「ashing」を含む例文一覧(598)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 次へ＞- In this method, after the insulation film on the barrier layer is etched, the treatment vessel is cleaned before ashing the resist.
本発明のプラズマ処理方法は、バリア層上の絶縁膜をエッチングした後で、レジストのアッシング前に、処理容器内のクリーニングを行う。 - 特許庁 - To provide a wide area radio frequency plasma source suitable for simultaneously ashing or etching multiple semiconductor substrates.
複数の半導体基盤に同時にアッシングまたはエッチング処理を行うのに最適な広域高周波プラズマ供給源を提供する。 - 特許庁 - High rate processing is made possible even for the radical ashing by implementing the second process by raising the temperature of the substrate to be processsed.
これにより、被処理基板温度を上昇させて第二の工程を行うことでラジカルのアッシングでも高レートの処理を可能とする。 - 特許庁 - The salt of hydrofluoric acid and a metal ion-free base, hydroxylamine and water are blended to obtain the objective treating solution composition after ashing.
フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩、ヒドロキシルアミン、および水を配合させてアッシング後の処理液組成物とする。 - 特許庁 - To provide an oxygen-free hydrogen plasma ashing process that is particularly useful for low-k dielectric materials, based on hydrogenated silicon oxycarbide materials.
水素化シリコンオキシカーバイド材料に基づく低−ｋ誘電体材料に特に有用な酸素フリーの水素プラズマアッシングプロセスを提供する。 - 特許庁 - The residue removing liquid of the copper deteriorated layer contains copper oxide damaged by dry etching and/or ashing consisting of monocarboxylic acid and water.
モノカルボン酸と水からなるドライエッチング及び／又はアッシングによる損傷を受けた、銅酸化物を含む銅変質層の残渣除去液。 - 特許庁 - To uniformly strip a resist on a wafer surface, while keeping the wafer temp. uniform at a low temp. in a single-wafer processing plasma ashing developing apparatus.
枚葉式プラズマアッシング現像装置において、低温で均一にウェハ１０の温度を保ちウェハ面のレジストを一様に剥離する。 - 特許庁 - To provide a rinsing solution used particularly for rinsing a substrate after the treatment of residue on ashing with a removing solution in the treatment of the substrate subjected to ashing after dry etching through a photoresist pattern formed on the substrate as a mask and a method for treating a substrate with the rinsing solution.
特に、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとしてドライエッチング、アッシングが施された基板の処理において、該アッシング後の残渣物を剥離液で処理した後の基板の洗浄（リンス）に用いられるリンス液およびこれを用いた基板の処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for regeneration of a filter of a coal gasifier which enables complete ashing of char captured with the filter in a safe state by controlling the concentration of oxygen of the ashing gas and the temperature of the filter always at appropriate values and reduction of the time for regeneration of the filter.
灰化ガスの酸素濃度及びフィルタの温度を常時適正値に制御して、該フィルタに捕獲されたチャーを安全な状態でかつ完全に灰化せしめるとともに、フィルタ再生時間を短縮し得る石炭ガス化装置におけるフィルタの再生方法及びその装置を提供する。 - 特許庁 - The present invention relates to: the fluorine-containing elastomer, in which the content of metal remaining after ashing is 50 ppm or lower; a composition that contains the fluorine-containing elastomer and a vulcanizing agent; and the molded article of the fluorine-containing elastomer, obtained by vulcanizing the composition, in which the content of the metal remaining after ashing is 50 ppm or lower.
灰化した後に残存する金属含有量が５０ｐｐｍ以下の含フッ素エラストマー、該含フッ素エラストマーと加硫剤を含む組成物、さらには該組成物を加硫して得られ、灰化した後に残存する金属含有量が５０ｐｐｍ以下である含フッ素エラストマー成形品。 - 特許庁 - This method for peeling the resist left on a substrate 5 after dry etching includes a step of dry ashing the resist left on the substrate 5 and a step of wet-peeling the resist left on the substrate 5 after dry ashing with ozone water excited by ultraviolet rays.
ドライエッチング後に、基板に残留するレジストを除去するレジスト剥離方法において、上記基板５に残留するレジストをドライアッシングする工程と、ドライアッシングによって基板に残留するレジストを紫外線で励起されたオゾン水によってウエット剥離する工程とを具備する。 - 特許庁 - To solve the problem of undesired effects imposed on an object of plasma processing by plasma, developed during the ashing process from by-products of etching such as an F-containing by-product deposited on processing chamber inner walls or on parts inside the chamber, in case etching and ashing are implemented in one and the same processing chamber.
エッチングとアッシングを同一処理容器内で行なうと、エッチングによる副生成物、例えばＦを含有する副生成物が処理容器の内壁や内部部品に付着し、この付着物がアッシング工程中にプラズマ化し、このプラズマが被処理体に作用して思わしくない影響を及ぼす。 - 特許庁 - Pressure in a chamber rises by the start of plasma ashing and the valve travel of a CV valve for adjusting the pressure in the chamber is adjusted.
プラズマアッシングの開始によりチャンバ内の圧力が上昇して、チャンバ内の圧力を調整するためにＣＶバルブの開度が調整される。 - 特許庁 - A substrate 9 is transported from an ashing chamber 32 to a washing chamber 4 by a transportation robot 11 in a transportation chamber 1 and washed.
搬送チャンバー１内の搬送ロボット１１により、アッシングチャンバーチャンバー３２から洗浄チャンバー４に基板９が搬送されて洗浄される。 - 特許庁 - As a method for projecting the CNT on the surface, polishing is used here, but dry etching, ashing, or processing using chemicals is applicable.
ＣＮＴを表面に突出させる方法としては、ここでは研磨を用いたが、その他、ドライエッチングやアッシング、薬液による処理でもかまわない。 - 特許庁 - A substrate W is transferred between a plasma ashing chamber and first to third liquid-phase treatment chambers in prescribed order by means of a processor robot.
プロセッサロボットにより、プラズマアッシング室と第１ないし第３の液相処理室との間で所定の順序で基板Ｗの搬送を行なう。 - 特許庁 - To solve a problem of time-increase required for ashing due to difficult separation of resist on a periphery section of a substrate when conducting ion implantation with the resist as a mask.
レジストをマスクとしてイオン注入を行うと、基板外周部のレジストが剥離されにくくなり、アッシングに要する時間が増大する。 - 特許庁 - After forming a resist layer on the substrate surface, the resist layer is thinned by a leaf ashing to leave the resist layers 20A, 20B.
基板上面にレジスト層を形成した後、このレジスト層を枚葉式のアッシング処理により薄くしてレジスト層２０Ａ，２０Ｂを残存させる。 - 特許庁 - Then the hole pattern 106 and the trench pattern 107 are formed to a midway depth of the second insulation film 104 and ashing and polymer elimination are carried out.
次に、ホールパターン１０６およびトレンチパターン１０７を、第２の絶縁膜１０４の途中の深さまで形成し、アッシングやポリマー除去を行う。 - 特許庁 - As the indirect monitoring means, such performance is executed that the opening of an APC valve 130 is monitored, and the reduced ashing gas is estimated and fed.
間接的にモニタする手段として、ＡＰＣバルブ１３０の開度をモニタリングし、減少したアッシングガスを予測し、アッシングガスを供給する。 - 特許庁 - To provide a resist stripping agent compound with satisfactory characteristics in exfoliating a remainder of resist generated by etching or ashing under severe conditions.
より、過酷な条件下のエッチング、アッシング等により形成されたレジスト残渣物の剥離性能に優れたレジスト剥離剤組成物を提供すること。 - 特許庁 - Further, a dry-ashing process is performed to reform surfaces of the plating resists 22a, 22b, 23a, 23b with these resists wholly left over thereupon, and an electrolytic copper plating process is performed to form wiring-pattern layers 28a, 29a at the openings of the plating resists 22a, 22b, 23a, 23b.
この後、電解銅めっきを行ってめっきレジスト２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂの開口部に配線パターン層２８ａ，２９ａを形成する。 - 特許庁 - In the method for removing a resist film applied to the surface of a substrate, the resist film is removed from the surface of the substrate by ashing.
基板表面に塗布されたレジスト膜の除去方法であって、酸素プラズマによるアッシングにより基板表面のレジスト膜の除去を行なう。 - 特許庁 - By the fluorine treatment, the resist pattern deteriorated by irradiation of the ions is converted into substance suitable for removal treatment by the ashing.
上記フッ素処理によって、イオンの照射により変質したレジストパターンは、上記アッシングによる除去処理に適した物質へ変換される。 - 特許庁 - To provide a method for peeling resist by which such a resist not removable completely by dry ashing can be removed surely and efficiently.
この発明はドライアッシングでは除去しきれないレジストを効率よく確実に除去できるようにしたレジスト剥離方法を提供することにある。 - 特許庁 - To provide an ashing apparatus having a novel structure that suppresses the generation of Si digging defect without a drop in throughput.
アッシング装置に関し、スループットを低下させることなくＳｉ掘られ欠陥の発生を抑制することが可能な新規な構成を提供する。 - 特許庁 - Then after half-ashing a resist mask 107 formed with bumps, an altered layer removing process is performed for removing an altered layer 108.
次に、段状に形成されたレジストマスク１０７を途中までアッシングした後、変質層１０８を除去する変質層除去工程を行う。 - 特許庁 - Thereafter, second contact holes 44 and first contact holes 28 are formed through the insulating layer 42 and a gate insulating film 26 by ashing the mask pillars 40.
次に、マスクピラー４０をアッシングして除去し、絶縁層４２、ゲート絶縁膜２６を貫通させた第２コンタクトホール４４、第１コンタクトホール２８を形成する。 - 特許庁 - The process of ashing the surface of the target material is to remove various reaction products generated in the plasma chamber and sticking on the surface of the target material.
ターゲット材の表面のアッシング工程は、プラズマチャンバ内で生成され、かつターゲット材の表面に付着した各種反応生成物の除去を目的とする。 - 特許庁 - To restrain the flange part of a quartz chamber from shaving off the inner surface of a packing, when the inside of the quartz is set to a vacuum state in an ashing apparatus.
アッシング装置において、石英チャンバー内を真空状態にする際、石英チャンバーのフランジ部が、パッキンの内面を削り取ってしまうことを抑制する。 - 特許庁 - The gas supply systems 12 are classified into H_2O single supply and other gases supply, as gas supply control into at least the ashing chamber 11.
ガス供給系１２は、少なくともアッシングチャンバ１１内へのガスの供給制御として、Ｈ_２Ｏ単独供給とそれ以外のガス供給とに分けられる。 - 特許庁 - Thereafter, using a resist 11 as a mask, the resist 11 is removed by the O_2 ashing after removal of the protective insulating film 10 in the silicide forming region AreaA.
その後、レジスト１１をマスクにして、シリサイド形成領域ＡｒｅａＡの保護絶縁膜１０を除去した後、レジスト１１をＯ_2アッシングによって除去する。 - 特許庁 - In a second dry etching step, dry etching is applied to the substrate for the master disk with the lower layer resist 11 as a mask and in a second ashing step, the lower layer resist 11 is removed.
第２のドライエッチング工程で、下層レジスト１１をマスクにして原盤用基板をドライエッチングし、第２のアッシング工程で、下層レジスト１１を除去する。 - 特許庁 - To provide a vacuum-treatment method by which ashing treatment can be carried out satisfactorily, even when deposits adhere to a substrate as a result of plasma treatment and the occurrence of residual resists can be prevented.
エッチング処理で基板に付着物が生じても良好にアッシング処理することができ、残留レジストを防止できる真空処理方法を提供する。 - 特許庁 - Further, the heat-treatment method in this invention is not limited to the ashing-treatment in the tail cylinder 1, but also, can be applied to the whole product needing the heat-treatment.
尚、本発明の熱処理方法は尾筒１における灰化処理だけに限らず、熱処理を必要とする製品全般に適用することができる。 - 特許庁 - To prevent the generation of a foreign matter during resist ashing after an interlayer insulation film for a via or wiring formation is opened and etched by a resist mask.
ビアや配線形成のために層間絶縁膜をレジストマスクにより開口エッチングした後、レジストアッシング中に異物が発生する事を抑制する。 - 特許庁 - Organic matters, e.g. the adhesive and the resist mask remaining on the glass substrate after etching are removed by ashing which causes neither contamination nor damage to the glass substrate.
エッチング後にガラス基板上に残る接着剤やレジストマスク等の有機物は、ガラス基板が汚染や損傷を受けないアッシング処理によって除去する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a fine pattern by which an original reflectance reducing effect can be obtained even if a resist film is subjected to ashing and resist coating is performed again.
レジスト膜をアッシングして再度レジスト塗布を行っても、当初の反射率低減効果を得ることができる微細パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain an effectively and readily usable carbide by suppressing inflow of air from an outlet opening of a carbonized, treated material and preventing the carbide from ashing.
炭化処理物の排出口からの空気の流入を抑制して炭化物の灰化を防止することにより、有効利用が容易な炭化物を得る。 - 特許庁 - Therefore, after ashing-treatment in the tail cylinder 1, the time required for obtaining good appearance of the tail cylinder 1 can drastically be shortened.
したがって、尾筒１における灰化処理後に尾筒１の外観を良好なものにするために要する時間を大幅に短縮することができる。 - 特許庁 - A high frequency is applied to an electrode of the treatment chamber 3 in this state to generate plasma in the treatment chamber 3, conducting, ashing treatment to the substrate W.
この状態で処理チャンバー３の電極に高周波を印加し、処理チャンバー３内にプラズマを発生せしめ、基板Ｗをアッシング処理する。 - 特許庁 - To cause less change of quality of an inorganic anti-reflective film even when subjected to a wetting (wet peeling-off) process or a plasma ashing process when it is desired to reprocess the film.
再工事が必要な場合に、ウェット処理（湿式剥離）や、プラズマアッシング処理を行っても、無機反射防止膜の膜質が変化しにくいようにする - 特許庁 - To provide a remover composition having low corrosion behavior to a wiring layer and superior performance to remove residue formed by dry etching and ashing.
配線層の腐食性が低く、しかもドライエッチングやアッシングで生成する残留物の除去性がさらに優れた剥離剤組成物を提供する。 - 特許庁 - In an ashing step, the temperature of the semiconductor wafer W is controlled to be higher than that in a plasma etching step.
アッシング処理工程では、プラズマエッチング処理工程より半導体ウエハＷの温度が高くなるように、半導体ウエハＷの温度制御を行う。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a halftone mask for utilizing single photoresist in patterning of a light shielding layer and a semi-light transmitting layer without requiring ashing treatment.
アッシング処理を要することなく単一のフォトレジストを遮光層及び半透光層のパターニングに利用するハーフトーンマスクの製造方法を提供すること - 特許庁 - To provide a semi-aqueous formulation for removing bulk photoresists, residues after etching, residues after ashing, and impurities and a method of using the same.
本発明は、バルクのフォトレジスト、エッチング後の残渣、アッシング後の残渣、及び不純物を除去するための半水性の配合物及びその使用方法に関する。 - 特許庁 - To provide a plasma ashing process for reducing the temperature at an impingement portion i.e., center portion, of a baffle plate, while maintaining or enhancing the photoresist removal rate.
フォトレジスト除去速度を維持又は増進しながら、バッフルプレートの衝突部分、すなわち、中心部分で、温度を低下させるプラズマアッシング法を提供する。 - 特許庁 - A calcium phosphate raw material with much calcium phosphate, high purity, and uniformity is obtained by ashing rice bran and by removing an alkali soluble component and a carbon component.
米糠を灰化し、そのアルカリ可溶成分と炭素成分を分離したものは燐酸カルシウムの多く純度が高く均一な燐酸カルシウム原料が得られる。 - 特許庁 - By coating with such an antioxidant coat, each part of the aligner apparatus can be protected from ozone or the like, which is fed from the ashing mechanism 19.
このような酸化防止コーティングを施すことにより、アッシング機構１９から送られたオゾン等から露光装置の各部を保護することができる。 - 特許庁 - After cleaning treatment, ashing is applied in a reducing atmosphere and in a state where the surface temperature of a semiconductor substrate is higher than normal temperature.
次に、洗浄処理を施した後、還元性ガス雰囲気下であって且つ半導体基板の表面温度が常温より高い状態でアッシングを行う。 - 特許庁
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