「Si」を含む例文一覧(9137)

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  • Further, Zr, Si and Sn can be incorporated therein.
    更にZr,Si,Snを含有することも可能である。 - 特許庁
  • As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.
    金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁
  • An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1.
    Ｓｉ基板１の上に、Ｓｉ酸化膜２及びＳｉ窒化膜３を順次形成する。 - 特許庁
  • Si POLYCRYSTALLINE INGOT, METHOD OF PRODUCING Si POLYCRYSTALLINE INGOT, AND Si POLYCRYSTALLINE WAFER
    Ｓｉ多結晶インゴット、Ｓｉ多結晶インゴットの製造方法およびＳｉ多結晶ウェハー - 特許庁
  • The materials may be Si and SiGe, Si and Ge, or Si and amorphous Se, for example.
    材料は、例えば、Ｓｉ及びＳｉＧｅ、Ｓｉ及びＧｅ、又は、Ｓｉ及びアモルファスＳｅであり得る。 - 特許庁
  • METHOD FOR GROWING Si-BASED CRYSTAL, Si-BASED CRYSTAL, Si-BASED CRYSTAL SUBSTRATE AND SOLAR BATTERY
    Ｓｉ系結晶の成長方法、Ｓｉ系結晶、Ｓｉ系結晶基板及び太陽電池 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING SILICON CONTAINING THIN FILM USING ORGANIC COMPOUND CONTAINING SI WITH SI-SI BOND
    Ｓｉ−Ｓｉ結合を有する有機Ｓｉ含有化合物を用いたＳｉ含有薄膜の形成方法 - 特許庁
  • the seventh note in a musical scale, called si
    音階でシという第7番目の音 - EDR日英対訳辞書
  • internal stack error The following values can be placed in si_code for a SIGFPE
    内部スタックエラーSIGFPE - JM
  • subscript out of range The following values can be placed in si_code for a SIGSEGV
    範囲外の添字 (subscript)SIGSEGV - JM
  • Xiantong Si White Stupa in Wutaishan
    五台山(中国)顕通寺白塔 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • 17. Empress Lue and Si Hao
    十七　呂后・四皓 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • In the Ainu language, Heshiko becomes pe-si-kor: pe meaning the liquid coming out of something, si, in this case, meaning 'it' and kor meaning 'maintain' or 'create.'
    アイヌ語にあてはめると、へしこ＝pe-si-kor、peとは何かからにじみ出てくる液、siはこの場合「それを」、korは「護持する」「生成する」を意味する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Gyeongsan-si (Gyeongsangbuk-do, Republic of Korea)
    慶山市（大韓民国慶尚北道） - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Joyo City established a sister-city relationship with Gyeongsan-si on January 22, 1991.
    1991年1月22日姉妹都市提携 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • PHOTORESIST CONTAINING Si POLYMER
    Ｓｉポリマー含有フォトレジスト - 特許庁
  • Cu-Ni-Si ALLOY
    Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金 - 特許庁
  • Cu-Al-Si BASED ALLOY POWDER
    Ｃｕ−Ａｌ−Ｓｉ系合金粉末 - 特許庁
  • Co-Si BASED COPPER ALLOY SHEET
    Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金板 - 特許庁
  • OPTICAL SI THYRISTOR DRIVING CIRCUIT
    光ＳＩサイリスタ駆動回路 - 特許庁
  • The Si single crystal 1 is curved and the position of the probe 6 is displaced by the bimetal operation between the PZT thin film 3 and the Si single crystal 1.
    ＰＺＴ薄膜３とSi単結晶１とのバイメタル作用により、Si単結晶１が湾曲して探針６の位置が変位する。 - 特許庁
  • Si BULK POLYCRYSTALLINE INGOT
    Ｓｉバルク多結晶インゴット - 特許庁
  • To provide a GaN-based HEMT that is formed by utilizing a GaN-HEMT on Si substrate and prevents carrier storage layers from existing in the multilayer (GaN/AlN) buffer layer and Si substrate.
    GaN-HEMT on Si基板を利用して形成されるGaN系HEMTにおいて、多層(GaN/AlN)バッファ層及びSi基板中にキャリア蓄積層が存在しない。 - 特許庁
  • This negative electrode material consists of an amorphous phase of Si and/or Ge, or of this amorphous phase and a solid solution or a phase of intermetallic compound of Si and/or Ge.
    Siおよび／またはGeの非結晶質相、またはこれとSiおよび／またはGeの固溶体または金属間化合物の相とからなる負極材料。 - 特許庁
  • The oxygen limits the formation of -Si-H and -Si-OH groups in the low dielectric constant material, thereby reducing the occurrence of moisture absorption and oxidation in the low dielectric constant material.
    酸素は、低誘電率材料中の-Si-H基及び-Si-OH基の形成を制限し、それにより、低誘電率材料中の吸湿及び酸化が減少する。 - 特許庁
  • SiC/Si COMPOSITE MATERIAL
    ＳｉＣ／Ｓｉ複合材料 - 特許庁
  • Cu-Co-Si BASED ALLOY STRIP
    Ｃｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金条 - 特許庁
  • An anti-reflection film F of two-layered structure of Si nitride film 9/Si oxide film 8 is formed on the surface of the poly-Si transfer electrode 7.
    ポリSi転送電極7表面に、Si窒化膜9/Si酸化膜8の二層構造の反射防止膜Fが形成されている。 - 特許庁
  • Al-Mg-Si BASED ALLOY SHEET
    Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金板 - 特許庁
  • Furthermore, containing Al, Si, and Cr inhibits the formation of the grains of the compound, and containing relatively low Al and Si keeps the resistivity low.
    また、Al,Si,Crの含有により、化合物粒の形成が抑えられ、Al,Siが比較的少ないことで、比抵抗を低く抑えられる。 - 特許庁
  • LASER BEAM MACHINING METHOD OF Si SUBSTRATE
    Ｓｉ基板のレーザ加工方法 - 特許庁
  • The self-aligning mask is fabricated by utilizing the fact that the poly-crystal Si (Si/SiGe) oxidizes faster than the single crystal Si (Si/SiGe).
    この自己整合マスクは、多結晶Ｓｉ（Ｓｉ／ＳｉＧｅ）が単結晶Ｓｉ（Ｓｉ／ＳｉＧｅ）よりも速く酸化することを利用して作製される。 - 特許庁
  • Cu-Ni-Si-BASED ALLOY
    Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金 - 特許庁
  • Si KILLED STEEL AND ITS PRODUCTION METHOD
    Ｓｉ脱酸鋼とその製造方法 - 特許庁
  • The inequality 1 is 2×mass%Si+mass%Al+mass%Cr≤7.5.
    ２×ｍａｓｓ％Ｓｉ＋ｍａｓｓ％Ａｌ＋ｍａｓｓ％Ｃｒ≦７．５・・・（式１） - 特許庁
  • A large area of the Si substrate is polished with a grinder (Si substrate polishing step), subsequently the Si substrate is etched (Si substrate etching step).
    グラインダを用いてＳｉ基板の大部分を研磨し（Ｓｉ基板研磨工程）、引き続き、Ｓｉ基板をエッチングする（Ｓｉ基板エッチング工程）。 - 特許庁
  • To solve the problem in the conventional method of sputtering method employing an Al-Si-Cu target, that Si nodules are generated when an Al- interconnection film is deposited.
    Al-Si-Cuターゲットによるスパッタ法で、Al配線膜を堆積させるときに生ずるSiのノジュールが発生してしまう。 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING Si BULK POLYCRYSTAL
    Ｓｉバルク多結晶の作製方法 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF STRAINED Si SUBSTRATE
    歪Ｓｉ基板の製造方法 - 特許庁
  • SiC-Si COMPOSITE MATERIAL
    ＳｉＣ−Ｓｉ複合材料 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING Si-CONTAINING STEEL SHEET
    Ｓｉ含有鋼板の製造方法 - 特許庁
  • Thereafter, the Si etching is resumed.
    その後、Ｓｉエッチングを再開する。 - 特許庁
  • Al-Si ALLOY POWDER
    Ａｌ−Ｓｉ系合金粉末 - 特許庁
  • Al-Si ALLOY MATRIX COMPOSITE MATERIAL
    Ａｌ−Ｓｉ合金基複合材料 - 特許庁
  • Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL
    ＳｉドープＧａＡｓ単結晶 - 特許庁
  • METHOD FOR HOT-ROLLING HIGH Si STEEL
    高Ｓｉ鋼の熱間圧延方法 - 特許庁
  • Si DISPERSED VITREOUS CARBON MATERIAL
    Ｓｉ分散ガラス状カーボン材 - 特許庁
  • The steel sheet comprises, by mass, 0.8 to 2.0% Si.
    Ｓｉ：0.8mass%以上、2.0mass%以下を含有する。 - 特許庁
  • METHOD FOR Si CONCENTRATION MEASUREMENT OF STEEL PRODUCT
    鋼材のＳｉ濃度測定方法 - 特許庁
  • A slab steel having a C content: C [wt.%] of 0.08 to 0.55, an Si content: Si [wt.%] of 0.02 to 0.60; and an Mn content: Mn [wt.%] of 0.3 to 1.5 is used as an object.
    C含有量C[wt%]を0.08〜0.55とし、Si含有量Si[wt%]を0.02〜0.60とし、Mn含有量Mn[wt%]を0.3〜1.5とするスラブ鋼を対象とする。 - 特許庁
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