 16 connected to the controller 13 for transferring a signal between the outside and the controller 13.
第１，第２のメモリセル構成を持つＮＡＮＤフラッシュメモリ１１，１２と、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１１を制御するコントローラファンクション１３Ａと、ＮＡＮＤフラッシュメモリ１２を制御するコントローラファンクション１３Ｂを有するコントローラ１３と、コントローラ１３に接続され、外部とコントローラ１３との間で信号の授受を行うためのカードバス１６とを備える。 - 特許庁 - When the power supply is applied to the monitor attached doorphone master unit 7, when a memory card 21 is inserted to a memory card slot part 18 and the memory card 21 stores a file suitable for update of a flash memory part 19, a system control microphone unit 16 executes processing of updating the information recorded in the flash memory part 19.
モニタ付ドアホン親機７に電源が投入された際に、メモリカードスロット部１８にメモリカード２１が挿入されており、さらに、メモリカード２１にフラッシュメモリ部１９の更新に適したファイルが記録されていれば、システム制御マイコン部１６は、フラッシュメモリ部１９に記録された情報を更新する処理を実行する。 - 特許庁 - The interfaces of the DSP 102 and volatile memory 108 are connected to a data memory 104 of the DSP 102 and the Flash memory 105 is connected to the data memory 104 and a program memory 103 in the DSP 102.
ＤＳＰ１０２と不揮発性メモリ１０８のインターフェイスは、ＳＲＡＭ１０７がＤＳＰ１０２のデータメモリ１０４に接続され、Ｆｌａｓｈメモリ１０５がＤＳＰ１０２内のデータメモリ１０４とプログラムメモリ１０３に接続されている。 - 特許庁 - Then, when it is confirmed that the program data to be updated are normally stored in the external memory 21, the program data to be updated stored in the external memory 21 are transferred to a flash memory 28, and the existing program data stored in the flash memory 28 are rewritten with the program data to be updated.
そして、外付けメモリ２１内に正常に記憶されたことが確認された場合に、該外付けメモリ２１に記憶された更新対象となるプログラムデータをフラッシュメモリ２８に転送して、該フラッシュメモリ２８内に記憶されている既存のプログラムデータを、更新対象となるプログラムデータに書き換える。 - 特許庁 - A CPU 3 sets a chip select setting output 12 so as to make a flash memory chip select output 11 to be an output of a shared memory chip select switching circuit 14 and so as to make a shared memory chip select output 10 to be an output of a flash memory chip select switching circuit 15 in transferring the firmware.
ファームウェアの転送時、ＣＰＵ３はフラッシュメモリチップセレクト出力１１が共有メモリチップセレクト切替回路１４の出力、共有メモリチップセレクト出力１０がフラッシュメモリチップセレクト切替回路１５の出力となるようにチップセレクト設定出力１２を設定する。 - 特許庁 - To provide a memory device capable of extending the life of a flash memory by averagely using physical blocks of the flash memory in adaptation of a file management system which tends to frequently use a low-order logical address such as MS-DOS, and a control method of nonvolatile memory.
ＭＳ−ＤＯＳのように下位の論理アドレスが頻繁に使用される傾向があるファイル管理システムを採用した場合、フラッシュメモリの物理ブロックを平均的に使用し、フラッシュメモリの寿命を長くすることができるメモリ装置および不揮発性メモリの制御方法を提供する。 - 特許庁 - Even when the operation of writing the contents of a FIFO memory 10 to a flash memory 13 is interrupted by any inevitable state such as a power failure, the write operation is executed again in the capacity unit of the FIFO memory 10 including the address of the flash memory 13 at the time point of interruption.
フラッシュメモリ１３に対するＦＩＦＯメモリ１０の内容の書き込み動作が停電等の不可避な事態で中断した場合であっても、フラッシュメモリ１３の中断時点のアドレスを含むＦＩＦＯメモリ１０の容量単位で再度書き込み動作を実行する様にした。 - 特許庁 - In a post-wafer-sorting stage of device manufacture, a plurality of flash memory devices which each include a flash controller die related to a common housing and at least one flash memory die are passed to a test process such as a batch test process or mass test process.
デバイス製造のポスト・ウェファ・ソート・ステージ中に、共通ハウジングに関連づけられたフラッシュコントローラ・ダイおよび少なくとも一つのフラッシュメモリ・ダイを各々が含む複数のフラッシュメモリ・デバイスを、例えば、バッチ・テスト・プロセスまたはマス・テスト・プロセス等のテスト・プロセスへ通す。 - 特許庁 - To provide a memory card data display function by which the contents of a flash card are easily learned by displaying information regarding the contents of the flash card on a panel when the flash card is mounted on facsimile equipment and an image processor with the memory card data display function.
フラッシュカードがファクシミリ装置に装着された際、フラッシュカードの中身に関しての情報をパネルに表示し、フラッシュカードの内容を容易に知ることができるメモリカードデータ表示機能およびメモリカードデータ表示機能を有する画像処理装置を提供すること。 - 特許庁 - To suppress an increase in the erasure frequency of blocks of a NAND flash memory used as a main storage unit, by increasing the memory capacity of the NAND flash memory more than a data amount designated by a logical address.
論理アドレスにより指定されるデータ量よりも、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの記憶容量を大きくすることにより、主記憶装置として用いられるＮＡＮＤ型フラッシュメモリのブロックの消去回数が増大することを抑制することを可能にする。 - 特許庁 - To provide a tone generation apparatus in which waveform data are stored in a NAND-type flash memory, and read out from the flash memory to a waveform memory through a buffer and simultaneously reproduced, lightening load to a CPU, and achieving well-balanced design.
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに波形データを格納しておき、そこから波形データをバッファ経由で波形メモリに読出しつつ再生を行う楽音生成装置において、ＣＰＵにかかる負荷を軽減し、バランスの良い設計が実現できるようにすること。 - 特許庁 - To quicken the high speed operation of swap-in in a computer system using a flash memory as a swap region.
フラッシュメモリをスワップ領域として使用するコンピュータシテテムにおいてスワップインの高速化を目的とする。 - 特許庁 - To provide a flash memory device in which the failure of verification due to a defective page buffer can be prevented.
欠陥ページバッファによる検証失敗を防止することができるフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁 - In a flash memory, an interruption signal externally inputted to an interruption input terminal A is detected.
本発明のフラッシュメモリでは、割り込み入力端子［Ａ］に外部入力された割り込み信号を検知する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a flash memory element for preventing an occurrence of a residue of a gate etching.
ゲートエッチングの残余物の発生を防止するためのフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To surely write information in a flash memory disposed in a device for playing back an optical disk.
光ディスク再生装置に設けられたフラッシュメモリに確実に情報を書き込むことができるようにする。 - 特許庁 - Thus, the contents of the flash memory 13 are rewritten with data received from the data writer 90A.
これにより、データ書込装置９０Ａから受信したデータで、フラッシュメモリ１３の内容が書き換えられる。 - 特許庁 - CONNECTOR FOR FLASH MEMORY CARD, CONNECTION STRUCTURE USING THE SAME, ELECTRONIC DEVICE USING CONNECTION STRUCTURE
フラッシュメモリカード用コネクタおよびそれを用いた接続構造、ならびにこの接続構造を用いた電子装置 - 特許庁 - PM (Performance Monitor) data representing a state of a communication system is periodically collected and written in a flash memory 21.
通信システムの状態を表すＰＭデータが定期的に収集され、フラッシュメモリ２１に書き込まれる。 - 特許庁 - To provide a flash memory test system shortening a test time and an electric test method using that.
検査時間を短縮するフラッシュメモリテスタ及びこれを利用した電気的検査方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a flash memory comprising a low-voltage transistor having a sufficient element isolation characteristics.
十分な素子分離特性を備えた低電圧トランジスタを持つフラッシュメモリの製造方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR STORING DATA IN FLASH MEMORY BY ISOLATION-METHOD AT DBMS, USING PAGE-DIFFERENCIAL
ページ−ディファレンシャルを使用して、ＤＢＭＳに独立的な方法でフラッシュメモリーにデータを格納する方法 - 特許庁 - The flash memory stores a plurality of memories SWs consisting of memories SWs for changing setting.
フラッシュメモリには、設定変更するメモリＳＷのみで構成したメモリＳＷが複数記憶されている。 - 特許庁 - To realize a flash memory wherein a leakage current is reduced through an inter-gate-electrode insulating film thereof.
ゲート電極間絶縁膜中を流れるリーク電流の低減化を図ったフラッシュメモリを実現すること。 - 特許庁 - To provide a high-voltage switch which has a wide positive and negative voltage range used in a NAND flash memory.
ＮＡＮＤフラッシュメモリで使用する広い正負電圧範囲を有する高電圧スイッチを提供する。 - 特許庁 - FLASH MEMORY CELL FOR PERFORMING WRITE-IN/ERASING THROUGH LOW VOLTAGE MODE CHANNEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
低電圧モードのチャンネル経由による書き込み、消去を行うフラッシュメモリ・セル、及びその製造方法 - 特許庁
- 特許庁
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