「ashing」を含む例文一覧(598)
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表面にレジストが形成された基板を反応炉内に複数段に重ねて保持し、これら基板のレジストを一括して除去するアッシング装置において、反応炉内の温度に起因して発生するレジストの除去レートの不均一性を抑止し全ての基板のレジストを均一に除去できるアッシング装置を提供する。 - 特許庁 - Biological minerals obtained through an organism ashing process are supported on a holding material comprising an inorg. and/or org. material so as to keep or develop the specific functions of the biological minerals and the holding material and the biological minerals are mixed to be molded and solidified.
生物体を灰化する工程を経て得られる生物ミネラルを、無機質及び／又は有機質の材料からなるホールド材に坦持させ、生物ミネラルの特定の機能を維持又は発現せしめるように保持せしめるもので、ホールド材と生物ミネラルを混合したものを成形固化せしめることを特徴とする。 - 特許庁 - A ashing method removes resist having an altered layer 4 formed on a surface by ion implantation and a non-altered layer 3 formed on a lower side of the altered layer 4, forms an applied film 5 to cover a face of a substrate on which the resist is formed, and removes the resist and the applied film 5 from the substrate by plasma treatment using reactive gas.
イオン注入により表面に形成された変質層４とその下の未変質層３とを有するレジストを除去するアッシング方法であって、基板の前記レジストが形成された面を覆うように塗布膜５を形成し、前記レジストと前記塗布膜５とを反応性ガスを用いたプラズマ処理により除去する。 - 特許庁 - In the vacuum processing apparatus including an etching chamber 140 and an ashing chamber 150 in a vacuum conveyance chamber 130, a vacuum vessel provided with a coating film of a heat shrinkage sheet formed on the inner surface thereof is used as the vacuum conveyance chamber 130, and generation of contamination due to microcrack is suppressed, to improve production efficiency.
真空搬送室１３０にエッチング室１４０とアッシング室１５０を備えた真空処理装置において、真空容器の内面に熱収縮シートによる被膜を備えたものを真空搬送室１３０として用い、マイクロクラックによる異物の発生を抑え、生産効率の向上が図れるようにした。 - 特許庁 - To provide a composition for forming cavity between conductive layers, capable of forming a film which is excellent in heat resistance and mechanical strength with less residue after ashing, and to provide a sacrifice film for forming a cavity between conductive layers that uses the polymer and a method of forming cavity between conductive layers.
耐熱性および機械的強度に優れ、かつ、アッシング後の残渣が少ない膜を形成することができる導電層間の空洞形成用組成物、ならびに、前記重合体を用いた導電層間の空洞形成用犠牲膜および導電層間の空洞形成方法を提供することを提供する。 - 特許庁 - After simultaneously forming a resist pattern 22A for ion implantation and a resist pattern 22B for an alignment mark on a semiconductor film 13, ion implantation 23 is applied to the whole surface of that patterns, and after applying ashing 24 to an altered layer 16 formed on a resist pattern 22A' other than a resist pattern forming part B' for the alignment mark, the resist pattern 22A' is removed.
半導体膜１３上にイオン注入用レジストパターン２２Ａとアライメントマーク用レジストパターン２２Ｂを同時に形成した後、その全面にイオン注入２３し、アライメントマーク用レジストパターン形成部Ｂ’以外のレジストパターン２２Ａ’を、表面に形成された変質層１６をアッシング２４した後レジストパターン２２Ａ’を除去する。 - 特許庁 - Thereafter, after the photoresist residue 14 adhered to the bottom of the opening 12 of the photoresist pattern1 1a is removed by a light ashing process, a through hole is bored through the insulating film 7b by a dry etching process using an etching gas, etc. containing C_5F_8, O_2 and Ar gas with the photoresist pattern 11a used as an etching mask.
その後、フォトレジストパターン１１ａの開口部１２の底に付着したフォトレジスト残渣１４を軽いアッシング処理により除去した後、フォトレジストパターン１１ａをエッチングマスクとして、Ｃ_５Ｆ_８、Ｏ_２およびＡｒガスを有するエッチングガス等を用いたドライエッチング処理により絶縁膜７ｂにスルーホールを穿孔する。 - 特許庁 - Provided is the agent for preventing and treating the bacterial or viral disease of an aquatic animal, characterized by containing at least either of biological minerals prepared by ashing many kinds of organisms and then extracting the ash, and minerals compounded to give the approximately same composition as ingredients contained in the biological minerals, and orally giving the minerals to the aquatic animal.
本発明は、多種類の生物を灰化して抽出した生物ミネラルと、該生物ミネラルの含有成分と略同一の組成になるように配合された配合ミネラルの少なくとも一方を含有し、水産動物に経口摂取させることにより細菌性・ウィルス性疾患を予防・治療する。 - 特許庁 - A protective film is formed on the substrate 9 in a protective film forming chamber 15, the substrate 9 is cleaned by plasma ashing in a first cleaning chamber 22, the substrate is cleaned by gas blow in a second cleaning chamber 23 and burnished in a vacuum in a burnish chamber 24 while being conveyed from the magnetic film forming chamber 14 to the lubricant layer forming chamber 25.
磁性膜作成チャンバー１４から潤滑層形成チャンバー２５に搬送される間、基板９は、保護膜作成チャンバー１５で保護膜が作成され、第一クリーニングチャンバー２２でプラズマアッシングによりクリーニングされ、第二クリーニングチャンバー２３でガスブローによりクリーニングされ、バーニッシュチャンバー２４で真空中でバーニッシュされる。 - 特許庁 - The device for removing the resist is equipped with: a mask susceptor in a chamber for the device for removing the resist; a substrate susceptor arranged inside the mask susceptor and placing the substrate; and a cover-like ashing mask arranged at a position covering the substrate on the mask susceptor and including an opening exposing the periphery of the substrate.
本発明のレジスト除去装置は、レジスト除去装置のチャンバー内にマスク支持台と、そのマスク支持台の内側に配置されて基板を載置する基板支持台と、マスク支持台の基板を覆う位置に配置されて基板の周辺部を露出させる開口部を有する蓋状のアッシングマスクとを備える。 - 特許庁 - After a buried insulating film 111 of a film thickness full to fill this groove 110 is formed, the film 111 or the film 104 is polished by a CMP method using the film 103 as a stopper film and after that, the film 103 is removed by ashing and moreover, the film 102 is removed to form a grooved element isolation structure.
この溝を埋込むのに十分な膜厚の埋込み絶縁膜１１１を形成後、埋込み絶縁膜または灰化保護膜１０４を、ＤＬＣ膜をストッパー膜としたＣＭＰ法により研磨した後、ＤＬＣ膜を灰化除去し、さらに第１のＳｉ酸化膜を除去して溝型素子分離構造を形成する。 - 特許庁 - To provide cleaning liquid for removing resist enhanced in a removing function of resist residual dross and resistance against corrosion of a copper film and an insulator film, when the resist residual dross after etching or ashing, and other etching residual dross are removed in a semiconductor manufacturing process including a copper wiring process, and a manufacturing method for a semiconductor device using the cleaning liquid.
銅配線プロセス等の半導体装置製造方法工程において、エッチング後またはアッシング後のレジスト残さ物およびその他のエッチング残さ物を除去する際に、レジスト残さ物等の除去性、銅および絶縁体膜の耐腐食性が高いレジスト除去用洗浄液を提供する。 - 特許庁 - In the ashing method, while irradiating a heating gas to a resist pattern 101 that is formed at the upper part of a silicon substrate 100 and having an alteration layer 101b formed at the surface layer in an oxygen-containing atmosphere, the silicon substrate 100 is cooled down to the temperature lower than the heating gas to remove the resist pattern 101.
シリコン基板１００の上方に形成されて表層に変質層１０１ｂが形成されたレジストパターン１０１に対し、酸素含有雰囲気中において加熱ガスを照射しながら、加熱ガスよりも低い温度にシリコン基板１００を冷却してレジストパターン１０１を除去するアッシング方法による。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing semiconductor device by which the influence of damages given to a low-k film by a dry etching plasma used for forming via holes or wiring grooves or ashing performed for peeling a photoresist can be eliminated at the time of forming metallic wiring of Cu, etc., by burying the wiring in the low-k film.
Ｌｏｗ−ｋ膜にＣｕなどの金属配線を埋め込み形成する際に、ビアホールや配線溝を形成するためのドライエッチング用プラズマあるいはフォトレジストを剥離するためのアッシングによって受けるＬｏｗ−ｋ膜に対するダメージの影響をなくした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method comprises adding a flocculating agent in an organic sludge to lower the water content, followed by heating indirectly for drying, carbonizing or ashing to convert to a soil nutrient material, wherein the flocculating agent contains no iron component.
凝集剤を添加して含水率低減を行った有機性汚泥を間接加熱処理して乾燥、炭化、又は灰化処理の何れかにより土養分材料に処理するものであって、凝集剤として鉄成分を含まない凝集剤を添加して低含水率の汚泥を得、これを間接加熱処理することで土養分材料を得るようにする。 - 特許庁 - As its manufacturing method, the recessed groove in an inverted trapezoidal shape is formed by selectively removing one portion of the active layer, resin is formed so that the active layer including the recessed groove is covered, and only resin at the inclined plane section of the recessed groove in an inverted trapezoidal shape is removed, for example, by ashing the resin, thus forming the source and drain electrodes at the inclined plane section.
またその製造方法として、該活性層の一部を選択的に除去して逆台形状の凹溝を形成し、該凹溝を含む活性層を被覆するように樹脂を形成し、該樹脂をアッシング等によって、該逆台形状の凹溝の斜面部の樹脂のみを除去し、その斜面部にソース電極とドレイン電極を形成する。 - 特許庁 - A resist pattern formation method forms a resist pattern 2, forms a protection film 3 for protecting the resist from ozone ashing on the resist pattern, irradiates the resist pattern with electron beam 4 via the protection film in an atmosphere in which oxygen exists like in the air, and then forms the resist pattern where dry etching resistance is improved by removing the protection film.
レジストパターン２を形成した後に、前記レジストパターンの上に、オゾンアッシングからレジストを保護する保護膜３を形成し、次に、大気中のように、酸素が存在する雰囲気中において、前記保護膜を介して前記レジストパターンに電子線４を照射し、その後、前記保護膜を除去してドライエッチング耐性が向上した前記レジストパターンを形成する。 - 特許庁 - Consequently, a discrete track medium (DTM) and a patterned medium (PM), with which recording corresponding to the pattern formed with thermal imprinting is feasible, are manufactured without performing processes such as etching and ashing (that is, without preparing equipment for performing these processes), the magnetic disk with which high density recording is feasible is manufactured with simplicity and at a low cost.
したがって、熱インプリントで形成されたパターンに応じた記録が可能なディスクリート・トラックメディア（ＤＴＭ）やパターンドメディア（ＰＭ）が、エッチングやアッシングなどの処理を行うことなく（すなわち、これらの処理を行うための設備を用意することなく）製造できるので、高密度記録が可能な磁気ディスクを簡易かつ低コストで製造することができる。 - 特許庁 - To provide cleaning liquid for a semiconductor device, for removing stuck matters on the surface of a cleaning object such as photoresist, etching residuals, an antireflective coating and ashing residuals with low environment loads and without corroding an interlayer dielectric; and to provide a cleaning method for the semiconductor device using the cleaning liquid.
本発明では、環境負荷が低く、層間絶縁膜を腐食することなく、フォトレジスト、エッチング残渣物、反射防止膜、および、アッシング残渣物などの洗浄対象物表面上にある付着物の除去を行うことができる半導体デバイス用の洗浄液、並びに該洗浄液を用いた半導体デバイス用の洗浄方法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - In ashing by oxygen plasmas for removing a resist which was used for a mask when forming the bottom electrode 19 of a ferroelectric capacitor formed in a semiconductor substrate 1 by using an Ru film, the inside pressure of the chamber 31 of a plasma processing apparatus is kept at 70 Pa or above and the temperature of the semiconductor substrate 1 is kept at 100°C or less.
半導体基板１に形成された強誘電体キャパシタの下部電極１９をＲｕ膜により形成するに際に、マスクとして用いたレジストを除去するための酸素プラズマによるアッシングで、プラズマ処理装置のチャンバ３１内の圧力は７０Ｐａ以上で、かつ、半導体基板１の温度は１００℃以下に保持する。 - 特許庁 - To provide a composition for resist underlay film which is excellent in adhesiveness with a resist film, can improve the reproducibility of a resist pattern, has durability against an alkali solution used for development or the like and against oxygen ashing upon removing the resist, can form a resist underlay film less in permeation amount of a resist material, and is excellent in storage stability.
レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有し、レジスト材料の染み込み量が少ないレジスト下層膜を形成することができ、且つ保存安定性に優れるレジスト下層膜用組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of repairing a low-dielectric-constant silica-based film which is given a chemical damage by a cleaning liquid used for the purpose of removing residue such as a silica-based denatured substance produced during etching of a low-dielectric-constant silica-based film or a resist decomposed substance produced during ashing, or removing residue such as polishing waste produced during CMP processing.
低誘電率シリカ系被膜のエッチング加工時に発生するシリカ系変性物やアッシング加工時に発生するレジスト分解物などの残渣除去、あるいはＣＭＰ加工時に発生する研磨屑などの残渣除去を目的として使用される洗浄液によって化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を修復する方法に関する。 - 特許庁 - To provide a method for peeling a photoresist by which a photoresist film and an etching residue after etching can be effectively removed without using O_2 plasma ashing even in a process of forming a fine pattern on a substrate having at least copper wiring and a low dielectric material layer, no adverse effect is given to the dielectric constant of the low dielectric material layer, and excellent corrosion resistance is obtained.
少なくとも銅配線と低誘電体層を有する基板上の微細パターン形成において、Ｏ_２プラズマアッシング処理を行わないプロセスにおいても、エッチング後のホトレジスト膜、エッチング残渣物を効果的に剥離することができ、しかも低誘電体層の誘電率への悪影響を及ぼさず、防食性にも優れるホトレジスト剥離方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a jet-type microwave-excited plasma treatment device that causes low-temperature non-thermal equilibrium plasma to be stably jetted from a nozzle by microwave power at atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure to perform CVD (chemical vapor deposition), etching, or ashing using plasma on a workpiece, or material processing such as fusing, welding or surface reforming on a workpiece.
大気圧下で又は大気圧付近の圧力で、マイクロ波電力により低温の非熱平衡プラズマを安定して、ノズルから吹き出させ、被加工物にプラズマを使用したＣＶＤ（化学蒸着）、エッチング、アッシング、被加工物に溶断又は溶接、表面改質等の材料プロセシングを行う吹き出し形マイクロ波励起プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁 - A grid board assembly, which is for a plasma-ashing machine used for removing a photoresist as an integrated circuit and a micro electromechanical device are worked, is provided with an upper grid board and an lower grid board that is separated from the upper grid board with a variable gap in between, and each of these upper and lower grid boards has a chain of holes.
集積回路及びマイクロ電気機械デバイスを加工する時のホトレジスト除去のために用いられるプラズマ灰化機械のためのグリッド板組立体において、上方グリッド板と、前記上方グリッド板から可変間隙により分離された下方グリッド板とを具え、然も、前記上方及び下方のグリッド板が一連の孔を有する、上記グリッド板組立体。 - 特許庁 - To provide a composition for a resist underlayer film having excellent storage stability, forming a resist underlayer film with low infiltration of a resist material, having excellent adhesion to a resist film, improving reproducibility of a resist pattern, and having resistance to an alkali solution used for development and to oxygen ashing in resist removal.
レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有し、レジスト材料の染み込み量が少ないレジスト下層膜を形成することができ、且つ保存安定性に優れるレジスト下層膜用組成物を提供する。 - 特許庁 - Thus, since no photo resist is deposited on the capacity insulating film 105a, an oxygen plasma used for ashing is not irradiated, and insulation breakage can be prevented due to lowered flatness of the capacity insulating film and the operation failure, lowered yield, and lowering of reliability of the MIM capacitor due to contamination of the capacity insulating film.
これにより容量絶縁膜１０５ａ上にフォトレジストが堆積されないため、アッシングに用いる酸素プラズマが照射されることがなく、容量絶縁膜の平坦性の低下による絶縁破壊及び容量絶縁膜の汚染によるＭＩＭキャパシタの動作不良、歩留り低下、デバイスの信頼性低下を防止することができる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufactured by using a photoresist polymer removing detergent composition which can effectively remove a photoresist residue or the like produced in an etching process and in an ashing process in the process of a photoresist pattern for manufacturing the semiconductor device, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device, a method for cleaning a photoresist pattern and a photolithographic method.
半導体素子を製造するためのフォトレジストパターン形成工程中において、エッチング工程及びアッシング工程時に発生するフォトレジスト残留物などを効果的に除去できるフォトレジストポリマー除去用洗浄剤組成物を用いた半導体素子及び半導体素子の製造方法、フォトレジストパターン洗浄方法、フォトリソグラフィー方法を提供すること。 - 特許庁 - After a shift between the resist pattern on the pattern for interlayer shift measurement and the pattern for interlayer shift measurement is measured, the resist pattern on the pattern for interlayer shift measurement is removed by ashing while the resist pattern in the display region is left, the remaining resist pattern in the display region is used as a mask to pattern the second layer in the method of manufacturing the display device.
その後、層間ズレ測定用パターン上のレジストパターンと層間ズレ測定用パターンとのズレを測定した後、アッシングにより表示領域に位置するレジストパターンを残しつつ層間ズレ測定用パターン上のレジストパターンを除去し、残った表示領域のレジストパターンをマスクとして第２層をパターニングする表示装置の製造方法。 - 特許庁 - To provide a parallel plate plasma processing system, and a method for fabricating a semiconductor device using the plasma processing system, in which the probability of charge-up damage can be lowered at the time of ashing or etching and machining for fabricating a good device can be carried out without varying the permittivity of an interlayer insulation film before and after etching.
平行平板型プラズマ処理装置において、アッシングまたはエッチング時のチャージアップ・ダメージを受ける確率を低くすることができ、かつエッチング前後で層間絶縁膜の誘電率を大きく変化させてしまうことなく良好なデバイス形成のための加工を行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - When the etching step is completed, before execution of the ashing step, a pressure control valve 134 provided at an exhaust port 130 of a processing room 102 is fully opened and the inside of the processing room is vacuumed for a specified time, thereby continuously executing a residual gas removal step of exhausting the etching gas remained in the processing room after the etching step, without taking out a wafer W from the inside of the processing room.
エッチングステップが終了すると，アッシングステップの実行前に，処理室１０２の排気口１３０に設けられた圧力制御弁１３４を全開にして処理室内を所定時間だけ真空引きすることによって，エッチングステップ後に処理室内に残留したエッチングガスを排出する残留ガス除去ステップを，処理室内からウエハＷを搬出せずに連続して実行する。 - 特許庁 - It includes, prior to the ashing, a step of removing a surface layer or a surface modified layer deposited on the surface of the resist pattern by the processing step under a low temperature.
被処理基体表面に、レジストのパターンを形成し、このレジストのパターンをマスクとして、所定の処理を行う処理工程と、アッシングにより、前記レジストのパターンを剥離するレジスト剥離工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記アッシングに先立ち、低温下で、前記処理工程によりレジストのパターンの表面に堆積された表面層あるいは、表面変質層を除去する工程を含む。 - 特許庁 - This method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: carrying a semiconductor substrate having a resist film formed with an altered layer on a surface thereof into a processing chamber; heating the semiconductor substrate, and increasing pressure in the processing chamber by introducing inactive gas into the processing chamber; and then introducing oxygen gas into the processing chamber and ashing the resist film by plasma of the oxygen gas.
表面に変質層が形成されたレジスト膜を有する半導体基板を、処理チャンバ内に搬入するステップと、半導体基板を加熱するとともに、処理チャンバ内に不活性ガスを導入して処理チャンバ内の圧力を上げるステップと、次いで、処理チャンバ内に酸素ガスを導入し、酸素ガスのプラズマによってレジスト膜をアッシングするステップとを有する。 - 特許庁 - To provide a washing liquid having a high washing effect even when a board having an easily corrosive metal film such as a copper film is washed and preventing deterioration and corrosion of the metal film, with respect to the washing liquid used for removing a resist residue and the like generated when a resist is subjected to ashing treatment and the like in the manufacture of an electronic circuit pattern.
電子回路パターン製造時に、レジストにアッシング処理などを施したときに発生するレジスト残渣などを除去するために用いられる洗浄液であって、銅膜のような腐食しやすい金属膜を有する基板を洗浄した場合においても、高い洗浄効果を有するとともに、金属膜の劣化および腐食を防止する洗浄液を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for a surface treatment in which an equipment can be easily constituted and miniaturized, and a surface reforming such as a wettability improvement or a surface treatment such as an ashing or an etching can be performed relatively easily at a low cost, without requiring an additional stage for a rinse in a wet etching or a drying, and without an expensive and large facility for a vacuum or a decompressing.
ウエット法のリンスや乾燥のための追加工程を必要とせず、また真空や減圧のための高価で大型の設備を必要とせず、装置を簡単に構成しかつ小型化でき、濡れ性改善などの表面改質やアッシング、エッチングなどの表面処理を、比較的容易にかつ低コストで行うことができる新規な表面処理方法を提供する。 - 特許庁 - This residual liquid for removing the residue existing on the semiconductor substrate after dry etching and/or ashing does not contain a fluorine compound, and contains at least one kind of a neutral organic compound having two or more oxygen atoms which can be coordinated to copper and/or mono alcohol with C4 or more and water, or contains perchlorate and water.
ドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る２以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び／又はＣ４以上のモノアルコールのうち少なくとも１種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 - 特許庁 - To provide a cleaning composition which can prevent corrosion of the metal layer on a semiconductor substrate, especially of titanium nitride, and can sufficiently remove plasma etching residue or ashing residue produced in the production process thereof by solving a problem peculiar to a cleaning composition containing a hydroxylamine compound adjusted substantially to neutral, and to provide a cleaning method using the cleaning composition and a method of manufacturing a semiconductor element.
実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a resist stripper which can rapidly and easily strip a photoresist membrane applied on a substrate, a photoresist layer remaining after etching of the photoresist membrane applied on the substrate or the photoresist residues etc., remaining by performing ashing after etching of the photoresist film at a low temperature, permits microfabrication of various kinds of the materials and permits manufacturing of circuit wiring of high accuracy.
基板上に塗布されたフォトレジスト膜、または基板上に塗布されたフォトレジスト膜をエッチング後に残存するフォトレジスト層、あるいはフォトレジスト層をエッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残査物等を低温でかつ短時間で容易に剥離でき、その際種々の材料を全く腐食せずに微細加工が可能であり、高精度の回路配線を製造できるフォトレジスト剥離剤を提供すること。 - 特許庁 - To provide a removing agent for photoresist with which a photoresist film applied on a substrate, a photoresist layer remaining after etching the photoresist film applied on a substrate, or a photoresist residue remaining after etching and ashing the photoresist layer can be easily removed at a low temperature in a short time while various kinds of materials can be microprocessed without corroding at all, and a circuit wiring pattern with high accuracy can be manufactured.
基板上に塗布されたフォトレジスト膜、または基板上に塗布されたフォトレジスト膜をエッチング後に残存するフォトレジスト層、あるいはフォトレジスト層をエッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残査物等を低温でかつ短時間で容易に剥離でき、その際種々の材料を全く腐食せずに微細加工が可能であり、高精度の回路配線を製造できるフォトレジスト剥離剤を提供すること。 - 特許庁 - To provide a photoresist release liquid composition for easily releasing a photoresist film applied on a substrate, a photoresist layer remaining after etching the photoresist film applied to the substrate, a photoresist residue remaining after ashing subsequent to the etching of the photoresist layer or the like in a short period of time, not corroding various materials, in particular scarcely corroding silicon and manufacturing highly accurate circuit wiring.
基板上に塗布されたフォトレジスト膜、または基板に塗布されたフォトレジスト膜をエッチング後に残存するフォトレジスト層、あるいはフォトレジスト層をエッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残査物等を短時間で容易に剥離でき、その際種々の材料を腐食せず、特にシリコンを腐蝕しにくい高精度の回路配線を製造できるフォトレジスト剥離液組成物を提供することである。 - 特許庁 - The magnetic recording head manufacturing method includes steps of: forming, on a base plate, a resist layer having a reversed trapezoidal groove at the end to face the medium; applying first ashing to the resist layer, shrinking the resist layer to reduce the groove dimension in the core width direction, and forming a magnetic material layer in the groove to make the recording magnetic pole.
本発明に係る磁気記録ヘッドの製造方法は、基体上に、媒体対向面側端面が逆台形状の溝を有するレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層の第１のアッシング処理を行う工程と、前記溝のコア幅方向の寸法が小さくなるように、前記レジスト層のシュリンク処理を行う工程と、前記溝内に記録用の磁極となる磁性材料層を形成する工程と、を備える。 - 特許庁 - To provide a cleaning composition, a cleaning method using the same, and a manufacturing method of a semiconductor device, capable of solving a problem particular to a cleaning composition containing a specific detergent adjusted substantially to neutral, preventing corrosion by washing not only a semiconductor substrate and a metal layer but also a silicon, and sufficiently removing a plasma etching residue and an ashing residue generated during a manufacturing process.
実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method includes the stages of forming a metal film 13 on a semiconductor substrate 11, forming an insulating film on the metal 13, forming a resist 15 patterned in a specified shape on the insulating film 14, forming a hole 14a in the insulating film 14 by using the resist 15 as a mask, and ashing the resist 15 by using a catalyst and other decomposition accelerators for decomposing fluorocarbon gas.
半導体基板１１上に金属膜１３を形成する工程と、金属膜１３の上に絶縁膜１４を形成する工程と、絶縁膜１４上に所定の形状にパターニングされたレジスト１５を形成する工程と、レジスト１５をマスクとして絶縁膜１４に孔１４ａを形成する工程と、フロロカーボンガスと、フロロカーボンガスを分解するための、触媒その他の分解促進物とを用いてレジスト１５をアッシングする。 - 特許庁 - This quantitative analyzing method of a very small amount of a metal element being a harmful substance such as lead or cadmium in the resin material has a process for decomposing a target substance in vitreous carbon by an oxidizing acid, a process for removing organic matter by low temperature ashing and a quantifying process for subsequently quantifying residual metal impurities.
本発明の金属属元素の定量分析方法は、樹脂材料中に存在する鉛やカドミウムなどの有害物質微量金属元素を測定する方法であって、対象物質をガラス状カーボン内にて酸化性酸により分解する工程と、低温灰化により有機物を除去する工程と、次いで残存する金属不純物を定量する定量工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor device comprises processes of: forming a high specific dielectric insulating layer on an SOI substrate; forming a gate electrode layer on the high specific dielectric insulating layer; forming a resist layer on the gate electrode layer; selectively removing the gate electrode layer using the resist layer as a mask; and removing the resist layer by ashing processing using gas not containing oxygen.
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＳＯＩ基板上に、高比誘電率絶縁層を形成する工程と；前記高比誘電率絶縁層上に、ゲート電極層を形成する工程と；前記ゲート電極層上に、レジスト層を形成する工程と；前記レジスト層をマスクとして前記ゲート電極層を選択的に除去する工程と；酸素を含まないガスを用いたアッシング処理によって前記レジスト層を除去する工程とを含んでいる。 - 特許庁 - The fabrication method of the thin film transistor includes the steps of: forming a gate electrode with a first mask; forming an active pattern and a photoresist pattern with a second mask; ashing the photoresist pattern based on a predetermined width of an etch stopper; forming the etch stopper by patterning an insulating layer underlying the ashed photoresist pattern; and forming a source electrode and a drain electrode with a third mask.
本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、第１マスクでゲート電極を形成する段階と、第２マスクでアクティブパターンとフォトレジストパターンを形成する段階と、エッチストッパーの幅に対応する幅だけ前記フォトレジストパターンをアッシングする段階と、前記アッシングされたフォトレジストパターン下部の絶縁膜をパターニングしてエッチストッパーを形成する段階と、第３マスクでソース電極とドレイン電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - In an ashing processing in the semiconductor manufacturing process by the plasma processing, a solid dielectric is installed on the opposing surface of at least one of a pair of electrodes opposing each other in the atmosphere under a pressure near the atmospheric pressure, and discharge plasmas obtained by introducing the processing gas between the pair of the electrodes and applying a pulse-like electric field are brought into contact with a base material to be processed.
プラズマ処理による半導体製造工程におけるアッシング処理において、大気圧近傍の圧力下、雰囲気中で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られる放電プラズマを被処理基材に接触させることを特徴とする半導体素子の処理方法及び装置。 - 特許庁 - When an ashing or etching is performed, high frequency power is supplied from the first high frequency power source 20 to the upper electrode 11, and from the second high frequency power source 22 to the susceptor 4.
本発明のエッチング兼アッシング装置１は、チャンバー２内の上部電極１１と、この下方に対向して配設され且つウエハＷを載置するサセプタ４と、これら両者１１、４それぞれに第１、第２の高周波電力を印加する第１、第２の高周波電源２０、２２と、アッシング用ガス及びエッチング用ガスを供給する処理ガス供給源１６とを備え、アッシング時またはエッチング時には第１の高周波電源２０から上部電極１１に高周波電力を印加すると共に第２の高周波電源２２からサセプタ４に高周波電力を印加する。 - 特許庁
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