「Si」を含む例文一覧(9137)
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 182 183 次へ＞- The Si microphone 1 has a protecting layer 39.
また、Ｓｉマイク１は、保護層３９を備えている。 - 特許庁 - The underlayer 3 consists of a p-type poly-Si, the (p) layer 4 consists of p-type a-Si:H, the (i) layer 5 consists of i-type a-Si:H, the (n) layer 6 consists of n-type a-Si:H, and the electrode 7 consists of Al.
下地層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなり、ｐ層４は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｉ層５は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層６は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、電極７は、Ａｌからなる。 - 特許庁 - METHOD OF STACKING Si SINGLE CRYSTAL FINE PARTICLES
Ｓｉ単結晶微粒子積層方法 - 特許庁 - The organic chain preferably contains Si.
また，上記有機鎖は，Ｓｉを含んでいることが好ましい。 - 特許庁 - The aluminum-based thermal spraying sliding material has the composition consisting of (a) 5-20% Sn, (b) 5-20% Sn and 1-15% Si, or (c) 8-17% Si, and the balance Al with inevitable impurities, with non-dissolved structure and dissolved structure mixed therein.
(イ)5〜20％Sn、(ロ)5〜20％Sn及び1〜15％Si、又は(ハ)8〜17％Siを含有し、残部がAl及び不可避的不純物からなり、未溶解組織と溶解組織が混在するアルミニウム系溶射摺動材料。 - 特許庁 - The Al-Zn alloy plated layer includes, by mass ratio, 25-75% Al, 1-5% Si, and 0.2-2% Sr against the Si content, or further 0.01-2.0% in total of one or more of Cr, V, and Zr.
Al−Zn合金めっき層が質量比でAlを25〜75％、Siを１％超５％以下及びSrをSi含有量の0.2〜２％の範囲で含有し、あるいはさらにCr、Ｖ、Zrの１種または２種以上を合計で0.01〜2.0 ％含有する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING IRON POWDER HAVING SURFACE COATED WITH HIGH-Si LAYER
表面高Ｓｉ層被覆鉄粉末の製造方法 - 特許庁 - The semiconductor device has an Si substrate 1, an Si layer 12 provided on its Si substrate 1, and insulating separative layers 5, 6 for covering respectively the side surface and the bottom surface of the Si layer 12 of its MOS region.
Ｓｉ基板１と、Ｓｉ基板１上に設けられたＳｉ層１２と、ＭＯＳ領域のＳｉ層１２の底面および側面を覆う絶縁分離層５、６を備える。 - 特許庁 - To suppress frequency of wasteful "SI reporting".
無駄な「ＳＩ ｒｅｐｏｒｔｉｎｇ」の頻度を抑圧する。 - 特許庁 - When character information to be loaded in an EIT by an SI/EPG with a DVB-SI as the base is loaded as the standards in a multi-channel broadcasting, a data mount to be transmitted becomes large, and hence information desired to be loaded cannot be loaded.
多チャンネル放送において、DVB_SIをベースとする、SI/EPGでEITに載せるべき文字情報を規格通り載ると、送るべきデータ量が増えてしまう事になり、載せたい情報が載らなくなってしまう。 - 特許庁 - In this way, the hot dip Al-Zn base alloy coated film having the composition containing 30-70 mass% Al, 0.1-1.0 mass% Si, 0.5-2% of Si to Sr, and the thickness of the interface alloy layer at ≤20% of the coated film thickness is formed.
これにより、Alが30〜70mass％、Siが0.1 〜1.0mass％、SrがSi含有量の0.5 〜２％含有する組成と、界面合金層の厚みがめっき被膜厚の20％以下である溶融Al−Zn系合金めっき被膜が形成される。 - 特許庁 - POLYCRYSTALLINE MgO VAPOR DEPOSITION MATERIAL ADJUSTED IN SI CONCENTRATION
Ｓｉ濃度を調整した多結晶ＭｇＯ蒸着材 - 特許庁 - Mg-Si BASED THERMOELECTRIC MATERIAL AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
Ｍｇ−Ｓｉ系熱電材料及びその製造方法 - 特許庁 - The sliding material is made of a Cu-Ni-Si-based alloy and includes 0.5-10.0 mass% of Ni, 0.1-5.0 mass% of Si, 0.1-5.0 mass% of Cr, with the balance comprising Cu and inevitable impurities, and Sn in the level of impurities.
Cu-Ni-Si系合金で構成される摺動材料で、Niを0.5〜10.0質量％、Siを0.1〜5.0質量％、Crを0.1〜5.0質量％含み、残部がCuと不可避的な不純物からなり、不純物レベルでSnを含む。 - 特許庁 - A TFT element 1 comprises: a P doped n^+a-Si film 6 formed on an a-Si film 5; and an Si film 7 of less than 1 nm formed on the P doped n^+a-Si film 6.
ＴＦＴ素子１は、ａ−Ｓｉ膜５上に形成されたＰドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６と、Ｐドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６上に形成された１ｎｍ以下のＳｉ酸化膜７を有している。 - 特許庁 - Then poly-Si and a-Si are dry etched simultaneously to remove only the a-Si using the difference in etching speed, thereby leaving only the poly-Si layer 107.
ｐｏｌｙ−Ｓｉとａ−Ｓｉを同時にドライエッチングし、エッチング速度の差によってａ−Ｓｉのみ除去し、ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７を残留させる。 - 特許庁 - Information (ESOB_TY:b12="1" or invalid value of information of PSI, SI) indicating invalidity of information (PSI, SI) about broadcasting contents is included in the management information (ESOB_TY) of a type (TYPE_B) not specifying the broadcasting station.
前記放送局を特定しないタイプ（TYPE_B）の管理情報（ESOB_TY）内に放送コンテンツに関する情報（PSI, SI）の無効を示す情報（ESOB_TY：b12=“1”またはPSI, SIの情報の無効値）を含む。 - 特許庁 - Further, a substrate is used which has a specific resistance value obtained from ρ_Si=20/(2πε_Siε_0), where ε_0 is a dielectric constant under a vacuum, ε_Si is a specific dielectric constant of silicon, and (f) is a signal frequency.
また真空中の誘電率をε_0、シリコンの比誘電率をε_Si、信号周波数をｆとした場合、シリコン基板としてρ_Si＝２０／（２πｆε_Siε_0）で求まる比抵抗値を有する基板を用いる。 - 特許庁 - The method for manufacturing Si is carried out by using slag on molten Si to migrate impurities in Si to the slag for purification, wherein high purity Si is produced by exposing the slag to reduced pressure.
溶融Ｓｉにスラグを利用して、Ｓｉ中不純物をスラグに移動させて精製するＳｉ製造方法であって、スラグを減圧下に曝すことにより、高純度のＳｉを製造する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING Si-SiC COMPOSITE MATERIAL
Ｓｉ−ＳｉＣ系複合材料の製造方法 - 特許庁 - There is provided an aluminum alloy wire having a composition comprising, by mass, 0.2 to 1.0% Mg, 0.1 to 1.0% Si and 0.1 to 0.5% Cu, and the balance Al with impurities, and satisfying 0.8≤mass ratio (Mg/Si)≤2.7.
アルミニウム合金線は、質量％で、Mgを0.2％以上1.0％以下、Siを0.1％以上1.0％以下、Cuを0.1％以上0.5％以下含有し、残部がAl及び不純物からなり、0.8≦質量比Mg/Si≦2.7を満たす。 - 特許庁 - Si and Mn are added to a laser irradiation part.
レーザ照射部に、ＳｉおよびＭｎを添加する。 - 特許庁 - The Si obtained by doping B has electroconductivity.
ＢをドープしたＳｉは導電性を有している。 - 特許庁 - SURFACE TREATMENT METHOD FOR POLYCRYSTALLINE Si INGOT
多結晶Ｓｉインゴットの表面処理方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SI-SIC MATERIAL
Ｓｉ−ＳｉＣ材料の製造方法 - 特許庁 - PRODUCTION OF SiC-Si COMPOSITE MATERIAL
ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法 - 特許庁 - The base high resistance layer 22 is made of any of a Ta-Si-O, a Ta-Si-O-N, a Ta-Si-Al-O and a Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 23 is made of the same composition.
下地高抵抗層２２はＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ又はＴａ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎのいずれかで形成され、発熱抵抗層２３も同様の組成で形成される。 - 特許庁 - H-Si, C-Si, O-Si and N-Si bonds of an organic silicated nucleating agent are activated by acting the phosphazene base to the organic silicated nucleating agent in an organic solvent.
有機ケイ素化求核剤に、フォスファゼン塩基を有機溶媒中で作用させることにより、有機ケイ素化求核剤の水素−ケイ素、炭素−ケイ素、酸素−ケイ素、窒素−ケイ素結合を活性化する。 - 特許庁 - Si MONOCHROMATOR, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Ｓｉモノクロメータおよびその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR FIRING Si-BONDED SiC CERAMICS
Ｓｉ結合ＳｉＣセラミックスの焼成方法 - 特許庁 - The glass insulating layers 16 to 19 are formed of Si-based, an Si-B-based, an Si-Al-based and an Si-Zn-based glass paste, and it contains at least one type of Ca, Sr, Ba and Mg.
ガラス絶縁層１６〜１９は、Ｓｉ系、Ｓｉ−Ｂ系、Ｓｉ−Ａｌ系もしくはＳｉ−Ｚｎ系のガラスペーストからなり，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇのうち少なくとも１種類以上を含む。 - 特許庁 - DEVICE AND METHOD FOR Si WAFER CHECK
Ｓｉウエハ−検査装置およびＳｉウエハ−検査方法 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Si CONCENTRATION GRADIENT LAYER-COATED IRON POWDER
Ｓｉ濃度勾配層被覆鉄粉末の製造方法 - 特許庁 - To improve a selection ratio in etching Si and SiG.
ＳｉとＳｉＧのエッチング時の選択比を向上させる。 - 特許庁 - The non-dissolved structure of Al-Sn is an atomized structure with Sn flake-like or crescent shape, and in the non-solved structure of Al-Si, Si is a substantially circular grain or an uneven grain.
Al-Snの未溶解組織はSnが片状、三日月状などとのアトマイズ組織となり、Al-Siの未溶解組織はSiが円に近い粒上、凹凸がある粒状などとなる。 - 特許庁 - HATCH-TYPE VERTICAL HSG-SI FORMING APPARATUS
バッチ式縦型ＨＳＧ−Ｓｉ形成装置 - 特許庁 - METHOD OF REMOVING PROCESSING DAMAGE OF Si WAFER
Ｓｉウェーハの加工ダメージ除去方法 - 特許庁 - PRODUCTION OF HYPEREUTECTIC Al-Si ALLOY
過共晶Ａｌ—Ｓｉ合金の製造方法 - 特許庁 - As the result of this etching, a deposit film 5 is formed on the Si substrate 1.
この結果、ｉ基板１上にデポ膜５が生成する。 - 特許庁 - Si-CONTAINING FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Ｓｉ含有膜及びその製造方法等 - 特許庁 - Si SINGLE-CRYSTAL FINE-PARTICLE LAYERING METHOD
Ｓｉ単結晶微粒子積層方法 - 特許庁 - Al-Si-BASED ALLOY AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Ａｌ−Ｓｉ系合金及びその製造方法 - 特許庁 - By adding a Si raw material 35 to the SiC raw material 32, the vapor pressure of Si in the raw material gas increases, which reduces a ratio (C/Si) of C to Si of the raw material gas on the crystal growth surface.
このときＳｉＣ原料３２にＳｉ原料３５を添加すると、原料ガスにおけるＳｉの蒸気圧が高くなり、結晶成長面における原料ガスのＣとＳｉとの比（Ｃ／Ｓｉ）は小さくなる。 - 特許庁 - To provide a layering method of Si single-crystal fine particles that eliminates gaps among Si single-crystal fine-particles in a Si single-crystal fine-particle layer, and prepares a Si single-crystal fine-particle layer which is layered tightly without gaps.
Ｓｉ単結晶微粒子層のＳｉ単結晶微粒子間の間隙を無くし、隙間無く緻密に積層したＳｉ単結晶微粒子層を作製できるＳｉ単結晶微粒子の積層方法を提供する。 - 特許庁 - The Co-Si based copper alloy sheet comprises, by mass, 0.5 to 3.0% Co and 0.1 to 1.0% Si, and the balance Cu with inevitable impurities, and satisfies ratio of (surface roughness Ra(RD) in a direction parallel to a rolling direction)/(surface roughness Ra(TD) in a direction orthogonal to a rolling direction)≤0.8.
Co：0.5〜3.0質量％、Si：0.1〜1.0質量％を含有し残部がCu及び不可避不純物からなるCo-Si系銅合金板であって、(圧延平行方向の表面粗さRa(RD)/圧延直角方向の表面粗さRa(TD))≦0.8である。 - 特許庁 - The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.
Ｓｉ層１４は、ｎ型不純物濃度が７ｘ１０^18atoms・cm^-3程度のｎ型Ｓｉ層と、ｎ型Ｓｉ層の上に形成され、ｐ型不純物濃度が２ｘ１０^17atoms・cm^-3程度のｐ型Ｓｉ層とからなる。 - 特許庁 - It is possible that, in the blending raw materials, the total of the carbonate is controlled to 10 to 35%, the content of the carbon for regulating slag formation speed is controlled to 0.1 to 5%, and further, as exoergic metal, a Ca-Si alloy and/or Si is blended.
上記配合原料のうち、炭酸塩の合計を10〜35％、滓化速度調整用カーボンを0.1〜5％として、さらに発熱金属としてCa-Si合金および／またはSiを配合することができる。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF JOINED BODY OF Si-SiC COMPOSITE MATERIAL
Ｓｉ−ＳｉＣ複合材料接合体の製造方法 - 特許庁 - The coating may comprise the elements Si, O, C and H.
コーティングは元素Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＨを含んでよい。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Fe-Si-Al POWDER FOR DUST CORE
Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系圧粉磁心用粉末の製造方法 - 特許庁
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