「ashing」を含む例文一覧(598)

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  • ASHING APPARATUS
    アッシング装置 - 特許庁
  • ASHING METHOD
    アッシング方法 - 特許庁
  • ASHING METHOD AND ASHING DEVICE
    アッシング方法及びアッシング装置 - 特許庁
  • ASHING DEVICE AND ASHING METHOD
    アッシング装置及びアッシング方法 - 特許庁
  • DRY ASHING APPARATUS
    ドライアッシング装置 - 特許庁
  • ASHING METHOD AND ASHING DEVICE
    アッシング方法およびアッシング装置 - 特許庁
  • wet ashing method
    湿式灰化法 - Weblio英語基本例文集
  • ASHING TREATMENT APPARATUS
    灰化処理装置 - 特許庁
  • PLASMA ASHING DEVICE
    プラズマアッシング装置 - 特許庁
  • ASHING METHOD
    アッシング処理方法 - 特許庁
  • PLASMA ASHING METHOD
    プラズマアッシング方法 - 特許庁
  • METHOD OF PLASMA ASHING
    プラズマアッシング方法 - 特許庁
  • ASHING DEVICE AND ASHING METHOD
    アッシング処理装置およびアッシング処理方法 - 特許庁
  • ETCHING AND ASHING APPARATUS, ASHING APPARATUS, AND ASHING AND TREATMENT METHODS
    エッチング兼アッシング装置、アッシング装置、アッシング方法及び処理方法 - 特許庁
  • METHOD FOR ASHING RESIST
    レジストのアッシング方法 - 特許庁
  • ASHING PROCESSING METHOD AND ASHING TREATMENT APPARATUS
    アッシング処理方法およびアッシング処理装置 - 特許庁
  • METHOD AND DEVICE FOR ASHING
    アッシング方法および装置 - 特許庁
  • CLEANING METHOD FOR ASHING RESIDUAL
    アッシング残渣の洗浄方法 - 特許庁
  • ASHING METHOD AND EQUIPMENT THEREFOR
    アッシング方法及びその装置 - 特許庁
  • RESIST ASHING METHOD AND DEVICE
    レジスト灰化方法及び装置 - 特許庁
  • ASHING METHOD, ASHING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    アッシング方法、アッシング装置、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
  • METHOD FOR ASHING RESIST FILM, ITS ASHING CONDITION CALCULATING SYSTEM AND DEVICE FOR ASHING THE RESIST FILM
    レジスト膜のアッシング方法及びそのアッシング条件算出システム、並びに、レジスト膜のアッシング装置 - 特許庁
  • DETERGENT FOR PHOTORESIST ASHING RESIDUE
    フォトレジストアッシング残滓洗浄剤 - 特許庁
  • PHOTORESIST ASHING RESIDUAL CLEANING AGENT
    フォトレジストアッシング残さ洗浄剤 - 特許庁
  • METHOD AND SYSTEM FOR ASHING
    アッシング方法及びアッシング装置 - 特許庁
  • SYSTEM AND METHOD FOR ASHING
    アッシング装置およびアッシング方法 - 特許庁
  • DRY ASHING METHOD FOR ASHING TiN LAYER WITHOUT ISOTROPIC ETCHING
    TiN層を等方性エッチングなしにアッシングするドライアッシング方法 - 特許庁
  • CLEANING AGENT FOR RESIDUE FROM PHOTORESIST ASHING
    フォトレジストアッシング残滓洗浄剤 - 特許庁
  • PLASMA TREATMENT APPARATUS AND ASHING METHOD
    プラズマ処理装置及びアッシング方法 - 特許庁
  • ASHING TREATMENT EQUIPMENT AND TREATING METHOD
    アッシング処理装置および処理方法 - 特許庁
  • PLACEMENT TABLE AND PLASMA ASHING TREATMENT EQUIPMENT
    載置台およびプラズマアッシング処理装置 - 特許庁
  • In a resist ashing process, a substrate 11 where an opening part 14b are formed is put in an ashing chamber of an ashing device.
    レジストアッシング工程において、開口部14bが形成された基板11をアッシング装置のアッシング室に投入する。 - 特許庁
  • To reduce energy necessary for oxidation and ashing.
    酸化やアッシングのエネルギーを低減する。 - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS FOR PLASMA ASHING
    プラズマアッシング方法及びプラズマアッシング装置 - 特許庁
  • To provide an ashing system wherein variations in ashing rate over time are suppressed.
    アッシングレートの経時変化を抑制することができるアッシング装置を提供すること。 - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS FOR ASHING CIRCUIT BOARD
    回路基板のアッシング方法及びその装置 - 特許庁
  • ASHING PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
    アッシング処理方法及び基板処理方法 - 特許庁
  • RESIST ASHING METHOD OF CHROME MASK AND APPARATUS THEREOF
    クロムマスクのレジストアッシング方法および装置 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR MANUFACTURE DEVICE AND ASHING METHOD
    半導体製造装置およびアッシング方法 - 特許庁
  • Then the pattern 2 is removed through ashing.
    その後、パターン2をアッシングにより取り除く。 - 特許庁
  • ASHING APPARATUS AND REMOVAL OF ORGANIC FILM
    アッシング装置および有機膜の除去方法 - 特許庁
  • The resist mask 7 is removed by ashing, using a plasma produced from O2 ashing gas doped with an F-containing gas.
    レジストマスク7を、Fを含むガスを添加したO_2アッシングガスのプラズマを用いて、アッシング除去する。 - 特許庁
  • To overcome the problem of an ashing rate slowing down, when using the same vessel as that for etching, and residues remaining, when using an etching container for ashing, as it is.
    エッチングと同一の容器を用いてアッシングを行うとアッシングレートが遅くなる。 - 特許庁
  • Successively, ashing processing is performed by plasma including oxygen.
    続いて酸素を含むプラズマで灰化処理する。 - 特許庁
  • Then, the resist film 8 is removed by ashing.
    次に、レジスト膜8をアッシングによって除去する。 - 特許庁
  • ASHING DEVICE AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFER
    半導体ウェハのアッシング装置及びアッシング方法 - 特許庁
  • Before ashing, the uniformity of the ashing rate within a wafer surface is monitored.
    アッシング処理の前にサンプルウエハ上のレジスト層をアッシングしてウエハ面内のアッシング速度均一性をモニタする。 - 特許庁
  • Then the photoresist mask 24 is removed by ashing.
    次に、アッシングによりフォトレジストマスク24を除去する。 - 特許庁
  • Size of the resist pattern 4 is controlled by ashing.
    レジストパターン4をアッシングによりサイズを制御する。 - 特許庁
  • SUBSTRATE CARRIER, SUBSTRATE CARRYING METHOD, HAND MECHANISM FOR CARRYING SUBSTRATE, ASHING APPARATUS AND ASHING METHOD
    基板搬送装置、基板搬送方法、基板搬送用ハンド機構、灰化処理装置及び灰化処理方法 - 特許庁
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