「Si」を含む例文一覧(9137)

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  • fills in si_band " and " si_fd .
    を設定する。 - JM
  • S.I. No. 199 of June 27, 1996
    1996年6月27日S.I.第199号 - 特許庁
  • To solve the problem of occurrence of stress when an Si oxide film and Si on an Si substrate are bonded to each other, due to a difference in thermal expansion coefficient between Si and the Si oxide film.
    Si基板上のSi酸化膜とSiとの接合においては、SiとSi酸化膜との熱膨張係数の差による応力が発生する。 - 特許庁
  • The Si substrate is constituted in a two layer structure in which a p type high resistance Si layer is laminated on a p type low resistance Si layer.
    Si基板は、p型低抵抗Si層の上にp型高抵抗Si層を積層した２層構造になっている。 - 特許庁
  • (1) 3.0≥{([%Si]/2)+[%Mn]+[%Cr]}≥2.4; and (2) 2.5≥[%Al]/[%N]≥1.7.
    3.0 ≧｛（[%Si]/2）＋[%Mn]＋[%Cr]｝≧ 2.4 --- (1) 2.5 ≧ [%Al]／[%Ｎ] ≧ 1.7 --- (2) - 特許庁
  • These elements are B, Si and C.
    これらの元素はB、Si、Cである。 - 特許庁
  • Zr, Hf, (b) group includes V, Nb, Ta, and (c) group includes Si.
    ａ群：Ti、Zr、Hf、ｂ群：V、Nb、Ta、ｃ群：Si - 特許庁
  • Addition conditions: The mol ratio of Mg to Si in the material to be treated is adjusted to Mg/Si≤0.5, and the mole ratio of Ca to Si is adjusted to 0.5≤Ca/Si≤2.0.
    添加条件：前記被処理物質におけるMgとSiのモル比をMg／Si≦0.5に、かつCaとSiのモル比を0.5≦Ca／Si≦2.0に調整する。 - 特許庁
  • is set in si_band .
    が設定される。 - JM
  • The present invention uses an a-Si TFT 1 and an a-Si TFT 2 having equal photoelectric transfer characteristic.
    光電変換特性が等しいa-Si TFT１とa-Si TFT２を使用する。 - 特許庁
  • Si LAMINATED BODY
    Ｓｉ積層体 - 特許庁
  • "Si-lence!"
    「静かにしやがれ！」 - Robert Louis Stevenson『宝島』
  • The surface of iron powder is covered with an oxide film composed of Si-based oxide in which the atomic number ratio between Si and Fe satisfies the following relation: Si/Fe≥0.8.
    鉄粉の表面に、SiとFiの割合が原子数比でSi／Fe≧0.8を満足するSi系酸化物からなる酸化膜を被覆する。 - 特許庁
  • The SI-R selects a route between the SI-SWs and transfers an event transmitted from an entity terminal to other SI-SW.
    SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
  • The SI-R selects a path between the SI-SWs and transfers an event, transmitted from a terminal serving as an entity, to another SI-SW.
    SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
  • (A); wherein [TS objective value] is the set value of the strength of the steel sheet with Mpa as a unit, and [Si] is the mass% of Si.
    (0.0012×[TS狙い値]-0.29-[Si])/1.45＜Al＜1.5-3*[Si] ・・・(Ａ) ここに、[TS狙い値]は鋼板の強度設計値で単位はMpa、[Si]はSiの質量％ - 特許庁
  • The SI-R selects a path between the SI-SWs and transfers an event transmitted from a terminal serving as an entity to another SI-SW.
    SI-Rは、SI-SW間の経路を選択し、エンティティたる端末から送信されたイベントを他のSI-SWに転送する。 - 特許庁
  • SI CONTROL SYSTEM, SI CONTROL METHOD, AND SI CONTROL PROGRAM
    ＳＩ制御システム、ＳＩ制御方法、並びにＳＩ制御用プログラム - 特許庁
  • (since Linux 2.4.19) The following values can be placed in si_code for a SIGILL
    (Linux 2.4.19 以降)SIGILL - JM
  • He was a priest of Kai Yuan Si Temple.
    開元寺の僧。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • Mo-Si-B ALLOY
    Ｍｏ−Ｓｉ−Ｂ合金 - 特許庁
  • An SI (System Information) data analysis part 241 extracts SI data from section data and analyzes them.
    SIデータ解析部２４１は、セクションデータの中から、SIデータを抽出して解析する。 - 特許庁
  • SI MULTIPLE DWELLING HOUSE
    ＳＩ集合住宅 - 特許庁
  • A Si film 20 is vapor-deposited on the entire surface, sand a SiN film 21 is formed, and Si is diffused by heat treatment to constrict a current.
    Si膜20を全面に蒸着し、SiN膜21を形成し、熱処理でSiを拡散させ電流を狭窄する。 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING Si
    Ｓｉ製造方法 - 特許庁
  • PSI/SI-GENERATING DEVICE
    ＰＳＩ／ＳＩ生成装置 - 特許庁
  • Si REFINING METHOD
    Ｓｉの精錬方法 - 特許庁
  • STRUCTURE OF SI BUILDING
    ＳＩ建物構造 - 特許庁
  • Si ETCHING METHOD
    Ｓｉエッチング方法 - 特許庁
  • Incident luminous energy of the a-Si TFT 1 is reduced by a filter 3 to delay the progress of light deterioration in the a-Si TFT 1.
    a-Si TFT１の入射光量をフィルタ３で減らし、a-Si TFT１の光劣化の進行を遅らせる。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the Si-SiC material manufactured by impregnating the material with molten Si comprises manufacturing the Si-SiC material by heat treating a molding consisting of a powder mixture composed of SiC, Si and C at a temperature above the melting point of the Si to make a calcined body and impregnating the calcined body with the molten Si at a temperature above the melting point of the Si.
    溶融Siを含浸して製造するSi-SiC材料において、SiC、Si、Cの混合粉よりなる成形体をSiの融点以上の温度で熱処理して仮焼体を作製し、該仮焼体にSiの融点以上の温度で溶融Siを含浸させてSi-SiC材料を作製することを特徴とするSi-SiC材料の製造方法である。 - 特許庁
  • In the syllable /si/, the /s/ sibilates in Japanese
    /si/音節において、日本語では歯擦音/s/を発する - 日本語WordNet
  • a former unit of electric current (slightly smaller than the SI ampere)
    電流の以前のユニット（SIアンペアより少し小さい） - 日本語WordNet
  • the SI unit of energy absorbed from ionizing radiation
    電離放射線から吸収されるエネルギーのSIの単位 - 日本語WordNet
  • The SI system of units uses prefixes that indicate powers of ten.
    SI 単位系では 10 の累乗を示す接頭語を用いる。 - JM
  • Physical quantities shall be expressed in the SI or CGS system of units.
    物理量は，SI又はCGS単位系により表わすものとする。 - 特許庁
  • The Zn-Al alloy can also contain Cu, Mg, Si, Ag, etc., besides Zn and Al.
    Zn-Al合金は、Zn，Al以外に、Cu，Mg，Si，Ag等を含むこともできる。 - 特許庁
  • An Ar^+ ion is implanted into a substrate 1 compound of crystalline Si.
    結晶Siからなる基板１に、Ar^+イオンの注入を行う。 - 特許庁
  • The program information is generated by an SI/EPG data generator 17.
    SI/EPGデータジェネレータ１７は、番組情報を生成する。 - 特許庁
  • The inequality (1) is denoted by 1.5 (%Mn)-2≤(%Si)≤2(%Mn).
    記 1.5 (％Mn）−２ ≦（％Si) ≦ ２（％Mn） ----（１） - 特許庁
  • The atom ratio (Ca/Si) of Ca to Si is ≥1.
    ＣａとＳｉとの原子比（Ｃａ／Ｓｉ）は、１以上である。 - 特許庁
  • Si(at.%)≤0.5, etc. (1) (wherein *at.% is element %).
    ０≦Ｆ(at ％)/Si(at ％) ≦0.5 ・・・・・(1) *at ％：元素％ - 特許庁
  • A preferred chemical precursor contains one or more N-Si bonds.
    好適な化学前駆体が一つ以上のN‐Si結合を含む。 - 特許庁
  • The value of γp(%) satisfies 20 to 65%, which is calculated by formula (1): γp=420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti]+189, wherein [ ] denotes mass%.
    γp ＝420X[C]+470X[N]+23X[Ni]+12X[Cu]+7X[Mn]-11.5X([Cr]+[Si])-52X[Al]-49X[Ti] +189 ……(1) 。 - 特許庁
  • This negative electrode material is formed of particles including the Si phase and the SiC phase, and the Si phase contains the doping element and a part of the Si phase is exposed in a particle surface, and other parts of the Si phase except for the part exposed in the particle surface are in contact with the SiC phase.
    この負極材料は、Si相とSiＣ相とを含む粒子からなり、Si相が前記ドープ元素を含み、Si相の一部が粒子表面に露出し、かつSi相の粒子表面に露出している部分以外はSiＣ相と接している。 - 特許庁
  • METHOD FOR PRODUCING COMPOUND HAVING SI-SI BOND
    Ｓｉ−Ｓｉ結合を有する化合物の製造方法 - 特許庁
  • This high-strength steel sheet includes 1.0% or more Si+Mn as a component composition.
    成分組成として、Si+Mn：1.0%以上を含有する。 - 特許庁
  • The film is attached by using an organic silicon compound precursor so as to allow a residual film to comprise a backbone structure substantially comprising a Si-O-Si or Si-N-Si group and an organic side group bonded to the backbone structure.
    フィルムは、残基フィルムがSi-O-Si又はSi-N-Si基から実質的になるバックボーン構造及び前記バックボーン構造に結合している有機側基からなるように、有機ケイ素化合物プリカーサーを使用して付着する。 - 特許庁
  • METHOD FOR MANUFACTURING Si THIN FILM, Si THIN FILM, AND SOLAR BATTERY
    Ｓｉ薄膜の作製方法、Ｓｉ薄膜、及び太陽電池 - 特許庁
  • The phosphate-based zeolite catalyst meets conditions of: a particle size<1 μm; and the particle size (μm)×[Si/(Si+Al+P)]×1,000≤80, wherein [Si/(Si+Al+P)] is a molar ratio.
    粒径＜1μm；及び 粒径(μm)×[Si/(Si＋Al＋P)]×1000≦80；（式中、[Si/(Si＋Al＋P)]はモル比である）の条件を満たすリン酸塩系ゼオライト触媒により上記課題を解決することができる。 - 特許庁
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