「ashing」を含む例文一覧(598)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 次へ＞- The temperature adjustment section TC is so controlled by a main control unit 4 that the temperature of the substrate W is adjusted by the temperature adjustment section TC to a target substrate temperature T2 which is different from the substrate temperature T1 after ashing and higher than room temperature.
この温度調整部ＴＣにより基板Ｗの温度がアッシング後基板温度Ｔ１と異なりかつ常温よりも高い目標基板温度Ｔ２に調整されるように、温度調整部ＴＣがメイン制御部４により制御される。 - 特許庁 - Film forming (forming) of a thin film by etching-processing, ashing-processing, and a plasma CVD-processing the subject to be treated or a surface of the subject to be treated is achieved by moving a relative position of the first and second electrodes and the subject to be treated.
そして、前記第１及び前記第２の電極と、前記被処理物との相対位置を移動して、前記被処理物又は前記被処理物の表面にエッチング処理、アッシング処理、プラズマＣＶＤ法による薄膜の成膜（形成）を行う。 - 特許庁 - To provide a plasma generation source and a plasma generator, capable of stably generating uniform plasma with high density and a large area, a film deposition device utilizing the plasma generator, an etching device and an ashing device, and a surface treatment device.
均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。 - 特許庁 - An organic film 15 is removed by applying an ashing process to the organic film 15 after a silicon oxide film 14 and the organic film 15 are sequentially formed on a metal film 13 so as to generate a second concave 12B on a semiconductor substrate 10.
半導体基板１０上に第２の凹部１２Ｂが生じるように設けられた金属膜１３の上に、シリコン酸化膜１４及び有機膜１５を順次形成した後、有機膜１５に対してアッシング処理を行なって有機膜１５を除去する。 - 特許庁 - The ashing device introduces gas into a dielectric plasma generating chamber 14 and excites the gas to produce plasma and effect plasma process of an object to be processed S by the gas plasma employing the Low-K film.
本発明のアッシング装置は、誘電体プラズマ発生室１４にガスを導入し、当該ガスを励起させてプラズマを生起し、前記ガスプラズマによってＬｏｗ−Ｋ膜を用いた被処理対象物Ｓのプラズマ処理を行うアッシング装置である。 - 特許庁 - Then the entire surface including the interlayer insulating film 22D is subjected to metal oxidation processing and then subjected to ashing using oxidation reaction to remove the part (remaining film 22E) of the interlayer insulating film 22D corresponding to the predetermined region.
次に、層間絶縁膜２２Ｄを含む表面全体に対して金属酸化処理を行ったのち、酸化反応を利用したアッシングを行うことにより層間絶縁膜２２Ｄのうち上記所定の領域に対応する部分（残膜２２Ｅ）を除去する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device which performs ashing processing for a resist film which is cured after high concentration ion implantation under a vacuum at a higher temperature without a popping phenomenon, and therefore does not cause a scattered residue of a degeneration layer etc.
高濃度イオン注入後の硬化したレジスト膜を温度を上げて真空中でアッシング処理してもポッピング現象がなく、そのため飛散した変質層等の残渣の発生のない半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - After etching, a facet-free good etching shape can be obtained without forming a metallic oxide film in the surface of the first buried wiring 8 by using a reducing gas in an ashing process for removing the resist pattern 13.
エッチング後、前記レジストパターン１３を除去するアッシング工程において、還元性ガスを用いることにより、第一埋め込み配線８の表面に金属酸化膜を形成することなく、ファセットのない良好なエッチング形状を得ることができる。 - 特許庁 - Thus no photoresist is used as a mask in the steps of removing the nitride film 5 and the first oxide film on the element-forming regions 12, and hence the element forming regions will not be contaminated with impurities of heavy metals nor be subjected to ashing damage.
このように、素子形成領域１２上の窒化膜５および第１酸化膜を除去する工程で、フォトレジストをマスクとして用いないために、素子形成領域が重金属不純物で汚染されることもなく、またアッシングダメージを受けることもない。 - 特許庁 - The process of ashing is carried out in or after the etching to prevent the etching rate from decreasing owing to sputtering of the reaction products deposited on the surface of the target material, thereby obtaining the stable etching rate.
本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 - 特許庁 - To obtain a composition for surface hydrophobing which aims at restoring a damage of a siloxane series insulating layer after etching/ashing used for an electronic device such as a semiconductor device is performed, and to provide a method of hydrophobing a surface, a semiconductor device and its manufacturing method.
半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング／アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。 - 特許庁 - A polymer film 105 deposited on the resist pattern 103 is subjected to ashing using oxygen gas or a gas containing oxygen as the main gradient, and then the peeling layer 102 with a fluorine injected layer 106 formed in the surficial portion thereof is removed.
レジストパターン１０３の上に堆積されたポリマー膜１０５に対して、酸素ガス又は酸素を主成分とするガスを用いてアッシングを行なった後、表面部にフッ素注入層１０６が形成されている剥離層１０２を除去する。 - 特許庁 - The residual polymer present on the insulating film 201 is subjected to ashing of second stage using oxygen gas or a gas containing oxygen as the main gradient under the conditions of relatively high chamber pressure and plasma production power setting.
次に、絶縁膜２０１の上に存在している残留ポリマーに対して、チャンバー圧力及びプラズマ生成電力を相対的に高く設定した条件で、酸素ガス又は酸素を主成分とするガスを用いて第２段階のアッシングを行なう。 - 特許庁 - A polymer film 206 deposited on the resist pattern 202 is subjected to ashing of first stage using oxygen gas or a gas containing oxygen as the main ingredient under the conditions of relatively low chamber pressure and plasma production power settings.
次に、レジストパターン２０２の上に堆積されたポリマー膜２０６に対して、チャンバー圧力及びプラズマ生成電力を相対的に低く設定した条件で、酸素ガス又は酸素を主成分とするガスを用いて第１段階のアッシングを行なう。 - 特許庁 - To provide a passive element of a semiconductor device in which a fault of bringing about a decrease in etching rate or ashing rate by storing a charge between a lower layer electrode and an upper layer electrode in the case of plasma working, and to provide a method for manufacturing the same.
プラズマによる加工の際に、電荷が下層電極と上層電極間にチャージされてエッチングレートや、アッシングレート等の低下が生じるといった不具合が生じることのない半導体装置の受動素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The first electrode and the second electrode excite the first fluid between the first position and the second position to form a second fluid, and the second fluid carries out surface treatment, activation, cleansing, photoresist ashing, or etching treatment against a material on the base.
第一電極、第二電極は第一位置と第二位置の間の第一流体を励起して第二流体を生成し、第二流体はベース上の物体に対し表面処理、活性化、洗浄、フォトレジスト灰化、あるいは、エッチング処理を実行する。 - 特許庁 - Then the water repellent agent 14a entering the inside of the nozzle 2 is removed, and moreover ashing is carried out by reactive ion etching with an oxygen gas introduced from a rear face of the nozzle plate 6 so as to alter an inner wall of the nozzle 2 to be hydrophilic.
次に、ノズル２の内部に入り込んだ撥水剤１４ａを除去し且つノズル２の内壁を親水性に変質させるように、ノズル板６の裏面側から酸素ガスを導入した反応性イオンエッチング処理により、アッシングを行う。 - 特許庁 - When a photoresist 13 used as an etching mask is removed by ashing, a susceptor 9 for supporting a substrate 11 is ashed with plasma- excited oxygen, by using a modified magnetron type plasma treatment device grounded via a high-frequency matching circuit 10.
エッチングマスクとして用いたフォトレジスト１３をアッシングにて除去する際、基板１１を支持するサセプタ９を高周波整合器１０を介して接地した変形マグネトロン型プラズマ処理装置を用いて、プラズマ励起した酸素によりアッシングを行う。 - 特許庁 - When ashing is performed for a resist pattern 14 under the above conditions, conventionally formed copper oxide layer is not formed at the exposed part in an opening part 12a of a copper wiring 13, with the copper wiring 13 surely exposed.
この条件下で、レジストパターン１４に対してアッシングを行なうと、銅配線１３における開口部１２ａに露出する露出部分には従来のような酸化銅層が形成されることがなく、銅配線１３を確実に露出させることができる。 - 特許庁 - To provide semiconductor manufacturing equipment capable of performing plasma etching and ashing to a film containing silicon, carbon, hydrogen, and oxygen which is an organic low dielectric constant film and then performing treatment for recovering the electric property of the low dielectric constant film.
有機系の低誘電率膜であるシリコン、炭素、水素及び酸素を含む膜に対してエッチング及びアッシングをプラズマにより行った後に、低誘電率膜の電気的特性を回復させる処理を行える半導体製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a means by which dirt scorched and stuck on an enamel surface can be easily removed in a short time without necessitating a special device for ashing the scorching, a special glaze excellent in corrosion resistance and chemicals for removing the scorching such as sodium bicarbonate.
焦げ付きを灰化するための特別な装置も、耐食性に優れた特殊な釉薬も、焦げ付きを除去するための重曹などの薬品も必要としないで、ほうろう表面に焦げ付いた汚れを、短時間で容易に取り除く手段を提供する。 - 特許庁 - The polarizing layer can be washed on a substrate 6 with a polarizing layer without using water or a washing solution by removing impurities 42 or residues 40 stuck on the surface altogether with the surface layer region of the polarizing layer by a dry ashing method.
偏光層付き基板６に対して、ドライアッシング法により偏光層の表層領域ごと表面に付着した不純物４２や残渣４０を取り除くことで、水ないし洗浄液を用いずに偏光層の洗浄を行うことができる。 - 特許庁 - In a process S106, oxygen gas oxygen plasma is used to supply a high-frequency power P3 to the inductively coupled coil 14 without supplying any high-frequency power to the bias-side electrode 13, and plasma ashing of oxygen gas G_O2 is performed to remove an etching deposit.
工程Ｓ１０６では、酸素ガス酸素プラズマを用いて、バイアス側電極１３に高周波電力を供給すること無く誘導結合コイル１４に高周波電力Ｐ３を供給して、酸素ガスＧ_Ｏ２のプラズマアッシングを行ってエッチング堆積物を除去する。 - 特許庁 - A photoresist 17 is coated on the substrate, the photoresist 17 is exposed by a laser beam 15 of an electron beam 21 to record a signal, a pattern is formed by developing the photoresist 17 so as to be dry-etched using the pattern as a mask, and the stamper is manufactured by removing the photoresist 17 by ashing.
この基板にフォトレジスト１７を塗布し、レーザ光１５または電子ビーム２１で露光して信号を記録し、現像してパターンを形成し、このパターンをマスクにしてドライエッチングを行い、アッシングによりフォトレジスト１７を除去してスタンパを作製する。 - 特許庁 - To provide a composition for forming a thermally decomposable lower layer film for a multi-layered resist process used to form the thermally decomposable lower layer film which eliminates the need for an ashing treatment, can be decomposed and removed through a simple heat treatment, and never damages an inorganic film such as a Low-K film.
アッシング処理の必要がなく、簡便な熱処理により分解除去でき、Low-Ｋ膜などの無機被膜にダメージを与えることがない熱分解性下層膜の形成に用いられる多層レジストプロセス用熱分解性下層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist stripper composition by which a resist residue left after dry etching and ashing treatment in the wiring steps of semiconductor devices such as an IC, an LSI and liquid crystal panel elements is completely removed at low temperature and in a short period of time, and corrosion of a material is reduced.
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチングやアッシング後に残存するレジスト残渣物を、低温、短時間で完全に除去でき、且つ材質の腐蝕の少ないレジスト用剥離液組成物を提供すること。 - 特許庁 - Further, a metal substance scattered during the etching of the metal material 104 never sticks directly on the polysilicon film 105 because of the protective film 107 of the carbon polymer, and is thereby easily removed through an ashing process together with the protective wall 107 of the carbon polymer.
また、このカーボンポリマによる保護膜１０７により、金属材料１０４をエッチングする際に飛散した金属物質はポリシリコン膜１０５に直接付着することなく、アッシング工程によりカーボンポリマの保護壁１０７とともに簡単に取り除くことができる。 - 特許庁 - To provide a resin composition for pattern reverse, the resin composition capable of being suitably embedded in a resist pattern formed on a substrate without mixing the resist pattern and showing excellent durability against oxygen ashing and storage stability, and to provide a method for forming a reversed pattern.
基板に形成されたレジストパターンとミキシングすることがなく、且つこのパターン間に良好に埋め込むことができると共に、酸素アッシング耐性及び保存安定性に優れるパターン反転用樹脂組成物及び反転パターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent surface roughness in an insulating film when the insulating film is subjected to wet cleaning after a polymer film is removed by ashing which polymer film is deposited on a resist pattern, when the insulating film is subjected to plasma etching using an etching gas containing carbon and fluorine.
絶縁膜に対して炭素及びフッ素を含むエッチングガスを用いるプラズマエッチングを行なったときにレジスト膜の上に堆積されるポリマー膜をアッシングにより除去し、その後、絶縁膜をウェット洗浄した際に該絶縁膜に表面荒れが形成されないようにする。 - 特許庁 - To prevent surface roughness in an insulating film when the insulating film is subjected to wet cleaning after a polymer film is removed by ashing which polymer film is deposited on a resist pattern, when the insulating film is subjected to plasma etching using an etching gas containing carbon and fluorine.
絶縁膜に対して炭素及びフッ素を含むエッチングガスを用いるプラズマエッチングを行なったときにレジストパターンの上に堆積されるポリマー膜をアッシングにより除去し、その後、絶縁膜をウェット洗浄した際に該絶縁膜に表面荒れが発生しないようにする。 - 特許庁 - A method of forming a via using the dual damascene process can include removing an object material layer from a recess portion in a low dielectric constant material layer using an ashing process while maintaining a protective spacer on an entire side wall of the recess portion to cover the low dielectric constant material layer in the recess portion.
デュアルダマシン工程を利用したビア形成方法は、リセス部内に低誘電率物質層を覆うようにリセス部の全体側壁上に保護スペーサを保持しつつ、アッシング工程を利用し、低誘電率物質層内のリセス部から対象物質層を除去する。 - 特許庁 - To provide a resist stripping solution composition capable of thoroughly removing resist residue which remains after dry etching or ashing in a step for wiring a semiconductor device such as IC or LSI or a liquid crystal panel element at a low temperature in a short period of time and less liable to affect a low dielectric constant film.
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するレジスト残渣を低温、短時間で完全に除去でき、低誘電率膜への影響の少ないレジスト用剥離液組成物を提供する。 - 特許庁 - To optimize an optical detecting device 110 for ashing terminal point detecting using a spectrometer, the point of completion terminal is recognized by monitoring the densities of the plasma on the wafer surface and the product of the membrane, by correcting the light from the region, having the strongest light.
分光計を用いたアッシングの終了点検出における光学検出装置110を最適化するために、最も光強度が強い領域からの光を集めてウエハ表面上のプラズマと被膜の生成物の濃度を監視して、完全な終了点を確認する。 - 特許庁 - To provide a photoresists removing solution excellent in ability to remove residue such as a degenerated photoresist film produced after ashing and residue on etching (metal deposition) and excellent in property of preventing the corrosion of a substrate in rising with water and to provide a method for removing a photoresist using the removing solution.
アッシング処理後に生じるホトレジスト変質膜、エッチング残渣物（金属デポジション）等の残渣物の剥離性に優れ、かつ、水でのリンス処理時、基板の防食性に優れるホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法を提供する。 - 特許庁 - A vitreous and particulate molten slug 9 obtained by conducting the ashing treatment of waste as a treatment soil material such as a protective soil, an intermediate cover soil or a final cover soil of the waste disposal site 1, further calcinig the resulting ash waste at a high temperature, water- granulating, air-cooling and gradually cooling the same is used.
廃棄物処分場１の保護土、中間覆土、最終覆土などの処理土材料として、灰化処理された廃棄物をさらに高温で焼成し、水砕、空冷または徐冷により得られたガラス質、粒状の溶融スラグ９を用いた。 - 特許庁 - Subsequently, the semiconductor substrate is transferred to the plasma pretreatment module where the photoresist pattern is removed by ashing and a damaged layer at the lower part of the contact hole is removed and then pretreatment cleaning is performed before a subsequent film is deposited in the contact hole.
次いで、前記半導体基板を前記プラズマ前処理モジュールに移送させた後、前記フォトレジストパターンをアッシングして除去し、前記コンタクトホール下部の損傷層を除去した後、前記コンタクトホール内に後続膜を蒸着する前に前処理洗浄を行う。 - 特許庁 - Then, a photoresist film is formed on at least one of the plurality of diffusion layer regions; and while a ground potential is supplied to the back side of the semiconductor substrate, plasma ashing processing is applied to the photoresist film so that the photoresist film can be removed.
次いで、当該複数の拡散層領域のうちの少なくとも１つの拡散層領域上にフォトレジスト膜を形成し、半導体基板の裏面側に接地電位を供給しつつ、プラズマアッシング処理を当該フォトレジスト膜に施すことによってこれを除去する。 - 特許庁 - After first-layer wiring L1 having a conductor film 16d using aluminum as a main constituent is subjected to patterning by a dry etching method, a sidewall protection film 18 of the machining sidewall and a photoresist pattern 17a used as an etching mask are removed by plasma ashing treatment.
アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。 - 特許庁 - To provide a liquid composition for removing resist which can completely remove a resist residue remaining after etching or ashing in the process of wiring a semiconductor device or a liquid crystal panel device at a low temperature in a short time and which does not corrode the wiring material or an inner wiring material.
半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるエッチングまたはアッシング後に残存するレジスト残渣物を、低温、短時間で完全に除去でき、且つ配線材料、内部配線材料を腐食しないレジスト剥離液組成物を提供する。 - 特許庁 - In the work conveying device, a plasma type surface treating device 56 equipped with a plasma gun 102 for ashing processing and a plasma gun 103 for liquid repellency imparting processing is arranged to remove a solvent left sticking on the bank part and make the bank part liquid-repellent again.
ワーク搬送装置に、アッシング処理用のプラズマガン１０２と、撥液化処理用のプラズマガン１０３とを備えるプラズマ式表面処理装置５６を配置し、バンク部に付着残留する溶剤を除去すると共に、バンク部の撥液性を回復させるものである。 - 特許庁 - The semiconductor wafer W (Si) is etched until an oxide film is exposed, a bottom oxide film is also removed by an etching, the circuit formed on the A surface side is exposed, the resist is removed by an ashing, and a contact hole is formed by a washing by chemicals.
次いで半導体ウェーハＷ（Ｓｉ）を酸化膜が露出するまでエッチングし、更にボトム酸化膜もエッチングにて除いてＡ面側に形成されている回路を露出させ、前記レジストをアッシングにて除去し薬品洗浄することでコンタクトホールとする。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for cleaning the contact holes of a semiconductor substrate, polymer residues inside the via holes after ashing, and an oxide layer on a barrier metal surface, without the use of a halogen gas, which is chemically active or a plasma generating apparatus which is expensive and gives plasma damage to an element.
半導体基板のコンタクトホール、ビアホール内部のアッシング後のポリマーかすやバリアーメタル表面の酸化層を、化学的に活性なハロゲン系のガスや高価で素子にプラズマダメージを与えるプラズマ発生装置を使わずにクリーニングする方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - In the ashing or etching, the etching and ashing apparatus 1 applies high-frequency power to the upper electrode 11 from the first high-frequency power supply 20, and at the same time, applies this to the susceptor 4 from the second high-frequency power supply 22.
本発明のエッチング兼アッシング装置１は、チャンバー２内の上部電極１１と、この下方に対向して配設され且つウエハＷを載置するサセプタ４と、これら両者１１、４それぞれに第１、第２の高周波電力を印加する第１、第２の高周波電源２０、２２と、アッシング用ガス及びエッチング用ガスを供給する処理ガス供給源１６とを備え、アッシング時またはエッチング時には第１の高周波電源２０から上部電極１１に高周波電力を印加すると共に第２の高周波電源２２からサセプタ４に高周波電力を印加する。 - 特許庁 - A resist layer 11 is formed thereupon and half-tone exposure whose exposure quantity is adjusted is carried out and a through hole which reaches the matrix circuit is formed by etching in a contact hole area and a recess 10a is formed by ashing in a pixel electrode formation area except the through hole.
その上にレジスト層１１を形成し、露光量を調整したマスクでハーフトーン露光を施し、エッチングによりコンタクトホール領域にマトリクス回路に達する貫通孔を形成し、アッシングして貫通孔を除く画素電極形成領域に凹所１０ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a spiral resonant device for plasma generation applied for a plasma treatment device giving treatment such as etching, ashing or CVD on a semiconductor substrate or the like, and improved for enabling to easily fit resonant characteristics coping with changes of treatment conditions.
半導体基板などにエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処理を施すプラズマ処理装置に適用されるプラズマ生成用の螺旋共振装置であって、処理条件の変更に対応して簡単に共振特性を適合させ得る様に改良されたプラズマ生成用の螺旋共振装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an additive which can easily clean at a low temperature and in a short period of time a resist film applied on an inorganic substrate, the resist film remaining after etching the resist film applied on the inorganic substrate, or the resist residue or the like remaining by performing ashing after etching the resist film.
無機質基体上に塗布されたレジスト膜、または無機質基体上に塗布されたレジスト膜をエッチング後に残存するレジスト膜、あるいはレジスト膜をエッチング後にアッシングを行い残存するレジスト残渣物等を低温、短時間で容易に洗浄できるようにする添加剤を提供すること。 - 特許庁 - Since the gas containing fluorine elements is used in addition to the oxygen gas, fine etching reaction is generated in ashing, so that an effect for removing re-attached components such as deposited reactants and resists heavily stuck to a treated substrate surface at the time of etching, particularly to the edge of an area coated with the resist is displayed.
酸素ガスに加えて弗素元素を含むガスを用いているので、アッシング中に微量ながらエッチング反応が発生しており、エッチング時に処理基板面、特にレジストで被覆された領域のエッヂ部に多く付着したデポ反応物やレジスト等の再付着成分を除去する効果を奏する。 - 特許庁 - To prevent an undercut of a lower wiring layer caused at a bottom of an opening when the opening down to the lower wiring layer is formed in an oxide silicon-based insulating film with an etching gas containing fluorocarbon based gas by using a mask of photoresist film pattern, and an ashing step is carried out with oxide plasma.
フォトレジスト膜パターンをマスクにしてフルオロカーボン系ガスを含んだエッチングガスにより下層配線層に達する開口部を酸化シリコン系絶縁膜に開口部を形成し、酸素プラズマによるアッチングを行なうときに開口部底部における下層配線層のアンダー・カット部の形成を抑制する。 - 特許庁 - To provide a composition for forming a resist lower layer film to be used in a resist process including a pyrolysis step of a resist lower film, the composition which can be easily decomposed and removed by simple heat treatment without requiring ashing, which does not damage an inorganic coating such as a low-k film, and which has excellent filling performance in a gap.
アッシング処理の必要がなく、簡便な熱処理により分解除去でき、Low-ｋ膜などの無機被膜にダメージを与えることがなく、かつギャップの充填性能に優れた、レジスト下層膜の熱分解工程を有するレジストプロセスに用いられるレジスト下層膜形成組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a resin composition for pattern reverse, which can be suitably embedded in resist patterns without mixing with the resist patterns formed on a substrate, shows excellent adhesion property with the patterns, and is excellent durability against oxygen ashing and storage stability; and to provide a method for forming a reversed pattern.
基板に形成されたレジストパターンとミキシングすることがなく、このパターン間に良好に埋め込むことができ、且つパターンとの密着性に優れると共に、酸素アッシング耐性及び保存安定性に優れるパターン反転用樹脂組成物及び反転パターン形成方法を提供する。 - 特許庁
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