「In Isolation」を含む例文一覧(3114)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 62 63 次へ＞- In the pixel formation region 4, an element isolation layer 12 protruded on the semiconductor substrate and an element isolation region 11 embedded in the substrate isolate elements from each other.
画素形成領域４においては、半導体基板上に突出した素子分離層１２と基板内に埋め込まれた素子分離領域１１とが、素子間を分離する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which is superior in element isolation characteristic.
素子分離特性の良好な半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - The base-isolated building 1 supported by a base isolation device 3 in a base isolation manner is newly constructed, and an extension part 4 is constructed in an upper story of the base-isolated building after its use is started.
免震装置３により免震支持してなる免震建物１を新築し、その供用を開始した後に、該免震建物の上層部に増築部４を増築する。 - 特許庁 - To surely execute vibration isolation without causing any trouble in maintenance even in the case a vibration isolation device is provided to a small-sized building such as wooden housing, etc.
免震装置に関し、木造住宅等の小型建築物に装備してもメンテナンスに不具合を来さず確実に免震を行なうことができるようにすることを目的とする。 - 特許庁 - To provide a useful new substance contained in propolis through isolation and identification.
プロポリスに含まれる有用な新規物質を単離同定することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a base isolation device furnished with a lock means simple in structure and inexpensive.
構造が簡単で安価なロック手段を備えた免震装置を提供すること。 - 特許庁 - Further, the first heat isolation layer and the second heat isolation layer are improved in recording efficiency in order to prevent the heat radiation of the energy generated by the laser beam from the reflection layer.
更に第１の熱隔離層と第２の熱隔離層は、レーザー光によって発生するエネルギが反射層から放熱されることを防ぐため、記録効率が改善される。 - 特許庁 - The polysilicon films 10 are formed on first sections in element-isolation insulating films 2.
ポリシリコン膜１０は、素子分離絶縁膜２の第１部分上に形成されている。 - 特許庁 - A trench isolation oxide film 3 is formed in a groove formed at the silicon substrate 2.
シリコン基板２に形成された溝にトレンチ分離酸化膜３が形成されている。 - 特許庁 - enforced isolation of patients suffering from a contagious disease in order to prevent the spread of disease
病気の蔓延を防ぐために伝染病患者を強制的に隔離すること - 日本語WordNet - To prevent the occurrence of junction leaks caused by misalignment in a connecting hole opening process in a highly integrated semiconductor device using a shallow trench isolation structure for element isolation.
シャロートレンチアイソレーション構造の素子分離を用いた高集積度半導体装置において、接続孔開口工程のミスアライメントに起因する接合リークを低減する。 - 特許庁 - In the construction of vibration isolation in which a building 5 is borne by bearing piles 2 (2a, 2b) through vibration isolation devices 4, raking piles 2b are adopted as at least parts of the bearing piles 2.
建物５を免震装置４を介して支持杭２（２ａ，２ｂ）により支持してなる免震構造において、支持杭の少なくとも一部として斜杭２ｂを採用する。 - 特許庁 - To provide a rolling element for base isolation which is compact, capable of converting the friction into the damping force, unchangeable in base isolation performance against the change in weight of an object to be supported, small in the number of part items and easy in execution and carriage.
小型で摩擦を減衰力とすることができ、被支持体の重量変化に対し免震性能が変わらず、部品点数が少なく施工・搬送が容易な免震用転動体を得る。 - 特許庁 - The plurality of base isolation units 110 are arranged in vertical clearance Y between a floor surface F and the base isolation object P formed by lifting from the floor surface F.
床面Ｆから持ち上げて形成される免震対象物Ｐと床面Ｆとの上下間隙Ｙに複数の免震ユニット１１０を配置する。 - 特許庁 - To provide a vibration isolation damper being comparatively high in vibration absorbing performance and capable of being comparatively easily formed and to provide a vibration isolation supporting device using the damper.
比較的振動吸収性能が高く且つ比較的容易に形成することのできる防振ダンパー及びそれを用いた防振支持装置を提供する。 - 特許庁 - To simplify a structure without imparing a base isolation function in a ball type base isolation stand having a damper device for imparting resistance to relative motion of upper/lower bases.
上下ベースの相対動に抵抗を与えるダンパ装置を備えたボール式免震台において、免震機能を損なうことなく構造を簡単化する。 - 特許庁 - A part of the second terminals 52 is positioned in a hollow part 38 of the movable isolation plate 31, and partially projects above the movable isolation plate 31.
第二端子５２の一部分は可動隔離板３１の中空部位３８に位置付けられ、かつ可動隔離板３１の上方に部分的に突出する。 - 特許庁 - To provide a method for forming bubble-like shallow trench isolation such that an effective region is preserved for improved isolation, in to a semiconductor device.
半導体デバイスにおいて有効領域が保存されて分離が改善されるような風船形の浅いトレンチ分離を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a multi-function electrosurgical generator that has an isolation barrier for securing the patient isolation in different frequencies and uses the different frequencies.
異なる周波数において患者との絶縁を確保する絶縁障壁を有する、異なる周波数を用いる多機能電気外科発生器を提供すること。 - 特許庁 - To provide a loading test device of an seismic isolation device capable of being mounted with a load in a vertical direction following the horizontal deformation of the seismic isolation device.
免震装置の水平変形に追随しながら鉛直方向に荷重を載荷することができる簡素な免震装置の加力試験装置を提供する。 - 特許庁 - To cover a weakness of a vertical direction (a tension direction) of a seismic isolation device without destroying characteristics in a horizontal direction of a laminated rubber type seismic isolation device.
積層ゴム型免震装置の水平方向の特性を殺すことなく、当該免震装置の鉛直方向（引っ張り方向）の弱点をカバーする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a seismic isolation plug which can improve the attenuation performance and the displacement following performance of a seismic isolation device without using lead in a material.
材料に鉛を使用することなく、免震装置の減衰性能及び変位追従性を向上させ得る免震プラグの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The isolation method and apparatus further include forming of an isolation trench in an active region and filling the trench with a doped conductive material containing silicon.
分離方法及び装置では更に、能動領域内に分離溝を形成し、この分離溝に、シリコンを含有しドーピングされた導電性材料を充填する。 - 特許庁 - To transmit a load of a structure without unevenness to a base isolation device, in the case of supporting the structure of medium low story house or the like by a plurality of the base isolation devices.
中低層住宅等の構造物を複数の免震装置で支持する際に、構造物の荷重を偏らずに免震装置へ伝達する。 - 特許庁 - To control centering of transistor gate electric field, which is formed in an active region divided by element isolation, around the element isolation.
素子分離によって区画される活性領域において形成されるトランジスタのゲート電界が、当該素子分離の近傍での集中することを抑制する。 - 特許庁 - Subsequently, thickness of the isolation oxide film 33 is measured and the isolation oxide film 33 is etched based on the measurement under conditions determined in feed forward manner.
分離酸化膜３３の膜厚を測定し、その測定値に基づいてフィードフォワード的に決定された条件で分離酸化膜３３をエッチングする。 - 特許庁 - Two isolation grooves are formed in parallel from an upper surface of the contact layer to a bottom of the second second clad layer, and the ridge is formed between both the isolation grooves.
コンタクト層の上面から第２の第２クラッド層の底まで分離溝が２本並列に形成され、両分離溝間にリッジが形成されている。 - 特許庁 - A trench element isolation oxide film 11 is formed on the surface of a silicon substrate 10, and a transistor 3 is formed in an active region other then an element isolation region.
シリコン基板１０の表面にトレンチ素子分離酸化膜１１が形成され、素子分離領域以外の活性領域にトランジスタ３が形成されている。 - 特許庁 - To reduce an oxidizing quantity of a trench isolation region in a semiconductor device having a trench isolation region and a gate oxide film that has more than one film thickness.
トレンチ分離領域と、２種類以上の膜厚のゲート酸化膜とを有する半導体装置において、トレンチ分離領域が受ける酸化量を低減する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a trench element isolation region, which favorably conducts an embedding of an insulating layer in the isolation region.
トレンチ素子分離領域の絶縁層の埋め込みが良好に行われる、トレンチ素子分離領域を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To simplify a step of filling a filler into an isolation groove in a semiconductor device and to easily secure the flatness of a layer on the isolation groove.
半導体装置の分離溝に充填材を充填する場合の工程を簡単にするとともに、分離溝上層部分の平坦性を容易に確保する。 - 特許庁 - (3) If the necessity for isolation has ceased to exist, then the warden of the penal institution shall immediately suspend the isolation even during the period set forth in the preceding paragraph.
３ 刑事施設の長は、前項の期間中であっても、隔離の必要がなくなったときは、直ちにその隔離を中止しなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム - (6) If the necessity for isolation has ceased to exist, then the warden of the penal institution shall immediately suspend the isolation even during the period set forth in the preceding paragraph.
６ 刑事施設の長は、前項の期間中であっても、隔離の必要がなくなったときは、直ちにその隔離を中止しなければならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム - To provide a restraint device for a base isolation structure which can prevent horizontal displacement of a construction due to a cross wind by reducing a cost, in a building of base isolation structure.
免震構造建築において、建造物の横風による水平変位を安価に防止することができる免震構造用拘束装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a base isolation supporting device capable of providing excellent base isolation performance by absorbing not only rolling but also deformation in the tilting direction (rotating direction).
横揺れだけでなく、傾き方向（回動方向）の変形も吸収できるようにして、より免震性能に優れる免震支承装置を提供する。 - 特許庁 - An opening portion 7 is provided in an approximately central portion of the upper seismic isolation base 2 for the fixed column 5 to be protruded up to the level of the upper seismic isolation base 2.
上部免震ベース２の略中央部に開口部７を設けて該固定柱５を上部免震ベース２の高さにまで突出せしめる。 - 特許庁 - The first isolation layer is irradiated with light, an exfoliation in the first isolation layer is induced, and the first substrate is detached.
次に前記第１の分離層に対して光照射を行うことにうより、前記第１の分離層における剥離を誘起して、前記第１の基板を脱離させる。 - 特許庁 - To provide a three-dimensional isolation system capable of surely restraining horizontal deformation and rotation, while securing the operation of a vertical isolation system in a vertical direction.
鉛直免震装置の鉛直方向の作動を保証しつつ水平変形や回転を確実に拘束することができる３次元免震装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a construction method of the base isolation artificial ground, capable of easily constructing the concrete artificial ground on a base isolation device, by cast-in-place of concrete.
免震装置上にコンクリート製人工地盤をコンクリートの現場打ちにて容易に構築することができる免震人工地盤の構築方法を提供する。 - 特許庁 - An isolation structure 210 is formed in the semiconductor layer, the isolation structure configured substantially to isolate the first source/drain region from the second source/drain region.
半導体層内に分離構造２１０が形成され、これは第１ソース／ドレイン領域を第２ソース／ドレイン領域からほぼ分離するように構成されている。 - 特許庁 - The base-isolation pit 6 has a cross section larger than that of the outer shape of the floating body-type base-isolation structure 1, and a depth in excess of the height of the air chamber 3.
なお、免震ピット６は、浮体式免震構造物１の外形よりも大きい断面積と、空気室３の高さを越える深さを有している。 - 特許庁 - Herein the base isolation structure has an equivalent rigidity Keq and an equivalent damping coefficient Heq having the following characteristics: Keq (in a first cycle)/Keq (in a third cycle) <1.20, and Heq (in a first cycle)/Heq (in a third cycle) >0.90.
Ｋｅｑ（１サイクル目）／Ｋｅｑ（３サイクル目）＜１．２０、かつ、Ｈｅｑ（１サイクル目）／Ｈｅｑ（３サイクル目）＞０．９０ - 特許庁 - To realize improvement in the transistor characteristics (operating characteristics) of a optoelectronic transducer device, the improvement in the isolation characteristics between pixels in the device and the improvement in the breakdown strength characteristics of the device.
トランジスタ特性（作動特性）の向上と、画素間の分離特性の向上と、耐圧特性の向上を図る。 - 特許庁 - In this packing 1, a vibration isolation packing material 2 having a vibration isolation property and adhesiveness, and a heat insulation packing material 3 having a heat insulation property are stuck to each other by use of the adhesiveness of the vibration isolation packing material 2, before installing the packing 1 to an installed member 4.
防振性および粘着性を有する防振パッキン材２と、断熱性を有する断熱パッキン材３とを、被装着部材４に装着する前に、防振パッキン材２の粘着性を利用して貼り合わせる。 - 特許庁 - To provide a method and a device for replacing load bearing of a seismic isolation device, which prevents an elastic deformed portion of the seismic isolation device from sinking in a building to replace a load bearing, when installing a plurality of seismic isolation devices to the building.
建造物に複数台の免震装置を据付ける際に、建造物に免震装置の弾性変形分の沈込みが生じないようにして免震装置の受替えを可能にした方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - A photoelectric conversion device has an electric charge retaining section in an imaging region, and an element isolation section for the electric charge retaining section includes a first element isolation section that uses a P-N connection and a second element isolation section by using an insulating body.
撮像領域に電荷保持部を有する光電変換装置において、電荷保持部のための素子分離部は、ＰＮ接合を用いた第１の素子分離部と絶縁体を用いた第２の素子分離部とを有する。 - 特許庁 - To provide a fixing structure of a seismic isolation device capable of adjusting a deviation and a method for adjusting a horizontal displacement difference of the seismic isolation device even when a structure supported by the seismic isolation device deviates in two directions.
免震装置によって支持される構造物が二方向にずれてしまった場合でも、そのずれを修正することができる免震装置の固定構造、免震装置の水平方向変位差を修正する方法を得る - 特許庁 - To provide a base isolation device which has excellent damping performance, is simple in structure, and can be easily and inexpensively manufactured, a damping mechanism used for the base isolation device, and a method for assembling the base isolation device.
優れた減衰性能を有するとともに構成が簡略で容易にかつ安価に製作可能な免震装置と、それに用いる減衰機構、ならびに上記の免震装置を組み立てるための組立方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the method for manufacturing a semiconductor device, in which the level difference produced between an element forming region and an element isolation region can be reduced and which is provided with an inexpensive element isolation insulating film having high element isolation cability.
素子形成領域と素子分離領域との間に生ずる段差を少なくすることができ、かつ、安価で素子分離能力の高い素子分離用絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a base isolation construction method for an existing building in which a regular business in the building is not impeded, a base isolation device can be easily installed at any position of an axial member, and the base isolation of the building can be realized in a short time in a simple work.
建物内における平常業務の妨げとなることなく、軸力材のいかなる位置に対しても容易に免震装置を設置することができ、しかも簡易な作業で短期間に当該建物の免震化を図ることが可能となる既存建物の免震化工法を提供する。 - 特許庁
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- ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
