「Si」を含む例文一覧(9137)
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以上の各構成要素は１枚のSi基板上に作成されている。 - 特許庁 - To provide a method and a device for forming an HSG-Si layer in a wafer.
ウェーハにHSG-Si層を形成するための方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - The magnetic sheet for the RFID antenna comprises at least one kind of amorphous alloy selected from the group consisting of Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B and Co-Fe-Si-B.
本発明に係るＲＦＩＤアンテナ用磁性シートは、Fe-Si-B、Fe-Si-B-Cu-Nb、Fe-Zr-B及びCo-Fe-Si-Bからなる群から選択される少なくとも１種の非晶質合金を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To provide an Si-added high strength steel sheet having excellent phosphate treatability by controlling Si based oxides produced on the surface of the Si-added steel sheet having phosphate treatability remarkably inferior to that of soft steel.
軟鋼よりも遥かにリン酸塩処理性が劣るSi添加鋼に対し、鋼板表面に生成するSi系酸化物を制御することで、リン酸塩処理性に優れたSi添加高強度鋼板を提供する。 - 特許庁 - Semantic information network components include a semantic information switch (SI-SW), a semantic information router (SI-R), a semantic information gateway (SI-GW), an event place, and a session.
意味情報ネットワークのネットワーク構成要素には、意味情報スイッチ(SI-SW)、意味情報ルータ(SI-R)、意味情報ゲートウエイ(SI-GW)、イベントプレース、セッションなどがある。 - 特許庁 - Then local nucleation is promoted at the upper part of the Si melt by inserting a seed crystal or a coolant in the Si melt from above the Si melt, or by conducting local cooling.
次に、Si融液の上部からSi融液中に種結晶や冷媒を挿入または局所冷却を行うことにより、Si融液上部で局所的な核形成を促進する。 - 特許庁 - The Si oxide film 6/Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G and the anti-reflection film F are separated by a gap between the poly-Si transfer electrode 7 and the other poly-Si transfer electrode 7.
ONOゲート絶縁膜G内のSi酸化膜6/Si窒化膜5及び反射防止膜Fは、ポリSi転送電極7と他のポリSi転送電極7との間のギャップ部分で切り離している。 - 特許庁 - Thereafter the Si crystal ingot is grown by crystallizing from the upper part to the lower part of the Si melt by cooling the ingot while maintaining proper temperature distribution, and the remaining Si melt is discharged to outside the crucible on the way of crystal growth or at the final stage.
しかる後、適切な温度分布を保ったまま冷却を行い、Si融液の上部から下部へSi結晶インゴットを結晶成長させ、結晶成長の途中または最終段階で、残留するSi融液をルツボ外に排除する。 - 特許庁 - The steel has a coating of a surface treating agent with 5 to 50 μm film thickness on its surface, the agent containing Si-containing iron powder by 15 to 75% of the solid content by mass ratio, so as to form a dense rust (Fe_2SiO_4) layer containing Si by the reaction of eluted Fe ions and Si ions.
質量比で、固形分の15〜75％のSi含有鉄粉を含む表面処理剤の被覆を５〜50μｍの膜厚で表面に備え、溶出したFeイオンおよびSiイオンを反応させて、Siを含む緻密なさび(Fe_2SiO_4）層を生成させる。 - 特許庁 - A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.
単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁 - Generation of Si nodules is prevented by depositing an Al3Ti film, having a high solid solubility of Si and an Al film in layer and heat treating at 400°C or above, thereby absorbing excess Si to the Al3Ti film.
Siの固容量の大きいAl3Ti膜をAl膜と積層するように堆積して、400℃以上の熱処理を加えることにより、過剰なSiをAl3Ti膜に吸収させることでSiノジュールの発生を防止する。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for refining Si efficiently performing refining of low-purity Si to high-purity Si so as to produce solar cell-grade Si from metal-grade Si, and an apparatus for producing a refined Si film.
金属級Ｓｉから太陽電池級Ｓｉを製造すべく、低純度Ｓｉから高純度Ｓｉへの精製を効率良く行い得るＳｉ精製方法、Ｓｉ精製装置及びＳｉ精製膜製造装置を提供する。 - 特許庁 - In the method, two Si lumps of a first solid Si lump 10 and a second solid Si lump 12 are brought into contact via a Ge material 14 which is brazing filler metal and are joined by brazing and soldering using pulsed laser.
固体状態の第1のSi塊10及び第2のSi塊12の2つのSi塊を、鑞材であるGe材14を介して接触させて、パルスレーザによる鑞接によって接着する方法である。 - 特許庁 - The magnetic material comprises an Fe alloy magnetic material (containing Fe as a primary component and Si, Al (or Cr), etc. added thereto), such as an Fe-Si-Al-based or Fe-Si-Cr-based material, and phosphorous of 0.2 to 0.5 wt.% added to the Fe alloy magnetic material.
本発明の一実施の形態に係る磁性材は、Fe-Si-Al系、またはFe-Si-Cr系等の、（Feを主成分として、Si、Al（またはCr）等を添加した）Ｆｅ系合金磁性材に、P（リン）が０．２〜０．５w％添加されて構成される。 - 特許庁 - To provide a method for joining a component and a Si substrate by heating, to a high temperature, a limited narrow area only of the interface between the joint surface of the component made of a Si lump as a base material and the joint surface of the Si substrate.
素子を形成するSi塊母材で形成された素子の接着面とSi基板の接着面とが接する界面の限られた狭い領域のみを高温にすることによって、素子とSi基板とを接着する。 - 特許庁 - The semantic information-oriented network includes as network constituents: a semantic information switch (SI-SW), a semantic information router (SI-R), a semantic information gateway (SI-GW), event place and a session, etc.
意味情報ネットワークのネットワーク構成要素には、意味情報スイッチ(SI-SW)、意味情報ルータ(SI-R)、意味情報ゲートウエイ(SI-GW)、イベントプレース、セッションなどがある。 - 特許庁 - The dust core contains a mixture of amorphous alloy powder of at least one selected from Fe-Si-B, Fe-Si-B-Cu-Nb, Fe-Zr-B and Co-Fe-Si-B and pure Fe powder having Fe exceeding 99.5% by mass.
Fe-Si-B、Fe-Si-B-Cu-Nb、Fe-Zr-B及びCo-Fe-Si-Bからなる群から選択される少なくとも１種の非晶質合金粉末と９９．５質量％超がＦｅの純Ｆｅ粉末が混合された圧粉磁心を用いる。 - 特許庁 - The structure comprises a first member 100 containing a compound between an element A except both Si and Ge, and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1), and a second member 101 containing one of the element A and Si_nGe_1-n (wherein 0≤n≤1).
Si及びGeの双方を除く元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)との間の化合物を含む第一の部材１００と、元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)のいずれか一方を含む第二の部材１０１とで構成される構造体。 - 特許庁 - The upper Si oxide film and the Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G are separated from the Si nitride film 9 inside the anti-reflection film F in a region over the P+-type channel blocking regions 12.
ONOゲート絶縁膜G内の上のSi酸化膜6及びSi窒化膜5と、反射防止膜Fの内のSi窒化膜9とをp^+型チャネル阻止領域12上の領域で切り離している。 - 特許庁 - To provide a hot rolled steel sheet in which workability is secured, and further, insular scale flaws are suppressed, regarding a high Si steel sheet added with Si so as to improve its workability and satisfying (5xP+Al)/Si≤0.728, and to provide its production method.
加工性を改善すべくSiを添加した、（5xP+Al）/Si≦0.728 を満足する高Si鋼板について、加工性を確保するとともに島状スケール疵を抑制した熱延鋼板とをその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Prior to the measurement of the steel product with unknown Si concentration, a calibration curve for determining Si concentration from a sensor output in a differential magnetic permeability used for the measurement is formed by use of a sample with known Si concentration.
Si濃度が未知の鋼材を測定する前に、まずSi濃度が既知のサンプルを用いて、測定に使用する微分透磁率におけるセンサ出力からSi濃度を求める校正線を作成する。 - 特許庁 - The oxidation-resistant coating method for a carbon/carbon composite material comprises (a) the step of coating the carbon/carbon composite material with Si and (b) the step of thermally treating the applied Si to impregnate it into the composite material to form a SiC layer and a Si layer successively.
(a)炭素/炭素複合材料上にSiを塗布する工程、及び(b)塗布されたSiを熱処理して、前記複合材料にSiを含浸させることにより、SiC層とSi層を順次形成する工程を含む炭素/炭素複合材料の耐酸化コーティング方法。 - 特許庁 - A film containing Ar in a Si oxide amorphous insulator film wherein a quantity of Ar in the film is 3% or more in an atomicity ratio for Si (Ar/Si≥3 at.%) is prepared.
Si酸化物アモルファス絶縁体膜中にＡｒを含有し、その膜中のＡｒ量がＳｉに対して原子数比で３％以上(Ar/Si ≧ 3 at.%)である膜を作製する。 - 特許庁 - An Si wafer conveying jig for conveying an Si wafer comprises a composite material of Si and an SiC powder of a surface, which includes a contact part of the Si wafer of a part or an entirety conveyed with an Si layer.
Ｓｉウェハを搬送する搬送治具であって、その治具が、Ｓｉウェハの接触部分を含む表面の一部または全部がＳｉ層で被覆されているＳｉとＳｉＣ粉末との複合材料からなることとしたＳｉウェハ搬送治具。 - 特許庁 - In an inspection process of crystallinity of a p-Si film 23, irradiation light Lout is emitted to the p-Si film 23 and an a-Si film 230 to acquire transmission images of the p-Si film 23 and the a-Si film 230.
ｐ−Ｓｉ膜２３の結晶化度の検査処理の際に、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０へ向けて照射光Ｌoutを照射し、ｐ−Ｓｉ膜２３およびａ−Ｓｉ膜２３０の透過画像を取得する。 - 特許庁 - When the area of the peak A is I_A, the area of the peak B is I_B and the molar number of Si originating in the silane compound contained in a coated magnetite particle of 1 g is M_Si, an equation denoted as I_A/(I_A+I_B)/M_Si has a value in the range of 25-45.
ピークＡの面積をＩ_A、ピークＢの面積をＩ_Bとし、被覆マグネタイト粒子１ｇ当たりに含まれるシラン化合物に由来するＳｉのモル数をＭ_Siとしたとき、Ｉ_A／（Ｉ_A＋Ｉ_B）／Ｍ_Siが、２５〜４５を満たす。 - 特許庁 - [wherein CRpre is a pre-AJC set cooling rate (°C/sec); LS is a line speed (mpm); Si% is the Si concentration (mass%) in a plating bath; and Ca% is the Ca concentration (mass%) in the plating bath].
0.9×CRpre≦CR≦1.1×CRpre・・・（A）ここに、CRpre=ｆ(Si%、Ca%）＝4.9×10^-3×LS×（659.05e−0.0096Si%＋500Ca%-577）CRpre：プレAJC設定冷却速度（℃/sec）LS：ラインスピード（mpm）Si%：めっき浴中Si濃度（質量%）Ca%：めっき浴中Ca濃度（質量%） - 特許庁 - A first cover member consisting of Si and a second cover member consisting of Si are joined directly on either side of the Si substrate 2.
Ｓｉから成る第１カバー部材３と、Ｓｉから成る第２カバー部材４とを、Ｓｉ基板２の両側で直接接合する。 - 特許庁 - CRYSTALLINE Si LAYER CONTAINING SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND CRYSTALLINE Si DEVICE USING CRYSTALLINE Si LAYER-CONTAINING SUBSTRATE
結晶性Ｓｉ層含有基板及びその製造方法、並びに結晶性Ｓｉ層含有基板を用いた結晶性Ｓｉデバイス - 特許庁 - The substrate can be a material such as silicon (Si)(100), Si(111), Si(110), quartz, glass, plastic, or zirconia.
上記基板は、シリコン（Ｓｉ）（１００）、Ｓｉ（１１１）、Ｓｉ（１１０）、石英、ガラス、プラスチック又はジルコニア等の材料である。 - 特許庁 - As such an anode material, a single Si, an alloy or a compound of Sn, or a single Si, an alloy, or a compound of Si can be cited.
このような負極材料としては、Ｓｎの単体，合金，あるいは化合物、またはＳｉの単体，合金，あるいは化合物などが挙げられる。 - 特許庁 - The component (B) is a silicon-containing polymer having Si-H group and having at least one bridging structure by an Si-O-Si bond.
（Ｂ）成分：Ｓｉ−Ｈ基を有し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合による橋かけ構造を一箇所以上有するケイ素含有重合体。 - 特許庁 - Preferably, the film with the Ar quantity in the insulator film of 17% or less in the atomicity ratio for Si (Ar/Si≤17 at.%) is prepared.
また望ましくは前記絶縁体膜中のＡｒ量が、Ｓｉに対して原子数比で１７％以下(Ar/Si ≦ 17 at.%)の膜を作製する。 - 特許庁 - PROCESS FOR PRODUCING Al-Mg-Si ALLOY PLATE, Al-Mg-Si ALLOY PLATE AND Al-Mg-Si ALLOY MATERIAL
Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金板の製造方法およびＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金板、ならびにＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金材 - 特許庁 - In a manufacturing process of an Si microphone 1, a lower sacrifice layer 30 formed of Al-Si is formed on the upper surface 29 of the Si substrate 2.
Ｓｉマイク１の製造工程において、Ｓｉ基板２の上面２９には、Ａｌ−Ｓｉからなる下部犠牲層３０が形成される。 - 特許庁 - An Si layer of the I/O region 15 is an Si epitaxial layer 18 whose thickness is larger than that of the Si layer 13 of the core region 14.
Ｉ／Ｏ領域１５のＳｉ層は、コア領域１４のＳｉ層１３より厚いＳｉエピタキシャル層１８である。 - 特許庁 - The SiC wafer 12 is bonded to the opposite Si wafer 14 at a predetermined position so as to be transferred from the Si wafer 18 to the Si wafer 14.
ＳｉＣウェハ１２は、Ｓｉウェハ１８からＳｉウェハ１４に転写されるように、対向するＳｉウェハ１４の所定位置に接着される。 - 特許庁 - A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.
前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁 - The surface of the multi-crystal Si film 6 is exposed by washing treatment, and then an amorphous Si film 7 is formed on the multi-crystal Si film 6.
洗浄処理により多結晶Ｓｉ膜６の表面が露出した状態にした後、多結晶Ｓｉ膜６上に非晶質Ｓｉ膜７を形成する。 - 特許庁 - RAW MATERIAL POWDER FOR Al-Si BASED ALLOY SINTERED COMPONENT, METHOD OF PRODUCING Al-Si BASED ALLOY SINTERED COMPONENT, AND Al-Si BASED ALLOY SINTERED COMPONENT
Ａｌ−Ｓｉ系合金焼結部品用原料粉末、Ａｌ−Ｓｉ系合金焼結部品の製造方法およびＡｌ−Ｓｉ系合金焼結部品 - 特許庁 - A hot-dip Al-Si alloy plated steel sheet having an Al-Si plated layer having an Si content in the range of 5 to 13 mass% is prepared.
Ｓｉ含有量が５〜１３質量％の範囲内のＡｌ−Ｓｉめっき層を有する溶融Ａｌ−Ｓｉ合金めっき鋼板を準備する。 - 特許庁 - To provide an Si substrate working method for accurately working an Si substrate using Si anisotropic dry etching.
Ｓｉ異方性ドライエッチングを用いて精度良くＳｉ基板を加工するＳｉ基板加工方法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, a bond between Si and C is broken, and Si and oxygen are bonded to each other and the film including Si and C is modified into an SiC film.
これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。 - 特許庁 - By this setup, the resistivity of the p-type layer containing Si can be reduced to 40 to 90% of that of a Si-free p-type layer.
これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90％に低減する。 - 特許庁 - A mole ratio [Si/Fe]_s of Si to Fe at the particle surface part with a high concentration of Si, is 0.004-1.
Ｓｉが高濃度である粒子表面部位におけるＳｉとＦｅとのモル比〔Ｓｉ／Ｆｅ〕_Sは０．００４〜１である。 - 特許庁 - Further, ferrite fraction Vf (area%) in a microstructure satisfies inequality 1.05 Vfe1≤Vf≤2.0 Vfe1 in relation with ferrite fraction Vfe1 specified by equation Vfe1=106.7-142.6[C]-0.256[Si]-4.219[Mn]
Vfe_1＝106.7−142.6[C]−0.256[Si]−4.219[Mn] ……（１） 但し、[C]，[Si]および[Mn]は、夫々Ｃ，ＳｉおよびＭｎの含有量（質量％）を意味する。 - 特許庁 - To provide a composite treating device which continuously subjects a film-like long-sized substrate to deposition of a-Si and p-Si chemical conversion treatment of a-Si.
フィルム状の長尺基板に対して、ａ−Ｓｉの成膜とａ−Ｓｉのｐ−Ｓｉ化処理を連続的に行う複合処理装置を提供する。 - 特許庁 - Further, the a-Si layer is polycrystallized by first heat treatment, and a poly-Si layer 34 is formed of the a-Si layer.
さらに、第１の熱処理によりａ−Ｓｉ層を多結晶化して、ａ−Ｓｉ層からｐｏｌｙ−Ｓｉ層３４を形成する。 - 特許庁 - Thus the surface of the Si substrate 10, facing the etching system 102, is etched, and the thickness of the substrate 10 becomes smaller from its central part 10c (Fig. c).
こうして、Si基板１０のエッチング系統１０２に面した側がエッチングされ、中央部付近１０ｃからSi基板１０は薄くなっていく(c)。 - 特許庁 - Secret information sets S, T are dispersed by a threshold value dispersion method to obtain Si, Ti and the Si and a Ui (=g exponential (Ti/Si mod q)mod p) are delivered to terminal (i) (=1-5).
秘密情報Ｓ，Ｔを閾値分散法により分散して、Ｓ_iとＴ_iを求め、Ｓ_iとｕ_i(＝g^(Ｔ_i／Ｓ_i mod q)mod p)を端末ｉ（＝１〜５）に配送しておく。 - 特許庁
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