「Pattern Formation」を含む例文一覧(2870)

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  • As a result, exposure can be performed suitably since the atmosphere of the interface 12 is controlled to have prescribed humidity or oxygen concentration when a wafer W travels on the interface 12 in processes before and after exposure by an aligner 13, so that accurate pattern formation is enabled.
    これにより、露光装置13による露光前及び露光後の工程において、ウエハWがインターフェース部12を行き来する際、当該インターフェース部12の雰囲気が所定の湿度又は酸素濃度に制御されているので、好適に露光を行うことができ、正確なパターン形成を行うことができる。 - 特許庁
  • A formation method of pixel pattern includes steps of: (1) forming a coating film of a colored radiation-sensitive composition containing at least one type selected from the group consisting of a dye and a lake pigment, on a substrate and (2) exposing at least part of the coating film with ultraviolet LED.
    (1)基板上に染料及びレーキ顔料よりなる群から選ばれる少なくとも1種を含有する着色感放射線性組成物の塗膜を形成する工程、並びに(2)前記塗膜の少なくとも一部に紫外線LEDを用いて露光する工程を含む画素パターンの形成方法。 - 特許庁
  • To provide a positive type resist material characterized by having high sensitivity and high resolution equivalent to or higher than those of a conventional positive type resist material, alleviating the formation of standing waves because of the good pattern shape on especially a high-reflecting substrate, and therefore causing reduced edge roughness.
    従来のポジ型レジスト材料と同等か若しくはこれを上回るほど高感度、高解像度であるとともに、特に高反射基板上でのパターン形状が良好で、定在波の発生が軽減され、エッジラフネスが少ない特性を示すポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁
  • Because of formation of the both face, connection wiring pattern 223, a break can be prevented in the vicinity of the through-hole bottom part 1131, and the wire 221 can be easily led out of the circumference of the through-hole bottom part 1131, consequently, a resistance value of the wire can be lowered.
    この両面接続用配線パターン223の形成により、貫通孔底部1131近辺においての断線を抑制することができ、かつ貫通孔底部131周囲からの配線221の引き出しが容易となり、配線の抵抗値を低減することが可能となる。 - 特許庁
  • Removal of a mask in a region to form the semiconductor element and removal of a sacrifice layer and the mask in the region to form the micro structure are carried out in the same process by forming the sacrifice layer by using a mask material to carry out pattern formation of a film in manufacturing the micro machine.
    マイクロマシンの作製に際して、膜のパターン形成を行うためのマスク材料を用いて犠牲層を形成し、半導体素子を形成する領域におけるマスクの除去と、微小構造体を形成する領域における犠牲層とマスクの除去を同一の工程にて行う。 - 特許庁
  • A spiral pattern is considered to be a localized amorphous region generated upon spin doping of the catalytic element solution due to insufficient formation of an extremely thin silicon oxide film during the ozone water treatment step.
    上記渦状の模様は、オゾン水処理工程の極薄シリコン酸化膜の成膜不足により、触媒元素溶液のスピン添加処理の際に、局部的に撥水現象が生じ、触媒元素が均一に添加されない為、局部的非晶質領域が発生したものと考えられる。 - 特許庁
  • To provide a photoresist composition for a lift-off process which facilitates resist stripping by ozone water without using an organic solvent and facilitates formation of a wiring pattern with high processability and reliability by a lift-off process, for example, on a semiconductor substrate or a liquid crystal substrate.
    有機溶媒を使用することなくオゾン水によりレジスト剥離を容易に行うことができ、例えば半導体用基板や液晶用基板上に、リフトオフ法により加工性および信頼性の高い配線パターンを形成することを可能とするリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁
  • The apparatus for pattern formation keeps the carriage 20 equipped with a first semiconductor laser LD1 emitting a first irradiation light Le1 of a wavelength having a high absorptivity to a metal ink F and a second semiconductor laser LD2 emitting a second irradiation light Le2 of a wavelength having a low absorptivity to the metal ink F.
    金属インクFに対して吸収率が高い波長の第1照射光Le1を出射する第1半導体レーザLD1と、金属インクFに対して吸収率が低い波長の第2照射光Le2を出射する第2半導体レーザLD2をキャリッジ20に備えた。 - 特許庁
  • To provide an image forming apparatus independently including a black image forming section and color image forming sections, the image forming apparatus extending the life of a color photoreceptor by application of a lubricant thereto, allowing black toner to be recyclable, and preventing defects in image formation such as a void in an image detection pattern and deterioration in transfer ratio.
    黒の作像部がカラーの作像部と独立している画像形成装置において、潤滑剤塗布によるカラー感光体の長寿命化と、黒トナーのリサイクルを図り、また画像検知パターンの中抜け、転写率低下などの作像の不具合を防止する画像形成装置を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a black curable composition for a wafer-level lens that forms a cured film with excellent light shielding properties and exhibiting excellent sensitiveness necessary for curing in pattern formation, and an easy-to-produce wafer-level lens with light quantity properly adjusted by the presence of a light shielding film.
    遮光性に優れた硬化膜を形成することができ、パターン形成時の硬化に必要な感度に優れたウエハレベルレンズ用黒色硬化性組成物を提供し、遮光膜の存在により光量が適切に調整され、簡易に製造しうるウエハレベルレンズを提供する。 - 特許庁
  • To provide a method of improving electric performance by reducing a surface resistivity of a conductive composition pattern-formed on a base material and containing a silver particle and a resin binder after formation, and to provide a method of manufacturing an electromagnetic shielding material utilizing the same.
    基材上にパターン状に形成された銀粒子と樹脂バインダを含む導電性組成物層について、形成後にその表面抵抗率を下げて電気的性能を向上させる方法と、この方法を利用して電磁波遮蔽材を製造する方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a printed wiring board capable of totally confirming misalignment between via holes and wiring patterns immediately after wiring pattern formation of the printed wiring board, and taking corrective action by discovering failures in the early stage to feed back the failures to a process in the case of continuous defects; and to provide a method of manufacturing the same.
    プリント配線板の配線パターン形成直後に、バイアホールと配線パターン間の位置ズレを全数確認することが可能で、異常を早期発見して連続不良の場合には工程にフィードバックし、是正処置を取ることができるプリント配線板とその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Next, when the target threshold is stored in one blank storage element, a dot shape to be actually formed is assumed on the basis of a dot formation pattern expressed by the arrangement of storage elements in which the threshold has been already stored, and a coverage C is calculated for each of the blank storage elements.
    次に、空白格納要素の1つに対して着目閾値を格納したとした場合に、閾値が既に格納された格納要素の配置が表すドットの形成パターンに基づいて、実際に形成されるドット形状を想定し、空白格納要素の各々について、被覆率Cを算出する。 - 特許庁
  • To provide a control and management program for a caisson excavator capable of easily varying and setting image formation and display for management of excavation, functions to prevent contact during operation of plural machines, and the pattern of excavator speeds, in addition to setting caisson shapes, cutting-edge ceiling corner shapes, shaft position and rail shapes.
    ケーソン形状、刃口天井コーナ形状、シャフト位置、レール形状の他、掘削管理用画像製作および表示、複数台稼働時の接触防止機能、掘削機速度パターンの設定などを容易に変更、設定できるケーソン掘削機の制御、管理プログラムを提供すること。 - 特許庁
  • A testing circuit to determine whether the mask that has been used to from the source/drain and gate electrode of a transistor, contact and wiring of each layer thereof is correct or not is formed within a chip or in the scribe region, and this circuit is then coupled with formation of the pattern of mask used.
    トランジスタのソース・ドレイン、ゲート電極とその上各層のコンタクトと配線を形成する際に使用したマスクが正しい物か否かを判定する為の試験回路をチップ内又はスクライブ領域に形成しておき、この回路を使用マスクのパターン形成により連結される。 - 特許庁
  • To provide an optical waveguide structure and an electronic device which have a high degree of freedom for designing a pattern shape, which enable the formation of a core portion (optical path) having high dimensional accuracy by a simple method, and which include an optical waveguide that is excellent in durability and allows high integration.
    パターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部(光路)を簡単な方法で形成することができ、また、耐久性に優れるとともに高集積化が可能な光導波路を備えた光導波路構造体および電子機器を提供すること。 - 特許庁
  • In the method of manufacturing a top contact type field effect transistor 10 of this embodiment, after a protection layer 22 is formed on an active layer 18 formed in a semiconductor layer formation step, a photoresist film is formed on the protection layer 22 and it is exposed to a pattern shape in an exposure step.
    本実施の形態のトップコンタクト型の電界効果型トランジスタ10の製造方法によれば、半導体層形成工程で形成した活性層18上に、防護層22を形成した後に、該防護層22上にフォトレジスト膜を形成して露光工程においてパターン状に露光する。 - 特許庁
  • The multi-layered printed wiring board (1) is formed by laminating an internal layer circuit board (4) between two outermost layer copper foils across prepregs in one body, the multi-layered printed wiring board having a closed circuit as a test pattern (6) outside a circuit formation region (5) of the inner circuit board (4).
    二枚の最外層銅箔の間に、プリプレグを介して内層回路基板(4)が積層一体化されてなる多層プリント配線板(1)であって、内層回路基板(4)の回路形成領域(5)外に、テストパターン(6)としての閉回路を有することを特徴とする多層プリント配線板とする。 - 特許庁
  • The method includes a step of preparing a board for treatment by allowing the surface of a flexible resin board to contact with an ozone solution, a step of subjecting the surface of the board to electroless deposition for the formation of an electroless plate coating on the surface, and a step of forming a wiring pattern on the electroless plate coating.
    フレキシブル樹脂基板の表面とオゾン溶液とを接触させて処理基板を形成する工程と、処理基板の表面を無電解めっき処理して無電解めっき被膜を形成する工程と、無電解めっき被膜上に配線パターンを形成する工程と、を含む。 - 特許庁
  • The MOSFET is a punch-through type element, and the p-type body layer 3 has, at a center part (contact region 3c), a part having a longer trailing pattern of a p-type impurity concentration profile along the depth of the n-type drift layer 2 than an end (channel formation region 3b or terminal region 5).
    当該MOSFETはパンチスルー型の素子であり、p型ボディ層3は、中央部(コンタクト領域3c)に端部(チャネル形成領域3bまたは終端領域5)よりもp型不純物濃度プロファイルのn型ドリフト層2の深さ方向への裾引きが長い部分を有する。 - 特許庁
  • The image of a display pattern generator 102 is optically reduced and projected to the spatial optical modulator 101 having optical sensitivity by a multi-lens image-formation optical system 103, and a phase or amplitude distribution corresponding to a projected image group 104 is formed on an electrooptical medium.
    光感度を有する空間光変調器101に表示パターン発生器102の画像が多眼結像光学系103によって光学的に縮小投影され、この投影画像群104に対応した位相あるいは振幅分布が電気光学媒体に形成される。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device manufacturing method, capable of surely connecting the divided patterns together, lessening a width change in a line at a joint between the transferred patterns, when the divided patterns are formed on a mask and then transferred to a resist for the formation of the pattern of a semiconductor device.
    分割されたパターンをマスク上に形成し、レジストに転写して半導体装置のパターンを形成する際に、転写されたパターンの接続部の線幅変化を小さくし、分割されたパターンを確実に接続できるような半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a projection aligner for controlling the image formation characteristic variation of a projection optical system due to exposure heat within an allowable value, and for easily obtaining a pattern with high resolution without extremely deteriorating productivity, and to provide a method for manufacturing a device by using this.
    本発明は、露光熱による投影光学系の結像特性変動が許容値を越えないように制御し、生産性を著しく低下させることなく高解像度のパターンが容易に得られる投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The pattern formation method includes a step(a) of forming a resist film on a substrate, a pre-wet step(b) of putting prewet liquid on the resist film and removing the pulley wet liquid, after a certain period of time, and a step(c) of exposing onto the resist film on the substrate via the immersion liquid.
    基板上にレジスト膜を形成する工程(a)、該レジスト膜上にプリウェット液を盛り、一定時間後、そのプリウェット液を除去するプリウェット工程(b)、基板上のレジスト膜に液浸液を介して露光する工程(c)を有することを特徴とするパターン形成方法。 - 特許庁
  • In order to form a sintered material of uniform thickness on a substrate which has irregularity of thickness, a resin under coating layer, which disappears without a harmful influence when it is burned, is formed on the substrate and plane polished before the formation of a desired paste layer or a pattern for baking.
    厚さムラがある基板の上に均一な厚さの焼成物を形成する方法として、焼成時に悪影響なしに消滅する樹脂を基板の上に下引き層として形成し、それを平面研磨した後に、所望の焼成用ペースト層やパターンを形成する。 - 特許庁
  • To provide a negative type resist composition which has superior storage stability for resist liquid and post-exposure temporal stability as well as high sensitivity and high resolving power in pattern formation by irradiation with an electron beam or EUV in microprocessing of a semiconductor element.
    半導体素子の微細加工における性能向上及び技術の課題を解決することであり、電子線又はEUVの照射によるパターン形成において、高い感度及び解像度とともに、レジスト液の保存安定性及び引き置き経時安定性に優れたネガ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁
  • To provide a developing method for photoresist film which can not only shorten the process time but also can improve the wavelength area selection ratio to enable the formation of a photoresist pattern of a sharp shape, a manufacturing method for a semiconductor device using the developing method, and a developer suitable for excuting the developing method.
    処理時間を短縮できるのはもちろん選択比を向上してシャープな形状のレジストパターンの形成を可能にしたレジスト膜の現像方法、及びこの現像方法を用いた半導体装置の製造方法、さらに現像方法の実施に好適な現像装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide an improved polymer and photoresist composition in which the formation of a fine pattern in an electronic device production is enabled, and at least one of problems (separately described) relating to a newest technology can be avoided or remarkably improved, and to develop a photolithographic method for negative tone development.
    電子デバイス製造における微細パターンの形成を可能にし、および最新技術に関連する1以上の上記課題を回避するかまたは顕著に改善する、改良されたポリマー、フォトレジスト組成物、およびネガティブトーン現像のためのフォトリソグラフィ方法の開発。 - 特許庁
  • A contact probe 13 is arranged corresponding to an arrangement pattern of a test pad 11 provided in a circuit formation domain 5a which is an inspection object on the upper surface of a holder substrate 15 provided on this contact unit 2, and an inspection probe group 14a-14d is arranged corresponding to dummy pads 7a-7d.
    コンタクトユニット2に備わるホルダ基板15の上面には、検査対象たる回路形成領域5aに備わるテストパッド11の配置パターンに対応してコンタクトプローブ13が配置されると共に、ダミーパッド7a〜7dに対応して、検出プローブ群14a〜14dが配置される。 - 特許庁
  • To provide a radiation-sensitive resin composition which maintains a sufficient transparency, solvent resistance and adhesion and is provided with a required resolving power and storage stability even when it is submitted to a high-temperature treatment after formation of a pattern of an inter-laminar insulating film or a microlens, and an interlaminar insulating film and a microlens prepared therefrom.
    層間絶縁膜マイクロレンズパターンの形成後、高温処理を施しても、十分な透明性、耐溶剤性、密着性を維持し、かつ必要な解像度、保存安定性を具備した感放射線性樹脂組成物、およびそれから得られる層間絶縁膜、マイクロレンズを提供する。 - 特許庁
  • This game machine is provided with reels 3L, 3C, 3R for fluctuating and displaying a pattern required for a game, a CPU 31 for determining internal winning role, and a RAM 33 for storing information related to bonus based on the results of determination of CPU 31 and formation of winning of bonus or not.
    遊技機は、遊技に必要な図柄を変動表示するリール(3L,3C,3R)と、内部当選役を決定するCPU(31)と、CPU(31)の決定結果及びボーナスの入賞の成否に基づいて、ボーナスに関連する情報を記憶するRAM(33)とを備える。 - 特許庁
  • The upper layer after the pattern formation is used as a mask for the optical ozone ashing of the lower layer and then a peeling process for the upper layer, a conductive film forming process, an electroforming process, a peeling process for an electroformed film (stamper layer 12), and a specific postprocess for the electroformed film are carried out to obtain a desired original disk.
    パターン形成後の上層をマスクとして下層を光オゾンアッシングし、その後、上層の剥離工程、導電膜形成工程、電鋳工程、電鋳膜(スタンパ層12)の剥離工程および、この電鋳膜に対する所定の後処理工程を経て所望の原盤を得る。 - 特許庁
  • To obtain a metal-polishing liquid which can express a high polishing rate ration (Ta/Cu, TaN/Cu) of tantalum, tantalum nitride and copper, enables high flattening and dishing quantity reduction, and enables the formation of a highly reliable metal film embedded pattern, and to provide a method for polishing with the metal-polishing liquid.
    タンタル、窒化タンタルと銅の高い研磨速度比(Ta/Cu、TaN/Cu)を発現し、高平坦化及びディッシング量低減を可能とし、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属研磨液及びそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a photosensitive siloxane composition which has such properties as high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant, and which is for use in formation of a planarizing film for a TFT substrate or an interlayer insulation film having a pattern of good resolution or a core or cladding material of an optical waveguide.
    高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を併せ持ち、かつ良好な解像度のパターンを有する、TFT基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる感光性シロキサン組成物を提供する - 特許庁
  • To provide a formation capable of visualizing brilliance of a light reflection layer and visualizing an OVD (optical variable device) image in particular when the light reflection layer is an OVD, under reflection light and capable of visualizing another latent image pattern under transmission light.
    反射光下においては、光反射層の光沢を視認することができ、特に光反射層がOVDの場合には、OVD画像を視認することができ、透過光下においては別の潜像模様を視認することができる形成体を提案することを目的とする。 - 特許庁
  • To provide a top layer film forming composition for forming a top layer film that hardly causes intermixing with a photoresist film, keeps a stable film state hardly eluting in an immersion liquid, can suppress generation of a development peeling defect, and allows formation of a resist pattern with high resolution.
    フォトレジスト膜とのインターミキシングが生じ難く、液浸液に溶出し難く安定な被膜を維持可能であり、現像剥離欠陥の発生を抑制することが可能であり、高解像度のレジストパターンを形成可能な上層膜を形成するための上層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁
  • The screen is formed to a sheet shape by weaving formation of roughly woven portions 4 of a knot inserted to a rod-shaped bodies 3 and 8 or a rope-shaped body 10 are formed to a plurality of places at predetermined intervals so as to be united into a pattern made by the weaving of the sunshade sheet 2.
    織編成によりシート状に形成するとともに、棒状体3,8あるいは紐状体10を挿通する目合の大きい粗織り部4…を、当該日除けシートの織成による模様に融合するように、所定の間隔で複数箇所に形成した日除けシート2。 - 特許庁
  • To obtain a pattern data forming method which is capable of relieving an increase in the data capacity of drawing data occurring in the generation of OPC patterns in formation of electron beam drawing data of a reticle, an increase in data handling time by accompanying the same, and an increase in the load on production resources and a drawing method for reticle.
    本発明は、レチクルの電子ビーム描画データの作成において、OPCパターンの発生に起因する描画データのデータ容量増加、これに伴うデータハンドリング時間の増加、および生産資源に対する負荷の増加を緩和できるパターンデータ作成方法およびレチクルの描画方法を得る。 - 特許庁
  • To provide a method of forming a film by a photo-electrodeposition method or a photocatalyst method, by which the film having uniform film thickness and excellent pattern can be formed by uniformizing the concentration of hydrogen ions in the vicinity of the surface of a substrate for film formation when the film is formed, and to provide an apparatus for forming the film.
    光電着法または光触媒法を用いた膜形成において、膜形成する基板表面近傍の水素イオン濃度を均一にすることにより、膜厚が均一な優れたパターン成膜が可能な膜形成方法および膜形成装置を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a green photosensitive coloring composition for a color filter having high luminance, enabling suppression of brightness reduction in color filter formation process, being excellent in heat resistance and allowing a good pattern shape of a filter segment; and a color filter using this, which has high luminance and high definition.
    高輝度であって、カラーフィルタの形成工程においても明度の低下を抑制することができ、耐熱性に優れ、フィルタセグメントのパターン形状についても良好なカラーフィルタ用緑色感光性着色組成物、及びこれを用いた高輝度及び高精細のカラーフィルタを提供すること。 - 特許庁
  • The delay time for the data formation time occurring before the pattern to be exposed is obtained on the sample is calculated for each of a predetermined plurality of scanning directions X and Y, and the scanning direction having the shorter delay time is selected as the scanning direction in that case.
    その場合の走査方向として、前記露光すべきパターンが前記試料上に得られるまでに発生するデータ生成時間のための遅延時間を、予め定められた複数の走査方向X、Y毎に算定し、算定された遅延時間がより短い走査方向を選択する。 - 特許庁
  • To improve the manufacturing yield of a reflection-transmission liquid crystal display device provided with a reflective display region and a transmissive display region inside a pixel by reducing the probability of short-circuiting due to abnormal pattern formation of a transparent pixel electrode formed on an array substrate.
    一つの画素内に反射表示領域と透過表示領域とを備えた反射透過型液晶表示装置において、アレイ基板上に形成される透明画素電極のパターン形成異常によるショートの発生確率を減らして製造歩留まりを向上させる。 - 特許庁
  • This radiation-sensitive resin composition is used for forming a resist film for use in a resist pattern formation method including a liquid dipping exposure process using bicyclohexyl as a liquid for liquid dipping exposure, and the static contact angle of a formed resist film to the hydroxyl is 30-90°.
    液浸露光用液体としてビシクロヘキシルを用いた液浸露光工程を含むレジストパターン形成方法で使用されるレジスト膜の形成に用いられ、形成されたレジスト膜の、ビシクロヘキシルに対する静的接触角が30〜90°である感放射線性樹脂組成物。 - 特許庁
  • In the method for formation of wiring structure, a first organic matter-bearing silicon oxide film 303, an SOG film 304 having a low specific inductive capacity, and a second organic matter-containing silicon oxide film 305 are sequentially deposited on a semiconductor substrate 300, and then, a mask pattern 308 is formed on the silicon oxide film 305.
    半導体基板300上に、第1の有機含有シリコン酸化膜303、低誘電率SOG膜304及び第2の有機含有シリコン酸化膜305を順次堆積した後、第2の有機含有シリコン酸化膜305の上にマスクパターン308を形成する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing wiring that suppresses an increase in resistance of a Cu wiring pattern due to diffusion of Mn when a Cu-Mn alloy is combined with a bimetal film to make a self-repair of a defect and improve adhesiveness during formation of a Cu wiring structure by a damascene method.
    ダマシン法によるCu配線構造の形成において、Cu−Mn合金をバリアメタル膜に組み合わせて欠陥の自己修復および密着性の向上を図る際に、Mnの拡散によるCu配線パターンの抵抗増加を抑制する配線の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a positive resist composition for thick-film resist film formation, capable of reducing viscosity and forming a thick-film resist film of 1-15 μm film thickness, having proper in-plane uniformity of film thickness, and to provide a thick-film resist laminate and a resist pattern forming method using the positive resist composition.
    低粘度化が可能であり、かつ膜厚面内均一性の良好な膜厚1〜15μmの厚膜レジスト膜を形成できる厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、当該ポジ型レジスト組成物を用いた厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a defect inspection method discovering early a VA pattern formation defective substrate by detecting a partial VA deficiency of VA having a line width of 5-10 μm, and improving a line production efficiency, and also to provide a defect inspection device to which the defect inspection method is adapted.
    線幅5μm〜10μmのVAの、部分VA欠損を検出することで、VAパターン形成不良基板を早期に発見し、ラインの生産効率を向上させることが可能な欠陥検査方法、および、この欠陥検査方法を適応した欠陥検査装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide an organic acid soluble type polyamide resin composition with excellent injection molding property, adhesiveness, resistance to a plating processing liquid, solubility to an organic acid and formation property of a circuit pattern, and a method for manufacturing a three-dimensional injection molding circuit component using the resin composition.
    射出成形性、接着性、めっき処理液に対する耐性、有機酸に対する溶解性、回路パターンの形成性に優れた有機酸可溶型ポリアミド樹脂樹脂組成物と、該樹脂組成物を用いた三次元射出成形回路部品の製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a game machine sufficiently enhancing expectation of a player by easily grasping the approach to a presence position of a final stop pattern forming a big win symbol combination and an effective line through a visual performance and an acoustic performance in a formation of a ready-to-win.
    リーチ形成時における視覚的演出及び聴覚的演出を通じて、大当りの図柄組み合わせを形成し得る最終停止図柄の存在位置及び有効ラインへの接近を容易に把握でき、遊技者の期待感を十分に高めることができる遊技機の提供。 - 特許庁
  • In the image formation apparatus which forms and outputs image information as visible images to papers, a synthesizing means 3 is set for superposing a predetermined pattern image on original image information to an entire paper face in the case where the paper is outputted in a state with visual images being formed to both of front and rear faces of the paper.
    画像情報を用紙に可視画像として形成出力する画像形成装置において、用紙の表裏両面に可視画像が形成された状態で出力される場合、本来の画像情報に、所定パターン画像を用紙全面重畳する合成手段3を備えた。 - 特許庁
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