「Si」を含む例文一覧(9137)

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  • The vibration damping performance can be further improved by including 0.01 to 4 mass% of Si.
    Siを0.01質量％以上4質量％以下含有すると、更に、制振性を向上することができる。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a high Si-containing high tensile strength steel sheet excellent in a chemical conversion treatment property.
    化成処理性に優れた高Si含有高張力鋼板の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a simple method for manufacturing a strain Si-SOI substrate, wherein the surface of a strain Si layer is flat and has few defects.
    歪Ｓｉ層表面が平坦で欠陥が少ない歪Ｓｉ−ＳＯＩ基板を簡便に製造する。 - 特許庁
  • The carbon nanomaterial and Si are compatible, and Si and Mg are compatible, and further, Mg and Al are compatible.
    カーボンナノ材料とＳｉは相性がよく、ＳｉとＭｇとは相性がよい。 - 特許庁
  • To stably prevent the generation of surface flaws caused by red scales in an Si-contg. hot rolled steel sheet.
    含Si熱延鋼板において、赤スケールに起因した表面疵の発生を安定した防止する。 - 特許庁
  • Subsequently, an Si thin film 39 is grown epitaxially at the exposed part of the Si substrate 31.
    そして、Ｓi基板３１の露出部分にＳi細線３９をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING AN UNEVEN STRUCTURE IN COMPOUND INCLUDING Si-O-Si BOND, AND TO PROVIDE DEVICE
    Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物への凹凸構造の形成法及びデバイス - 特許庁
  • SI WAFER WITH ROUGHENED SURFACE, AND METHOD OF ROUGHENING Si WAFER
    表面に凹凸を形成したＳｉウェーハおよびＳｉウェーハ表面の凹凸形成方法 - 特許庁
  • There is disclosed agglomerates of faujasite X with an Si/Al ratio of 1.
    本発明はSi／Al比が１であるフォージャサイトＸの凝集塊に関するものである。 - 特許庁
  • Scattered light, caused by roughness of Si or a metal film surface, has high distribution on its rear side.
    Siや金属膜表面のラフネスで発生する散乱光は後方側に強い分布を持つ。 - 特許庁
  • METHOD FOR DEPOSITING POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, POLYCRYSTALLINE SI THIN FILM, PHOTOVOLTAIC ELEMENT AND TARGET
    多結晶Ｓｉ薄膜の堆積法、多結晶Ｓｉ薄膜及び光起電力素子並びにターゲット - 特許庁
  • MATERIAL FOR FORMING Si-CONTAINING FILM, Si-CONTAINING FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
    Ｓｉ含有膜形成材料、Ｓｉ含有膜及びその製造方法、並びに半導体デバイス - 特許庁
  • For example, a-Si film 13 and n^+-type a-Si film 15 accomplish the bank.
    例えば、ａ−Ｓｉ膜１３とｎ＋型ａ−Ｓｉ膜１５とがバンクを成している。 - 特許庁
  • A support member 21 for supporting the Si layer 5 is then formed, to be extended from the interior of the groove h onto the Si layer 5.
    次に、Ｓｉ層５を支持する支持体２１を溝ｈ内からＳｉ層５上にかけて形成する。 - 特許庁
  • MANUFACTURING METHOD OF μc-Si OR POLYCRYSTALLINE Si PHOTOVOLTAIC CELL, AND PHOTOVOLTAIC CELL
    μｃ−Ｓｉ又は多結晶Ｓｉ太陽電池の製造方法及び太陽電池 - 特許庁
  • Then a gel film is obtained, by uniformly applying the hafnia sol solution to the surface of an Si wafer by the spinner method (500 rpm/5 seconds to 2,000 rpm/30 seconds).
    このゾル液をSiウェハにスピンナー法（500rpm/5秒→2000rpm/30秒）により均一に塗布してゲル膜を得る。 - 特許庁
  • This heat equalization material consists of an Si-SiC composite material comprising Si and powdery SiC.
    ＳｉとＳｉＣ粉末とからなるＳｉ−ＳｉＣ複合材料からなることとしたヒーター用均熱材。 - 特許庁
  • The coating layer consists of a material containing Si and has a thickness of 3 to 100 μm.
    この被覆層は、Siを含有する材料で構成され、厚さが3〜100μｍである。 - 特許庁
  • A tensile strain Si channel layer 13 is formed on the surface of the Si-Ge layer 12.
    Ｓｉ−Ｇｅ層１２の表面には引っ張り歪みＳｉチャネル層１３が形成されている。 - 特許庁
  • An a-Si film 12 is heat treated to form an a-Si film 12a in which nuclei are generated.
    ａ−Ｓｉ膜１２に加熱処理を行って、結晶核が発生したａ−Ｓｉ膜１２ａを形成する。 - 特許庁
  • To provide a working method of a high-strength member having a higher Si-content than 0.7 mass%.
    0.7質量％を超える高Si含有高強度部材の加工方法を提供する。 - 特許庁
  • A network ID acquisition part 242 obtains a value of "network_id" in an NIT (Network Information Table) included in the SI data.
    ネットワークID取得部２４２は、SIデータに含まれるNITの中の「network_id」の値を取得する。 - 特許庁
  • The ingot magnetic steel sheet is preferable to have the characteristic of Si≥0.01 mass%, plate thickness≤1.0 mm, and Hv≥105.
    溶製電磁鋼板は、Si≧0.01mass％、板厚≦1.Omm、Hv≧105の特性を有することが好ましい。 - 特許庁
  • the [SI] unit of force, called newton
    ニュートンという力の国際単位系組立単位 - EDR日英対訳辞書
  • object-specific hardware error The following values can be placed in si_code for a SIGTRAP
    オブジェクト固有のハードウェアエラーSIGTRAP - JM
  • process trace trap The following values can be placed in si_code for a SIGCHLD
    プロセスのトレース・トラップSIGCHLD - JM
  • stopped child has continued (since Linux 2.6.9) The following values can be placed in si_code for a SIGPOLL
    停止していた子プロセスが再開した (Linux 2.6.9 以降)SIGPOLL - JM
  • Tadaoki HOSOKAWA and Hidekazu HASEGAWA versus Kim Si-min and Kwoak Che-u
    細川忠興、長谷川秀一対金時敏,郭再祐 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • As the semimetals, C, B, P, Si, As, Te, Ge, Sb, or the like, are exemplified.
    半金属としてはＣ，Ｂ，Ｐ，Ｓｉ，Ａｓ，Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂ等が例示される。 - 特許庁
  • The mirror includes a multilayer structure including an Mo/Si alternation layer.
    該ミラーは、Ｍｏ／Ｓｉ交互層を含む多層構造を含む。 - 特許庁
  • Cu-Ni-Si-Zn BASED COPPER ALLOY
    Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｚｎ系銅合金 - 特許庁
  • Cu-Ni-Si-Mg BASED COPPER ALLOY STRIP
    Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｍｇ系銅合金条 - 特許庁
  • Al-Mg-Si-BASED ALUMINUM ALLOY SHEET
    Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系アルミニウム合金板 - 特許庁
  • Cu-Ni-Si BASED COPPER ALLOY SHEET FOR Sn PLATING
    Ｓｎめっき用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板材 - 特許庁
  • Cu-Ni-Si BASED COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL
    電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金 - 特許庁
  • Cu-Ni-Si-BASED COPPER ALLOY SUPERIOR IN HOT WORKABILITY
    熱間加工性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金 - 特許庁
  • Cu-Ni-Si-Co BASED COPPER ALLOY FOR ELECTRONIC MATERIAL
    電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ系銅合金 - 特許庁
  • Cu-Si BASED COPPER ALLOY SHEET MATERIAL EXCELLENT IN MACHINABILITY
    被削性に優れるＣｕ−Ｓｉ系銅合金板材 - 特許庁
  • The piezoelectric thin film resonator includes an Si substrate 12.
    圧電薄膜共振子１０はＳｉ基板１２を含む。 - 特許庁
  • Si-BASED ALLOY NEGATIVE ELECTRODE MATERIAL AND LITHIUM-ION BATTERY
    Ｓｉ系合金負極材料およびリチウムイオン電池 - 特許庁
  • Cu-Ni-Si-BASED COPPER ALLOY AND ITS MANUFACTURING METHOD
    Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金及びその製造方法 - 特許庁
  • The piezoelectric resonator 10 includes a {100} Si substrate 12.
    圧電共振子１０は｛１００｝Ｓｉ基板１２を含む。 - 特許庁
  • PRECIPITATION-HARDENING TYPE Al-Si BASED ALUMINUM ALLOY CASTING
    析出硬化型Ａｌ−Ｓｉ系アルミニウム合金鋳物 - 特許庁
  • CONTINUOUS CASTING METHOD OF Al-Si-BASED ALUMINUM ALLOY
    Ａｌ−Ｓｉ系アルミニウム合金の連続鋳造方法 - 特許庁
  • A plasma, an excimer laser 4 or an ion beam is irradiated on a silicon oxide or nitride film to cut coupling of Si-O or Si-N.
    プラズマ、エキシマレーザ、イオンビームなどを酸化シリコン膜もしくは窒化シリコン膜状に照射することによって、Si-OもしくはSi-Nの結合を切断することができる。 - 特許庁
  • Al-Mg-Si TYPE ALUMINUM COMPOUND EXTRUSION MATERIAL
    Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系アルミニウム合金押出形材 - 特許庁
  • Si-DOPED GALLIUM ARSENIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
    Ｓｉ添加砒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁
  • An Nb-Al-Si intermetallic compound containing 20 atomic % Al and 47 atomic % Si, forming a dense alumina protective film on the surface in a high temperature atmosphere and excellent in oxidation resistance, is obtained.
    Alを20原子%、Siを47原子%含有し、高温大気中において表面に緻密なアルミナ保護膜を形成し、耐酸化性に優れるNb-Al-Si系金属間化合物を得る。 - 特許庁
  • HIGHLY OXIDATION RESISTANT Nb-Al-Si INTERMETALLIC COMPOUND
    高耐酸化性Ｎｂ−Ａｌ−Ｓｉ系金属間化合物 - 特許庁
  • The joining film 3 is a film containing Si skeletons having random atom structures containing siloxane (Si-O) bonds, and releasing groups bonded to the Si skeletons, and the crystallinity of the Si skeletons is ≤45%.
    このような接合膜３は、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含みランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、このＳｉ骨格に結合する脱離基とを含む膜であり、かつＳｉ骨格の結晶化度は４５％以下である。 - 特許庁
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