「Si」を含む例文一覧(9137)

＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 182 183 次へ＞
  • METHOD FOR MANUFACTURING Si CARRIER
    Ｓｉキャリアの製造方法 - 特許庁
  • MANUFACTURE OF Si FINE CRYSTAL STRUCTURE
    Ｓｉ微結晶構造の製造方法 - 特許庁
  • WELDING METHOD FOR Si BASED MATERIAL
    Ｓｉ系材料の溶接方法 - 特許庁
  • DLC coating contains Si.
    ＤＬＣ被膜はＳｉを含有している。 - 特許庁
  • METHOD OF BONDING Si WAFERS
    Ｓｉウエハの接合方法 - 特許庁
  • Si WAFER AND PRODUCTION THEREOF
    Ｓｉウエーハ及びその製造方法 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING POLYCRYSTALLINE Si FILM
    多結晶Ｓｉ膜の形成方法 - 特許庁
  • SOFT MAGNETIC POWDER COATED WITH Si OXIDE FILM
    Ｓｉ酸化膜被覆軟磁性粉末 - 特許庁
  • Cu-Cr-Si-BASED ALLOY FOIL
    Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金箔 - 特許庁
  • POLISHING METHOD OF Si SUBSTRATE SURFACE
    Ｓｉ基板表面の研磨方法 - 特許庁
  • When the mole ratio is Ca/Si≥1.3, the material containing Al is added so as to make Al_2O_3 mass percentage ≥ ((Ca/Si)×0.357-0.464)×100.
    ただしこのときモル比においてCa／Si≧1.3であればAl_2O_3質量％≧（（Ca／Si）×0.357-0.464）×100となるように前記Ａｌを含む物質を添加する。 - 特許庁
  • ETCHING METHOD OF Si FILM
    Ｓｉ膜のエッチング方法 - 特許庁
  • Whether or not a reception synchronizing signal Si is received is determined, and each time the reception synchronizing signal Si is received, a reception frequency T is measured (steps S1 and S2).
    ステップＳ１，Ｓ２で、受信同期信号Siを受けたかが判断され、その受信同期信号Siを受ける毎に、その受信周期Ｔが測定される。 - 特許庁
  • HIGH SPEED ETCHING METHOD OF Si
    Ｓｉ高速エッチング方法 - 特許庁
  • METHOD FOR FORMING Si CRYSTAL THIN FILM
    Ｓｉ結晶薄膜の形成方法 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING Si CLATHRATE
    Ｓｉクラスレートの製造方法 - 特許庁
  • HOT ROLLING METHOD OF HIGH Si STEEL
    高Ｓｉ鋼の熱間圧延方法 - 特許庁
  • The dumb-bell structure of Si [110] is clearly exhibited in the image.
    Si[110]のダムベル構造が、その像の中で明瞭に示されている。 - 科学技術論文動詞集
  • Figure 1 shows a HREM image of Si [110]. For the atomic arrangement, see the inset.
    図1は、Si[110]のHREM像を示す。原子配列については挿入図を参照のこと。 - 科学技術論文動詞集
  • program (in VT100 mode) recognizes the control characters BEL, BS, HT, LF, VT, FF, CR, SO, SI, ESC.
    (VT100 モード)は BEL, BS, HT, LF, VT, FF, CR, SO, SI, ESC のコントロール文字を認識する。 - JM
  • (SI is the International System of Units, which defines these letters)
    (SIとは国際単位系のことで、これらのサイズ文字を定義している) - JM
  • To provide Pb-free Al-Sn, Al-Sn and Al-Sn-Si based thermal spraying sliding materials.
    PbフリーAl-Sn、Al-Sn及びAl-Sn-Si系溶射摺動材料を提供する。 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING SI EPITAXIAL WAFER AND SI EPITAXIAL WAFER
    Ｓｉエピタキシャルウェーハの製造方法及びＳｉエピタキシャルウェーハ - 特許庁
  • The Heusler alloy material has a composition ratio of Co_2(Fe_xMn_1-x)Si alloy (x=0.1 to 0.9).
    ホイスラー合金材料は、Co_2(Fe_xMn_1-x)Si合金（x=0.1〜0.9）の組成比を有している。 - 特許庁
  • SPRAYED Si- OR Si:Al-TARGET WITH LOW IRON CONTENT
    鉄含量の低いスプレーＳｉ−又はＳｉ：Ａｌ−ターゲット - 特許庁
  • SI OBJECT FILE AND SI RELATED FILE MANAGEMENT SYSTEM
    ＳＩ対象ファイルおよびＳＩ関連ファイル管理システム - 特許庁
  • To prevent or inhibit the corrosion of a-Si and p-Si.
    ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉの腐蝕を阻止又は大幅に抑制する。 - 特許庁
  • The above first molten steel contains ≤0.20 mass% Si and ≤0.30 mass% C.
    前記第１の溶鋼は、0.20質量%以下のSiと0.30質量%以下のCとを含有する。 - 特許庁
  • The steel sheet also may contain 0.2-3 mass% Si.
    また本発明の鋼板には、更にSiを0.2 〜3 質量％含有しても良い。 - 特許庁
  • First, a cavity is formed between an Si substrate 1 and an Si layer 5.
    まず始めに、Ｓｉ基板１とＳｉ層５との間に空洞部を形成する。 - 特許庁
  • SI MOUNTING BOARD COMPOSED OF Si AND SEMICONDUCTOR MODULE USING THE SAME
    Ｓｉから成る実装基板およびそれを用いた半導体モジュール - 特許庁
  • POLYMER COMPOUND HAVING Si-Si BOND AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
    Ｓｉ−Ｓｉ結合を有する高分子化合物及びその製造方法 - 特許庁
  • The inner layer comprises a compound of metals of IVa, Va, and VIa groups in a periodic table, Al, Si, and B.
    内層は、周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bの化合物からなる。 - 特許庁
  • Si of 1×1016 cm^-3 to 1×1018 cm^-3 is contained in a p-type layer.
    p型層にはSiが1×1016cm-3以上1×1018cm-3未満含有されている。 - 特許庁
  • In the core layer 21, Si from the Al-Si alloy layer 22 is diffused.
    芯層21にＡｌ−Ｓｉ合金層22からのＳｉが拡散している。 - 特許庁
  • The electrode 18 may be formed on the Si surface of the substrate 11.
    また、電極１８は、基板１１のSi面に形成されてもよい。 - 特許庁
  • A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.
    n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁
  • The alloy having an amorphous structure is composed of the components (Fe-Ni-Co)-(B-Si-C).
    非晶質組織を有する合金は（Fe-Ni-Co)-(Ｂ-Si-Ｃ）の成分系からなる。 - 特許庁
  • The gate insulation film is given a multilayer structure comprising at least SiO_2 and SRN (Si Rich Nitride) film.
    ゲート絶縁膜を少なくともSiO_2とSRN（Si Rich Nitride）膜との積層構造とする。 - 特許庁
  • Further, in the composition of the steel sheet, the content of Si is controlled to ≤0.3%, P to ≤0.02%, Ti to 0.01 to 0.5%, and Nb to 0.01 to 0.5%.
    さらに鋼板組成をSi：0.3%以下、P：0.02%以下、Ti：0.01〜0.5%、Nb：0.01〜0.5%とする。 - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS FOR REFINING Si AND APPARATUS FOR PRODUCING REFINED Si FILM
    Ｓｉ精製方法、Ｓｉ精製装置及びＳｉ精製膜製造装置 - 特許庁
  • O, and ≤0.005% Insol.Al, and satisfying relations [Sol.Al%]≤0.0002×[Cr%]+0.006 and [Sol.Al]≤0.02×([Si%]+[Mn%])+0.006.
    [Sol.Al％]≦0.0002×[Cr％]＋0.006 ・・・ (1) [Sol.Al％]≦0.02×（[Si％]＋[Mn％]）＋0.006 ・・・ (2) - 特許庁
  • Then, the Si nitride film 3 and the Si oxide film 2 are subjected to an etching process.
    次いで、Ｓｉ窒化膜３及びＳｉ酸化膜２をエッチングする。 - 特許庁
  • Then, an Si substrate 12 is etched and removed (Si substrate removal process).
    ついで、Ｓｉ基板１２をエッチングし、除去する（Ｓｉ基板除去工程）。 - 特許庁
  • The bipolar transistor comprises a Si-doped collector electrode layer 2, an undoped collector layer 4, a C-doped base layer 5, a lower emitter layer 7 which is made of a material different from that of the base layer 5 and is Si-doped, a Si-doped upper emitter layer 9, and Si-doped emitter electrode layer 10.
    バイポーラトランジスタは、Siドープのコレクタ電極層２、アンドープのコレクタ層４、Ｃドープのベース層５、ベース層５とは異なる材料からなり、Siドープの下部エミッタ層７、Siドープの上部エミッタ層９、および、Siドープのエミッタ電極層１０からなる。 - 特許庁
  • In the Al base coated layer, 3-15 mass% Si can be contained.
    溶融Al系めっき層には、Si：3〜15質量％を含むことができる。 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING LIGHT EMITTING DEVICE USING COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND
    Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物を用いた発光素子作製法 - 特許庁
  • The inner layer is composed of a compound of Al, Si and B of periodic table IVa, Va, VIa group metal.
    内層は、周期律表IVa、Va、VIa族金属、Al、Si、Bの化合物からなる。 - 特許庁
  • Alternatively, the core portion is formed with Si, and the clad layer is made the magneto-optical member.
    あるいは、コア部をSiで形成し、クラッド層を磁気光学材料とする。 - 特許庁
  • The metal atom(s) is desirable to be one or more kinds among Si, Ti, Cr, Fe and Ni.
    金属原子は好ましくはSi、Ti、Cr、Fe、Niの１種以上である。 - 特許庁
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 182 183 次へ＞

例文データの著作権について