「ashing」を含む例文一覧(598)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 次へ＞- To obtain a composition for forming a film excellent in dielectric constant characteristic and oxygen plasma ashing resistance, having high surface hardness of the coating film therefrom, and suitable for interlayer insulation films in semiconductor devices or the like.
半導体素子などにおける層間絶縁膜として適当な、耐酸素プラズマアッシング性に優れ、しかも塗膜の表面硬度が高く、誘電率特性などに優れた膜形成用組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a fiber structure developing the intrinsic performance of inorganic fine particles by ashing the resin layer covering the surface of the inorganic fine particles.
本発明は、かかる従来技術の背景に鑑み、無機系微粒子表面を覆っている樹脂層を灰化させることにより、無機系微粒子が本来有する性能を発現させた繊維構造物を提供せんとするものである。 - 特許庁 - With radiation of high frequency oxygen plasma, the surface of reaction product (4) is physically shocked and such reactive product can be removed easily with a post-processing (ashing and wet process with an organic solvent).
この高周波を伴う酸素プラズマ照射により、反応生成物（４）の最表面が物理的な衝撃を受け、後処理（アッシング及び有機溶剤によるウエット処理）によって、容易に除去することができる。 - 特許庁 - The cleaning treatment portions MPC1, MPC2 have a spin chuck 21 for keeping the substrate W after ashing to be horizontal and for rotating the substrate W around a vertical rotating axis passing through the center of the substrate W.
洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２は、アッシング処理後の基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。 - 特許庁 - To provide a composition for forming a silicon-containing film which has high anti-reflection effect, can form a silicon-containing film excellent in oxygen-proof ashing, and can stably form a resist pattern without a trailing pattern at the bottom.
反射防止効果が高く、耐酸素アッシング性に優れるシリコン含有膜を形成することができ、且つボトムに裾引きがないレジストパターンを安定して形成できるシリコン含有膜形成用組成物等を提供する。 - 特許庁 - To prevent etching of an etching object film by residual etching gas when exhaust efficiency of the residual etching gas by an etching step can be enhance to a large extent and next an ashing step to be continuously executed is executed.
エッチングステップによる残留したエッチングガスの排気効率を大幅に高めることができ，次に連続して実行されるアッシングステップを実行したときに，残留したエッチングガスによる被エッチング膜のエッチングを防止する。 - 特許庁 - To realize effects of great cost reduction and step simplification as compared with a conventional photolithography step by forming a pad electrode etc., in a relatively simple method of ashing conductive photoresist.
導電性フォトレジストをアッシング処理という比較的簡単な方法で処理しパッド電極などを形成することによって、従来フォトリソグラフィ工程に比べて抜群の費用節減及び工程簡素化の効果を実現する。 - 特許庁 - The buffer membrane formed by using a polymer composition having the above composition has an ashing property to reduce the step for forming a pattern of a semiconductor element and a capacitor and maximize the process efficiency.
このような組成を有する高分子組成物で形成されたバッファ膜は半導体素子のパターン及びキャパシタを形成する工程の縮小及び工程効率を極大化させることができるアッシング特性を有する。 - 特許庁 - The post-ashing treatment solution contains the salt of hydrofluoric acid and a metal ion-free base and is prepared by blending at least a polyol and a water-soluble organic solvent other than polyols.
フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩を含むアッシング後の処理液であって、少なくとも多価アルコール、および水溶性有機溶媒（ただし多価アルコールを除く）を配合してアッシング後の処理液とする。 - 特許庁 - To provide a method for treating a large-area substrate using hollow cathode plasma, which can execute processes such as ashing, cleaning and etching by using plasma to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.
半導体ウエハ、またはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a heating temperature program, capable of calculating optimum heating time for a stage of drying and a stage of ashing of a sample, without having to depend on the experience of an analyst, and capable of obtaining optimum measurement with accuracy through minimum times of measurement.
分析者の経験に頼らずに試料の乾燥段階および灰化段階の最適な加熱時間を求め、最低限の測定回数で最適な測定精度を得られる加熱温度プログラムを提供。 - 特許庁 - As the generation of a reactant decreases at the end point of the plasma treatment, a signal indicating the valve travel of the CV valve is changed and pressure in the chamber decreases as ashing approaches the end point, so that the differential value changes greatly.
プラズマ処理の終点では、反応物の生成が減少するので、ＣＶバルブの開度を示す信号に変化が生じてアッシングが終点に近づくとチャンバ内の圧力が減少し、微分値は大きく変化する。 - 特許庁 - After the finish of etching to the wafer, ashing is carried out in the state of stopping supply of gas for heat transmission supplied between the front face of a mounting table and the rear face of the wafer and stopping applying voltage to an electrostatic zipper.
ウエハ対してエッチングが終了した後、載置台の表面とウエハの裏面との間に供給される伝熱用ガスの供給を停止し、また静電チャックへの電圧の印加を停止した状態で、アッシングを行う。 - 特許庁 - The lower resist layer 103 is composed of a resist material, which is not resolved by developer employed in a next process and which is provided with an ashing speed higher than that of the resist material constituting the upper resist layer 104.
下層レジスト層１０３は、次工程で用いられる現像液には溶解しないレジスト材料であって、アッシング速度が上層レジスト層１０４を構成するレジスト材料のそれよりも速いレジスト材料でなる。 - 特許庁 - After the start of processing, a width change in derivative value becomes larger gradually, and based on its unchanging after the completion of processing completion of etching or ashing of the surface of a semiconductor can be detected.
そしてプロセス開始後に微分値の変化幅が徐々に大きくなり、プロセスの終了後に微分値が変化しなくなることに基づいて、半導体の表面のエッチングやアッシング処理の終了を検出する。 - 特許庁 - To provide a carbonization method which makes it possible to prevent the ashing and excessive heat loss of a carbon material not maintained in a constant state, such as flammable wastes, caused by igniting the carbon material in the un-dried state to form the largely heterogeneous distribution of the inner temperature of a carbonization furnace.
可燃性廃棄物などのように一定の状態にない炭材が未乾燥の状態で着火され、炭化炉内の温度が大きく偏ることによる炭材の灰化や過度な熱損失を防止すること。 - 特許庁 - To provide a detergent solution and a cleaning method which can effectively remove a resist, a residue of etching, a residue of ashing and particles, while preventing dissolution and the deterioration of the surface of a metal film with low-resistance and a film with low dielectric constant.
低抵抗金属膜および低誘電率膜の溶解および表面の変質を防止しつつレジスト、エッチング残渣、アッシング残渣、パーティクルを効果的に除去できる洗浄液および方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a highly reliable semiconductor device that can be controlled easily by a simple method by suppressing a harmful influence exerted by ashing by using an inorganic film having a low dielectric constant as an etching stopper film, and to provide a method of manufacturing the device.
エッチングストッパー膜として無機低誘電率膜を用い、アッシングによる弊害を抑制することで、簡易な方法で制御良くかつ信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for forming an insulating film and the insulating film, wherein the insulating film at a low relative dielectric constant and excellent in resistance or the like to a process such as etching, ashing or wet cleaning can be formed.
低比誘電率であり、エッチング，アッシングあるいはウエット洗浄などのプロセスに対する耐性などにも優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法および絶縁膜を提供する。 - 特許庁 - After depositing a first polysilicon 11, depositing a second insulation film 12, applying and patterning a photoresist 13, and then etching the second insulation film 12, the first polysilicon 11 is etched back, after removing the photoresist 13 by ashing.
第一ポリシリコン１１の堆積、第二絶縁膜１２の堆積、フォトレジスト１３の塗布、パターニング、第二絶縁膜１２のエツチング後、フォトレジスト１３の灰化除去をしてから、第一ポリシリコン１１のエッチバックをおこなう。 - 特許庁 - The first etching step includes a combination of etching in an atmosphere containing a hydrocarbon-based etchant and ashing in an oxygen-containing atmosphere, in which a protection layer is deposited on the side face of an active layer formed by the etching step.
第１のエッチングでは、炭化水素系エッチャントを含む雰囲気におけるエッチングと酸素を含む雰囲気におけるアッシングとの組み合わせで、該エッチングで形成された活性層側面に保護層を堆積させる。 - 特許庁 - After that, a first cleaning treatment is conducted to the surface of the semiconductor substrate 2, the resist film is subjected to ashing under a reduced atmosphere containing hydrogen, and a second cleaning treatment is conducted to the surface of the semiconductor substrate 2.
その後、半導体基板２の表面に第１の洗浄処理を施してから、水素を含む還元性雰囲気下でレジスト膜をアッシングした後に、半導体基板２の表面に第２の洗浄処理を施す。 - 特許庁 - To provide a large-area substrate processor using hollow cathode plasma capable of executing a process such as ashing, washing, and etching by using plasma to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.
半導体ウエハまたはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理装置を提供する。 - 特許庁 - To achieve a semiconductor device for preventing the characteristics of a transistor from deteriorating by preventing impurities implanted into a resist mask when implanting ions from being doped at an extension formation region in ashing.
イオン注入の際のレジストマスク中に注入された不純物が、アッシングの際にエクステンション形成領域にドープされることを防止して、トランジスタの特性劣化が生じない半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁 - A process is also disclosed for removing photoresist and the residue of etching and ashing of electronic device substrates by contacting the substrate with a formulation comprising deionized water, carboxylic acid, glycol, glycol ether and ammonium fluoride.
および、電子素子基板に、脱イオン水、カルボン酸、グリコール、グリコールエーテルおよびフッ化物を含む調合物を接触させることによって、そのフォトレジストならびに基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去する方法。 - 特許庁 - To provide an ashing method, in which the quality of an organic low permittivity film will not deteriorate when a used organic resist pattern is removed, even if an underlying interlayer insulation film includes the organic low permittivity film.
使用済みの有機レジストパターンを除去するときに、その下地が有機低誘電率膜を含む層間絶縁膜である場合にも、該有機低誘電率膜の膜質が劣化することのないアッシング方法を提供する。 - 特許庁 - By such constitution, temperature in the dummy area 21 rises only to nearly the same temperature as that in the effective area 20 in an ashing stage for removing the sacrificial layer, so that temperature distribution is prevented from occurring in the effective area 20.
このような構成であるため、犠牲層を除去するアッシング工程時に、ダミー領域２１は、有効領域２０と同じ程度の温度までしか上昇せず、有効領域２０に温度分布が生じるのを防ぐ。 - 特許庁 - To provide a device and a method for manufacturing an information recording disk to effectively prevent production of particles in a PCVD chamber for formation of a carbon film and to improve the productivity, and to provide a method for plasma ashing to efficiently remove a carbon deposition film.
本発明は、カーボン膜形成用ＰＣＶＤ室のパーティクル発生を効果的に防止し、生産性を向上させる情報記録ディスク製造装置及び方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of removing photoresist, by which residual photoresist on side faces and a bottom face as well as a top face of a wafer can be removed efficiently, by ashing without time delays, after the wafer has been properly heated.
ウエハーが適宜加熱された後、時間の遅延なしでウエハーの上面に加えて、ウエハーの側面及びウエハーの底面の残存フォトレジストを効率よくアッシングにより除去できるフォトレジスト除去方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a device and method for removing a resist, more concretely, removing only the resist called edge beads formed to the periphery of a substrate by ashing, regarding the removal of the resist applied to the substrate.
本発明は基板に塗布したレジスト除去に関し、より詳細には基板の周辺部に形成されたエッジビードと呼ばれるレジストのみをアッシング除去するレジスト除去装置およびレジスト除去方法に関するものである。 - 特許庁 - The surface layer 3a is subjected to an ashing processing under a nitride and oxygen atmosphere, to form an oxide film having irregularities that are finer than the irregularities of the surface layer 3a which can thereby make the reflectance reduce substantially.
表面層３ａを窒素および酸素条件下でアッシング処理して表面層３ａの凹凸より細かい凹凸を有する酸化膜を形成することによって反射率を大きく低下させることができる。 - 特許庁 - To form a constitution capable of preventing the generation of a breakdown between a re-wiring pattern and a semiconductor board, the breaking of an internal element or an insulating film or the like by charges collected in the re-wiring pattern in a WL-CSP ashing process.
ＷＬ−ＣＳＰアッシング工程にて、再配線パターンに溜まった電荷によって、再配線パターンと半導体基板間における絶縁破壊，内部素子、あるいは絶縁膜の破壊などの発生を防止し得る構成とする。 - 特許庁 - After O_2 ashing treatment is performed to the substrate for 1 minute to remove a resist, remaining resist is removed by washing with a mixture of sulfuric acid and water and then an oxidized thin film 28 is removed by etching with 1% hydrofluoric acid aqueous solution for 2 minutes.
この基板に対してＯ_２アッシング処理を１分間行ってレジストを除去した後、キャロス洗浄により残っているレジストを除去し、１％フッ酸水溶液で２分間エッチングして酸化薄膜２８を除去する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a solid-state image pickup element by which a pad opening can be formed after forming an organic material layer without damaging the organic material layer, and a residue on an electrode pad can be removed by ashing after forming the organic material layer.
有機材料層にダメージを与えることなく、該有機材料層形成後にパッド開口を形成したり、該有機材料層形成後に電極パッド上の残渣をアッシングによって除去したりといったことが可能にする。 - 特許庁 - To perform retrieval processing without ashing for any "manpower" such as reading, understanding, and determining documents when retrieving documents similar to an interested document from numerous electronic document groups.
関心のある文書に対して、これと類似の文書を電子化された莫大な文書群の中から検索するに際して、文書を読んで理解し判断するなどのいっさいの「人の手」を煩わせることなく検索処理を実行できるようにする。 - 特許庁 - This treatment method for paper waste includes: (a) a process of burning paper waste for ashing; (b) a process of heating the ash generated in the process (a) to generate a molten body; and (c) a process of quenching the molten body to form a glass solid matter.
紙廃棄物の処理方法は、（ａ）紙廃棄物を燃焼させ、灰化する工程と、（ｂ）工程（ａ）で生じた灰を加熱して、溶融体を生じさせる工程と、（ｃ）前記溶融体を急冷し、ガラス固形物とする工程と、を含む。 - 特許庁 - The method of forming the mask comprises forming the first layer 102 by a material which is dissolved by a developing solution used in development of the resist and is higher in a removal rate in ashing than the resist on a ground surface 101.
マスク形成方法では、まず、下地１０１の上に、レジストの現像時に使用される現像液によって溶解され、且つレジストよりもアッシングにおける除去速度が大きい材料によって第１の層１０２を形成する。 - 特許庁 - To provide an organic substance removing method for removing a hardened resist film generated after dry etching, a BARC film remaining on a lower layer of the resist film, and a residue or the like after dry etching present on a semiconductor substrate without executing ashing treatment.
半導体基板に存在する、ドライエッチング後に生成する硬化したレジスト膜、その下層に残留するＢＡＲＣ膜、及びドライエッチング残渣等の除去において、アッシング処理を行わずに除去する方法を提供する。 - 特許庁 - This allows chemical bonding change of the photoresist and the occurrence of popping and the residue to be decreased to enhance the yield of products since the temperature of the substrate is decreased in the state of atmospheric pressure by the plasma ashing processes for a while.
このように、プラズマアッシング処理過程で、基板の温度を大気圧状態でしばらく降下させるので、フォトレジストの化学結合変化を減少させ、ポッピング及び残留物の発生を減少させ、製品の収率を向上させる。 - 特許庁 - To provide a plasma reactor performing the processing of etching, ashing and CVD and the like on a semiconductor substrate and easily and mechanically adjusting a resonance frequency and impedance, when it is installed and a processing condition is changed.
半導体基板などにエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処理を施すプラズマリアクターであって、設置時や処理条件の変更時に共振周波数やインピーダンスの機械的調整を一層容易に行い得るプラズマリアクターを提供する。 - 特許庁 - To suppress increasing of resistance between a metal wiring and a connection plug by preventing oxidizing of the metal wiring while dispensing with process control between processes as well as constraint on time between etching for forming a via hole and an ashing process.
ビア孔形成のためのエッチングとアッシング工程との間の時間的制約、工程間処理制御を不要とし、かつ金属配線の酸化を防止して、金属配線と接続プラグとの間の抵抗の上昇を抑制すること。 - 特許庁 - Thus, entering of O_2 radical is prevented by the amorphous TiN films 13d and 16d to suppress peeling off of the TiN films 13d, 13e, 16d and 16e from the Al alloy wire in the ashing process.
このようにすれば、非結晶性のＴｉＮ膜１３ｄ、１６ｄによってＯ_２ラジカルの進入が防止され、アッシング工程にてＴｉＮ膜１３ｄ、１３ｅ、１６ｄ、１６ｅがＡｌ合金配線から剥離するのを抑制できる。 - 特許庁 - To provide a plasma reactor giving treatment such as etching, ashing or CVD on a semiconductor substrate or the like, and capable of more easily carrying out the mechanical adjustment of resonant frequencies or impedance at the time of the installation or change of treatment conditions.
半導体基板などにエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処理を施すプラズマリアクターであって、設置時や処理条件の変更時に共振周波数やインピーダンスの機械的調整を一層容易に行い得るプラズマリアクターを提供する。 - 特許庁 - To provide an ashing device which separates a resist layer formed on the surface of a substrate in a vacuum chamber, removes deposits attached to the vacuum chamber with high efficiency, and shortens a time required for cleaning so as to improve its operating efficiency.
基板表面のレジストを真空容器内でプラズマエッチングにより剥離するアッシング装置において、真空容器に付着する堆積物を能率良く除去できるようにし、クリーニングに要する時間を短縮して装置の稼働率を上げる。 - 特許庁 - Thereby, on the ashing process of a photosensitive layer, etching ratio on a part where wiring is positioned is equalized to the etching ratio on a part where the wiring is not positioned and, therefore, the advantage of preventing a defect from occurring on the surface of the wiring can be obtained.
ここれにより、感光層をアッシングする工程で、配線が位置した部分と、そうではない部分に対するエッチングの比率を合わせることができるために、配線の表面に欠陥が発生する不良を防げる長所がある。 - 特許庁 - The coating in the state after drying and then ashing, achieves such a result from the fluorescent X-ray analysis as containing 0.1-10 % sodium, 0.01-1 % magnesium, 0.1-15 % aluminum, 1-30 % potassium, 10-30 % silicon and 0.1-1 % iron.
乾燥後灰化した状態を蛍光Ｘ線分析した結果、０．１〜１０％のナトリウムと、０．０１〜１％のマグネシウムと、０．１〜１５％のアルミニウムと、１〜３０％のカリウムと、１０〜３０％の珪素と、０．１〜１％の鉄とを含む。 - 特許庁 - To provide a plasma processing device and a plasma processing method wherein, when a resist pattern is removed by an ashing process of a low temperature RIE system, it is possible to remove a polymer in a side wall around a substrate and a bevel with a simple configuration.
レジストパターンを低温ＲＩＥ方式のアッシング処理で除去する際、基板周辺の側壁部やベベル部のポリマーの除去を、簡単な構成により可能にするプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a master disk of an optical disk in which a land pre-pit(LPP) and its adjacent grooves have a shape not affecting reproduced signals when pits and grooves of different depths are formed on the same master disk by using plasma etching and ashing processes.
プラズマエッチングとアッシングプロセスを用いて、深さが異なるピットとグルーブを同一原盤内に形成する際に、ランドブリピット(LPP)及びその隣接グルーブが再生信号に影響を与えることない形状の光ディスク原盤の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a resist removing solution composition which can thoroughly remove the residue of a resist at a low temperature in a short time after etching or ashing in a wiring step for a semiconductor device or a liquid crystal panel device and does not corrode a wiring material in rinsing.
半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるエッチングまたはアッシング後に残存するレジスト残渣物を、低温、短時間で完全に除去でき、且つ配線材料をリンス時に腐食しないレジスト剥離液組成物を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor wafer W is placed on a placement table in a treatment chamber, and an SiO_2 film 103 is etched by plasma via a resist mask 104, and then ashing is conducted in the same treatment chamber to remove the resist mask 104.
半導体ウエハＷを処理チャンバー内の載置台に載置し、レジストマスク１０４を介してＳｉＯ_2膜１０３をエッチングするプラズマエッチング処理工程を行った後、同一の処理チャンバー内でレジストマスク１０４を除去するアッシング処理工程を行う。 - 特許庁
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