「Si」を含む例文一覧(9137)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 .... 182 183 次へ＞- Cu-Ni-Si-BASED ALLOY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法 - 特許庁 - This metal-ceramic composite material is a Si-SiC composite material consisting of Si and SiC powders and has a Si layer on at least one surface, which Si layer is polished.
少なくとも一つの表面にＳｉ層を有する、ＳｉとＳｉＣ粉末からなるＳｉ−ＳｉＣ複合材料であって、そのＳｉ層の表面が研磨加工されていることとした金属−セラミックス複合材料。 - 特許庁 - PHOTOLUMINESCENCE MEASURING APPARATUS AND Si FILTER
フォトルミネッセンス測定装置及びＳｉフィルター - 特許庁 - The n+Si layer 109 is separated into the n+Si layer 109a that reaches the drain electrode 115a and the n+Si layer 109b that reaches the source electrode 115b by an isolation groove reaching the a-Si:H layer 108.
ｎ＋Ｓｉ層１０９は、ａ−Ｓｉ：Ｈ層１０８まで達する分離溝によって、ドレイン電極１１５ａに導通するｎ＋Ｓｉ層１０９ａとソース電極１１５ｂに導通するｎ＋Ｓｉ層１０９ｂとに分離されている。 - 特許庁 - HARD NITRIDE FILM DEPOSITING METHOD USING Si-CONTAINING GAS
Ｓｉ含有ガスを用いた硬質窒化膜の形成方法 - 特許庁 - Cu-Ni-Si-Zn BASED ALLOY TINNED STRIP
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｚｎ系合金すずめっき条 - 特許庁 - Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL AND ITS PRODUCING METHOD
ＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法 - 特許庁 - HYPOEUTECTIC Al-Si ALLOY CASTING AND ITS PRODUCING METHOD
亜共晶Ａｌ−Ｓｉ合金鋳物及びその製造方法 - 特許庁 - Ni-Si-Co BASE COPPER ALLOY, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金及びその製造方法 - 特許庁 - PROCESS FOR PRODUCING Si BULK POLYCRYSTAL INGOT
Ｓｉバルク多結晶インゴットの製造方法 - 特許庁 - METHOD OF FORMING Si-BASED ORGANIC/INORGANIC HYBRID MEMBRANE
Ｓｉ系有機・無機ハイブリッド膜の形成方法 - 特許庁 - To provide a method for inexpensively mass-producing an La(Fe, Si)_13 alloy free from α-Fe and requiring no homogenization heating treatment for producing an La(Fe, Si)_13Hz based alloy exhibiting magnetocaloric effect.
磁気熱量効果を発揮するLa(Fe,Si)_13Hz系合金を製造するためのα−Ｆｅがなく、均質化加熱処理の不要なLa(Fe,Si)_13合金を安価で大量に生産する方法を提供する。 - 特許庁 - The OBO flat surface waveguide element 1 is equipped with an Si substrate 102, an SiO_2 layer 103 formed on the Si substrate 102, and a plurality of mutually parallel Si optical waveguides 104 arranged on the Si substrate 102.
ＯＢＯ平面導波路素子１は、Ｓｉ基板１０２と、Ｓｉ基板１０２上に形成されたＳｉＯ_2層１０３と、Ｓｉ基板１０２上に設けられた互いに平行な複数のＳｉ光導波路１０４とを備えている。 - 特許庁 - Cu-Ni-Si ALLOY HAVING EXCELLENT BENDABILITY
曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing mutual diffusion of a low melting metal and Si of a Si substrate on a rear surface of the Si substrate while forming a silicide layer on a surface of the Si substrate.
本発明は、Ｓｉ基板の表面にシリサイド層を形成しつつ、Ｓｉ基板の裏面における低融点金属とＳｉ基板のＳｉとの相互拡散を防止できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - An SiGe layer 3 and an Si layer 5 are formed successively on an Si substrate 1, and a hole (h) for exposing the Si substrate 1 is formed on the Si layer 5 and the SiGe layer 3.
Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層３とＳｉ層５とを順次形成し、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３にＳｉ基板１を露出させる穴ｈを形成する。 - 特許庁 - SiC/Si COMPOSITE MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
ＳｉＣ／Ｓｉ複合材料及びその製造方法 - 特許庁 - SI THYRISTOR INDUCTION FIELD POWER GENERATOR
ＳＩサイリスタ誘導電動界磁発電機。 - 特許庁 - Atomized Co base metal chemical compound particle is preferably Si-Cr-Mo base Co base metal chemical compound dispersion particle or Si-Cr-Mo-Ni base Co base metal chemical compound particle.
アトマイズ製Co基金属間化合物粒子としては、Si−Cr−Mo系Co基金属間化合物分散粒子またはSi−Cr−Mo−Ni系Co基金属間化合物粒子とすることが好ましい。 - 特許庁 - Si WAFER CONVEYING JIG AND ITS MANUFACTURING METHOD
Ｓｉウェハ搬送治具及びその製造方法 - 特許庁 - The imaging slice Si is located only on the right lung Lr.
撮像スライスＳｉを右肺Ｌｒのみに配置する。 - 特許庁 - There is provided the light receiving element with the reflective structure which is composed of a multilayer film of a-Si/c-Si formed by changing a part of Si crystal constituting a photoelectric conversion layer into an a-Si layer.
反射構造を備えた光受光素子を、 前記反射構造が、光電変換層を構成するＳｉ結晶の一部をａ−Ｓｉ層に変質させて形成されたａ−Ｓｉ／ｃ−Ｓｉによる多層膜によって構成する。 - 特許庁 - To suppress the frequency of wasteful "SI reporting".
無駄な「ＳＩ ｒｅｐｏｒｔｉｎｇ」の頻度を抑圧する。 - 特許庁 - The SiC crystal is grown on a growth surface of a seed crystal serving as an Si surface using an Si-Cr-Ni-C melt comprising Si, C, Cr and Ni or an Si-Cr-C melt.
Ｓｉ、Ｃ、ＣｒおよびＮｉを含むＳｉ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｃ融液またはＳｉ−Ｃｒ−Ｃ融液により、種結晶の成長面をＳｉ面としてＳｉＣ結晶を成長させる。 - 特許庁 - The cupper-based alloy having dezincfication resistive property, is composed of, by weight, 57-69% Cu, 0.3-3% Sn and 0.02-1.5% Si, wherein Si/Sn is in the range of 0.05-1, and the balance Zn with inevitable impurities.
重量%で、Cu:57〜69%、Sn:0.3〜3%、Si:0.02〜1.5%を含み、Si/Snの値が0.05〜1の範囲であり、残部がZnと不可避的不純物からなることを特徴とする耐脱亜鉛性銅基合金。 - 特許庁 - Si-CONTAINING COMPOUND NITRIDE FILM, AND COATED CUTTING TOOL
Ｓｉ含有複合窒化物膜および被覆切削工具 - 特許庁 - HOT FORGED MEMBER OF Al-Si ALLOY POWDER
Ａｌ−Ｓｉ系合金粉末熱間鍛造部材 - 特許庁 - The manufacturing method uses an Si-Cr alloy as a solvent and its composition has a value of [Cr]/([Cr]+[Si]) of not smaller than 0.2 and not larger than 0.6 wherein [Cr] is the molar concentration of Cr and [Si] is the molar concentration of Si.
溶媒としてＳｉ−Ｃｒ合金を使用し、Ｃｒのモル濃度を[Ｃｒ]、Ｓｉのモル濃度を[Ｓｉ]として、[Ｃｒ]／([Ｃｒ]＋[Ｓｉ]）の値が０.２以上、０.６以下の組成とする。 - 特許庁 - Integrated intensity of 1st peak of Fe_2O_3/{(integrated intensity of 1st peak of duplicated Fe-Si-Al and Fe-Ni×volume fraction of Fe-Ni occupying the total volume of Fe-Si-Al and Fe-Ni)+integrated intensity of 1st peak of FeNi_3}.
Fe_2O_3の1stピークの積分強度／{（Fe-Si-AlとFe-Niの重複した1stピークの積分強度×Fe-Si-AlとFe-Niの合計体積に占めるFe-Niの体積分率）＋FeNi_3の1stピークの積分強度} - 特許庁 - METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING Si-CONTAINING COLD ROLLED STEEL SHEET
Ｓｉ含有冷延鋼板の製造方法及び装置 - 特許庁 - METHOD AND APPARATUS FOR EVALUATING CRYSTALLIZATION Si FILM
結晶化Ｓｉ膜の評価方法及びその装置 - 特許庁 - SURFACE TREATMENT METHOD FOR SI-BASE ALUMINUM ALLOY
Ｓｉ系アルミニウム合金の表面処理方法 - 特許庁 - A first Si oxide film 102, a diamond-like film (DLC film) 103, an ashing protective film (a-Si film) 104 and a second Si oxide film 105 are formed in order on the surface of an Si substrate 101.
Ｓｉ基板１０１表面に第１のＳｉ酸化膜１０２、ダイヤモンドライク膜（ＤＬＣ膜）１０３、アッシング保護膜（ａＳｉ膜）１０４、第２のＳｉ酸化膜１０５を順次形成する。 - 特許庁 - To remove metal impurities beneath the surface of Si, the main cause of surface defects on the Si surface, especially Ni of a transition metal, to make a high-cleanness Si surface and to planarize the Si surface accompanied therewith.
Ｓｉ表面上の表面欠陥の主たる原因である表面下の金属不純物、特に遷移金属であるＮｉを除去し、Ｓｉ表面を高純度化し、それにともないＳｉ表面を平坦化する。 - 特許庁 - Cu-Ni-Si ALLOY-TINNED STRIP
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金すずめっき条 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING SI CRYSTAL INGOT
Ｓｉ結晶インゴットの製造方法 - 特許庁 - To obtain a larger area to take out light without including an n-type Si substrate and a buffer layer, concerning a GaN-base LED to be formed by using a GaN-LED on Si substrate.
GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。 - 特許庁 - HOT ROLLING METHOD FOR Si-CONTAINING STEEL SHEET
Ｓｉ含有鋼板の熱間圧延方法 - 特許庁 - The aluminum alloy wire has a composition comprising, by mass, 0.2 to 1.0% Mg, 0.1 to 1.0% Si and 0.1 to 0.5% Cu, and the balance Al with impurities, and satisfying 0.8≤mass ratio Mg/Si≤2.7.
アルミニウム合金線は、質量％で、Mgを0.2％以上1.0％以下、Siを0.1％以上1.0％以下、Cuを0.1％以上0.5％以下含有し、残部がAl及び不純物からなり、0.8≦質量比Mg/Si≦2.7を満たす。 - 特許庁 - To reduce the amount of transmission of PSI/SI information.
ＰＳＩ／ＳＩ情報の送信量を削減する。 - 特許庁 - Related to a device structure, a plurality of wafers are pasted together with at least one layer being Si, and the Si layer bonded to a wafer flat surface is inclined from (III) surface toward [1, 1, -2].
デバイス構造において、複数のウェーハが張り合わされており、少なくとも１つの層がSiで、ウェーハ平面に対して接着したSi層が(111)面から[1,1,-2]方向へ傾いている構成を有している。 - 特許庁 - SI-CONTAINING FILM-FORMING MATERIAL AND UTILITY THEREOF
Ｓｉ含有膜形成材料、及びその用途 - 特許庁 - The crystal thin film 42 consists of i-type poly-Si.
結晶薄膜４２は、ｉ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる。 - 特許庁 - The diode has an Si substrate 4, a first conductivity-type Si film 3 laminated and formed on the Si substrate and a second conductivity-type SiGe film 2 laminated and formed on the first conductivity-type Si film.
Ｓｉ基板４と、このＳｉ基板上に積層形成された第１導電型のＳｉ膜３と、この第１導電型Ｓｉ膜の上に積層形成された第２導電型のＳｉＧｅ膜２とを有する。 - 特許庁 - Then, a hole for exposing the Si substrate 1 is formed at the Si layer 5 and the SiGe layer, and an SiO_2 film 11 is formed on the Si substrate 1 so that the hole is buried and the Si layer 5 is covered.
次に、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層にＳｉ基板１を露出させる穴を形成し、穴が埋め込まれ且つＳｉ層５が覆われるようにして、Ｓｉ基板１上にＳｉＯ_２膜１１を形成する。 - 特許庁 - CONTROLLING METHOD FOR Al CONCENTRATION IN MOLTEN STEEL HAVING HIGH Si
高Ｓｉ含有溶鋼のＡｌ濃度調整方法 - 特許庁 - The trialkylsilane oxide is O-Si(CH_3)_3, O-Si(CH_3)_2(CH_2CH_3), O-si(CH_3)(CH_2CH_3)_2 or O-Si(CH_2CH_3)_3.
トリアルキルシランオキシドは、０−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３、０−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_２ＣＨ_３）、０−Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）_２、または０−Ｓｉ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_３である。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING STRAINED SI-SOI SUBSTRATE
歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板の製造方法 - 特許庁 - COLUMNLESS SPACE SKELETON SYSTEM OF SI CONSTRUCTION
ＳＩ建築の無柱空間スケルトンシステム - 特許庁 - METHOD FOR HIGH-SPEED FILM GROWTH OF EPITAXIAL Si
エピタキシャルＳｉの高速成膜方法 - 特許庁
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