「ashing」を含む例文一覧(598)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 次へ＞- This detergent for a photoresist ashing residue consists of (a) an ammonium fluoride compound, (b) amphoteric ionic surfactant having an ammonium salt type as a cationic part and a carboxylate type as an anionic part, for example, a betaine amphoteric ionic surfactant, and (c) aqueous solution of a fluorine-based cationic surfactant.
ａ）フッ化アンモニウム化合物、ｂ）カチオン部分がアンモニウム塩型であり、アニオン部分がカルボン酸塩型である両性イオン系界面活性剤、例えばベタイン型両性イオン系界面活性剤、及びｃ）フッ素系カチオン性界面活性剤の水溶液からなるフォトレジストアッシング残滓洗浄剤。 - 特許庁 - In manufacturing semiconductor device where upper metallic wiring and a lower conductive layer are coupled witch each other by a via, plasmaless ozone ashing is performed to prevent charges from being accumulated on the surface of a metallic plug where the above via is buried after patterning the above upper metallic wiring.
上部金属配線と下部導電層とをビアに連結する半導体装置の製造方法において、前記上部金属配線をパターニングした後、前記ビアを埋め込んでいる金属プラグの表面に電荷が蓄積されることを防止するために無プラズマ（plasmaless）オゾンアッシングを実施する。 - 特許庁 - To provide a fabrication method by which a fine wiring structure is formable without using dry etching or ashing process of a wiring trench for a multiple layer fine wiring in a semiconductor device, at the same time the simplification of wiring process, the improvement of wiring reliability, and cost reduction are achieved.
半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する製造方法を提供する。 - 特許庁 - In a cleaning process being performed later than a process for forming a ferroelectric thin film 110 becoming a part of a ferroelectric thin film capacitor, dry cleaning, e.g. ashing, Ar aerosol cleaning, CO_2 cleaning, cleaning with CO_2 in a supercritical state, or UV cleaning, is employed.
強誘電体薄膜キャパシタの一部となる強誘電体薄膜１１０を形成する工程よりも後に行なわれる洗浄工程において、アッシング、Ａｒエアロゾル洗浄、ＣＯ_2 洗浄、超臨界状態のＣＯ_2 による洗浄又はＵＶ洗浄等のドライ洗浄を用いる。 - 特許庁 - To provide a wiring structure of simple wiring process, for improving wiring reliability, and realizing cost reduction, where a minute wiring structure is formed without the use of dry-etching or ashing process with a wiring groove, related to a fine multilayer interconnection of a semiconductor device.
半導体装置における微細な多層配線において、配線溝のドライエッチングやアッシングプロセスを用いることなく、微細な配線構造の形成が可能であって、配線工程の簡略化、配線信頼性向上、低コスト化を同時に達成する配線構造を提供する。 - 特許庁 - A substrate provided with a resist mask formed through an insulation film is held inside the chamber of an ashing device, gas containing oxygen atoms introduced into the chamber is activated by applying RF power, and the resist mask is ashed by applying the RF power to the substrate side.
絶縁膜を介して形成されたレジストマスクを有する基板をアッシング装置のチャンバ内に保持し、ＲＦ電力を印加してチャンバー内に導入した酸素原子を含有するガスを活性化させるとともに、前記基板側にＲＦ電力を印加して前記レジストマスクのアッシングを行うアッシング方法。 - 特許庁 - The upper layer after the pattern formation is used as a mask for the optical ozone ashing of the lower layer and then a peeling process for the upper layer, a conductive film forming process, an electroforming process, a peeling process for an electroformed film (stamper layer 12), and a specific postprocess for the electroformed film are carried out to obtain a desired original disk.
パターン形成後の上層をマスクとして下層を光オゾンアッシングし、その後、上層の剥離工程、導電膜形成工程、電鋳工程、電鋳膜（スタンパ層１２）の剥離工程および、この電鋳膜に対する所定の後処理工程を経て所望の原盤を得る。 - 特許庁 - This organic sludge treatment process involves indirectly heating organic sludge which is derived from an activated sludge process and particularly contains a large amount of phosphorus components, with a heating cylinder 22 placed on the outer periphery of a rotary circular-cylindrical body 21, to subject the organic sludge to carbonization and/or ashing treatment and to obtain the objective treated material having a high phosphorus or phosphorus compound content.
活性汚泥処理により、特にリン成分を多量に含む有機性汚泥を、回転する円筒体２１の外周に設けた加熱筒２２で間接的に加熱して、炭化／又は灰化処理することでリン、リン化合物の高含有率の処理物を得る。 - 特許庁 - An ashing treatment for removing soil stuck on the nozzle face 44 and a refreshing treatment for refreshing a water repellent coating film previously formed on the nozzle face 44 are carried out by providing a surface treatment apparatus 96 possessing plasma guns 142L and 142R and allowing the head unit 21 to face the surface treatment apparatus 96.
プラズマガン１４２Ｌ，１４２Ｒを具備する表面処理装置９６を設け、ヘッドユニット２１を表面処理装置９６に臨ませて、ノズル面４４に付着した汚れを除去するアッシング処理と、ノズル面４４に予め形成した撥液性皮膜の再生処理とを行うものである。 - 特許庁 - In a cleaning process being performed later than a process for forming a ferroelectric thin film 110 becoming a part of a ferroelectric thin film capacitor, dry cleaning, e.g. ashing, Ar aerosol cleaning, CO_2 cleaning, cleaning with CO_2 in supercritical state, or UV cleaning, is employed.
強誘電体薄膜キャパシタの一部となる強誘電体薄膜１１０を形成する工程よりも後に行なわれる洗浄工程において、アッシング、Ａｒエアロゾル洗浄、ＣＯ_2 洗浄、超臨界状態のＣＯ_2 による洗浄又はＵＶ洗浄等のドライ洗浄を用いる。 - 特許庁 - When the resist provided on the base substance to be treated having the insulating film consisting of the low dielectric constant material is removed, ashing treatment is performed on the base substance to be treated by oxygen gas plasma generated in a condition that oxygen gas pressure is 100 mTorr or lower and RF output is 250 W or less.
低誘電率材料からなる絶縁膜を有する被処理基体上に設けられたレジストを除去する際に、酸素ガス圧１００ｍＴｏｒｒ以下、ＲＦ出力２５０Ｗ以下で発生させた酸素ガスプラズマにより被処理基体にアッシング処理を施す。 - 特許庁 - An arrangement is provided wherein ammonia gas is fed by a gas feeding device 50 to a reaction tube 1 in which a semiconductor wafer W given with etching and ashing treatments is accommodated, and the semiconductor wafer W is subjected to heat treatment in an ammonia atmosphere by heating the reaction tube 1 with a heater 3.
エッチング、アッシング処理が施された半導体ウエハＷが収容された反応管１にガス供給装置５０でアンモニアガスを供給し、更に反応管１をヒータ３で加熱することにより、アンモニア雰囲気中で半導体ウエハＷを加熱処理する構成である。 - 特許庁 - To provide a cleaning composition capable of sufficiently removing a plasma etching residue and/or an ashing residue on a semiconductor substrate without damaging a wiring structure and an interlaminar insulation structure; and to provide a cleaning process and a process for producing a semiconductor device using the cleaning composition.
配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a composition for a resist lower layer film excellent in storage stability for obtaining a resist lower layer film which suppresses resist peeling, improves reproducibility of a pattern, and has alkali resistance and resistance to oxygen ashing in resist removal, by disposal under a resist.
レジストの下層に設けることにより、レジストはがれがなくパターンの再現性を向上させ、アルカリおよびレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を得るための、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供することを目的としている。 - 特許庁 - To provide a composition for a resist underlayer film excellent in storage stability and capable of forming a resist underlayer film excellent in adhesion to a resist film, improving the reproducibility of a resist pattern and having resistance to an alkali solution used for development and to oxygen ashing in resist removal.
レジスト膜との密着性に優れ、レジストパターンの再現性を向上させるとともに、現像等に用いられるアルカリ液及びレジスト除去時の酸素アッシングに対して耐性を有するレジスト下層膜を形成することができ、且つ、保存安定性に優れたレジスト下層膜用組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and the device capable of realizing a stable discharge state under an atmospheric pressure condition in a peeling process in a semiconductor manufacturing process, and performing ashing by using a simple device and a discharge plasma processing capable of a processing with the small amount of processing gas.
半導体製造工程における剥離工程において、大気圧条件下で安定した放電状態を実現させることができ、簡便な装置かつ、少量の処理ガスで処理の可能な放電プラズマ処理を用いて、アッシングをすることができる方法及びその装置を提供。 - 特許庁 - To provide a helical resonance apparatus improved in order to easily correspond to resonance characteristics with changed treatment conditions wherein, the apparatus is for generation of plasma applied to a plasma treatment unit for etching, ashing, CVD or the like on semiconductor substrates and the like.
半導体基板などにエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処理を施すプラズマ処理装置に適用されるプラズマ生成用の螺旋共振装置であって、処理条件の変更に対応して簡単に共振特性を適合させ得る様に改良されたプラズマ生成用の螺旋共振装置を提供する。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device having a borderless wiring structure forms a borderless via-hole in which two different types of metals are exposed in an aperture, wherein prior to the wet processing for stripping a resist mask used to form the via hole, ashing is done using plasma including H_2O.
ボーダレス配線構造を有する半導体装置の製造方法において、開口内で２種類の異なる金属が露出するボーダレスビアホールを形成し、前記ビアホールの形成に用いたレジストマスクを剥離する際のウェット処理に先立って、Ｈ2Ｏを含むプラズマでアッシングする。 - 特許庁 - A conductive film is processed in a first etching process, and thinned by reprocessing using light ashing, the conductive film is thinly reprocessed, and at the same time, an exposed portion of an insulating film is etched away in the film thickness direction, thereby forming a step on the insulating film, and implanting impurity ions into the semiconductor layer by an ion implantation.
第１のエッチング工程で導電膜を加工し、ライトアッシングして細く再加工し、導電膜を細く再加工するとともに露出していた部分の絶縁膜を膜厚方向に削り、絶縁膜に段差を作り、イオン注入で不純物イオンを半導体層に注入する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an optical disk substrate and an optical master disk having a shape with which a land prepit(LPP) and neighboring grooves thereof do not affect groove recording quality when pits and grooves having different depths are formed in the same master disk by using plasma etching and an ashing process.
プラズマエッチングとアッシングプロセスを用いて、深さが異なるピットとグル−ブを同一原盤内に形成する際に、ランドブリピット（ＬＰＰ）及びその隣接グル−ブがグル−ブ記録品質に影響を与えることない形状の光ディスク基板および光ディスク原盤の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma processor capable of preventing reaction products from sticking on an optical window of a view port for collecting plasma light in a chamber and capable of continuously collecting the light in real time, in the plasma processor which performs plasma processes such as etching, CVD, and ashing.
エッチング、ＣＶＤ、アッシングといったプラズマプロセスを行うプラズマプロセス装置において、チャンバ内のプラズマ光を採光するためのビューポートの光学窓に反応生成物が付着することを防止し、かつ、リアルタイムで連続的に採光を行うことができるプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁 - After a processing wafer is baked 102 under normal pressure in order to remove a resist cured by ion implantation 101 etc., the processed wafer is subjected to plasma ashing processing 103, 104 in a high temperature area at about 300°C in an oxygen single gas atmosphere composed of an oxygen gas substantially.
イオン注入１０１等で硬化したレジストを除去するために、被処理ウエハを、常圧下でベーク１０２した後、実質的に酸素ガスからなる酸素単ガス雰囲気下において、摂氏３００度前後の高温領域でプラズマ・アッシング処理１０３，１０４するものである。 - 特許庁 - To obtain a low dielectric film having little damage that is affected when organic substance leaves when plasma treatment, such as etching treatment and ashing treatment is performed to a low dielectric film of a silicon oxide system containing organic substance, and a semiconductor device provided with the low dielectric film.
有機物を含むシリコン酸化物系の低誘電率膜に対してエッチング処理やアッシング処理などのプラズマ処理を行った時に、有機物が脱離することによって受けるダメージの少ない低誘電率膜及びこの低誘電率膜を備えた半導体装置を得ること。 - 特許庁 - To provide a cleaning composition which can suppress corrosion of tungsten constituting a semiconductor substrate and excels in removing a plasma etching residue and/or an ashing residue on the semiconductor substrate, and to provide a semiconductor device manufacturing method and cleaning method using the same.
半導体基板のタングステンの腐食を抑制でき、かつ、半導体基板上のプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣の除去性に優れた洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法及び洗浄方法を提供すること。 - 特許庁 - The method for analyzing aluminum by flameless atomic absorption spectrometry analyzes aluminum contained in a hydrogen fluoride-containing aqueous solution, and includes introducing the hydrogen fluoride-containing aqueous solution and a strontium salt into an atomization reactor, and atomizing them by ashing to analyze the aluminum.
フッ化水素を含有する水溶液中に含まれるアルミニウムを分析する方法であって、フッ化水素を含有する水溶液およびストロンチウム塩を、原子化炉に導入して、灰化して原子化させ、アルミニウムを分析することを特徴とするフレームレス原子吸光法によるアルミニウムの分析方法。 - 特許庁 - In an ashing gas atmosphere for removing resin adhering to an original pattern used for imprint, the original pattern is irradiated with ultraviolet light and near-field light is generated in the local region of protrusions and recesses on the original pattern.
実施形態の樹脂除去方法では、インプリントに用いられるパターン原版に付着した樹脂を除去するアッシングガス雰囲気中で、前記パターン原版に紫外線を照射することにより、前記パターン原版上のパターン凹凸部の局所領域に近接場光を発生させる。 - 特許庁 - The compound recycling apparatus comprises a recycling furnace 1 functioning as a carbonization furnace or an ashing furnace; a combination furnace 2 for performing the complete combustion of the flammable gas at least at 800°C while supplying other gas fuels as needed; and an exhaust gas boiler 3 for generating steam by receiving the output of the combination furnace 2.
炭化炉又は灰化炉として機能するリサイクル炉１と、必要に応じて他のガス燃料を供給しつつ、可燃ガスを８００℃以上の温度域で完全燃焼させる混焼炉２と、混焼炉２の出力を受けて蒸気を発生させる排ガスボイラ３とを備える。 - 特許庁 - The LPP is formed between shallow grooves or between shallow pits with the use of laser having power smaller than that of laser for forming the shallow grooves or shallow pits, and thus the depth of the LPP region and its adjacent groove regions and the depth of the surrounding grooves are made, after passing through the etching and ashing processes, equal.
LPPを浅いグルーブ間、もしくは浅いピット間に形成する際、そのレーザのパワーを浅いグルーブ、もしくは浅いピットを形成するレーザパワーよりも小さくすることにより、エッチング、アッシングプロセスを経た後に、LPP部及びその隣接グルーブ部分は周辺のグルーブ深さと同一の深さとする。 - 特許庁 - Provided is the agent for preventing and treating the parasitic disease of an aquatic animal, characterized by containing at least either of biological minerals prepared by ashing many kinds of organisms and then extracting the ash, and minerals compounded to give the approximately same composition as ingredients contained in the biological minerals, and orally giving the minerals to the aquatic animal.
本発明は、多種類の生物を灰化して抽出した生物ミネラルと、該生物ミネラルの含有成分と略同一の組成になるように配合された配合ミネラルの少なくとも一方を含有し、水産動物に経口摂取させることにより寄生虫症を予防・治療する。 - 特許庁 - Next, the surface of the resist layer 14a is entirely removed by ashing to expose a base silicon layer 13a in a main pattern area 5, and ions are implanted into the entire surface of the resist layer 14a to dope only the main pattern area 5 in the base silicon layer 13a.
次いで、レジスト層１４ａの表面をアッシングにより全体的に除去してメインパターン領域５で下地シリコン層１３ａを露出し、レジスト層１４ａの全面にイオン注入することにより、下地シリコン層１３ａにおけるメインパターン領域５のみがドーピングされる。 - 特許庁 - In the ashing of an organosilicon film containing an organosilicon compound having an Si-Si bond in the principal chain formed on a substrate 3, a gaseous mixture of oxygen, a fluorine-containing compound and chlorine is used as a reactive gas and the substrate 3 is exposed to plasma generated by activating the reactive gas.
本発明は基体３上に形成された主鎖にＳｉ−Ｓｉ結合を有するシリコン有機化合物を含有するシリコン有機膜をアッシング処理する際に、反応ガスとして酸素とフッ素を含む化合物と塩素の混合ガスを用い、活性化されて発生したプラズマに基体３をさらすことを特徴とするものである。 - 特許庁 - To provide an etching method which allows for selective wet etching for dissolving a layer composed of a specific metal material such as Ti preferentially, and also allows for effective cleaning and removing of residues produced by etching, ashing, or the like, and to provide an etching liquid for use therein, and a manufacturing method of a semiconductor element using the same.
Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a discharge plasma processor and a processing method using the same which continuously and stably generates a uniform glow discharge plasma substantially under the atmospheric pressure to form a thin film, using not only a single process gas but a plurality of process gases, and can deal with complicated processes in etching, ashing steps, etc.
大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して、安定して発生させ、単一の処理ガスのみならず複数の処理ガスを用いた薄膜形成、エッチング処理、アッシング処理等の工程における複雑な処理にも対応できる放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法の提供。 - 特許庁 - An anisotropic etching process carried out by the use of a magnetron etching device and an ashing process for removing a fluorocarbon polymer 14 produced in the above etching process are repeatedly carried out three times or so, by which a contact hole 13 is provided to the interlayer insulating film 9 so as to extend to a source/ drain region 6.
多結晶Ｓｉ膜１０および内壁膜１２ａをマスクとして、マグネトロンエッチング装置を用いた異方性エッチングと、このエッチングで生じたフロロカーボンポリマー１４を除去するアッシングとを３回程度繰り返し行うことにより、層間絶縁膜９にソース／ドレイン領域６に達するコンタクトホール１３を形成する。 - 特許庁 - The analysis method of the trace constituent in the polymer material includes a step of heating and ashing the polymer material in the presence of oxygen; and a step of irradiating an electron beam to the ashed sample, and performing elemental analysis by a generated characteristic X-ray.
高分子材料中の微量成分の分析法であって、前記高分子材料を酸素存在下、加熱して灰化する工程、及び前記灰化後の試料に電子線を照射し、発生する特性Ｘ線による元素分析をする工程、を有することを特徴とする高分子材料中の微量成分の分析法。 - 特許庁 - An aqueous and semi-aqueous composition, useful for removing residue after etching and ashing from a Cu low K dielectric semiconductor devices, contains a polyprotic acid buffer system, a fluoride system, water, and an water-miscible organic solvent for an aqueous composition, and may freely contain a chelating agent, a metal corrosion inhibitor and a surfactant.
多塩基酸緩衝系、フッ化物系、水、該水溶性組成物用の水混和性有機溶媒を含み、随意に、キレート剤、金属腐食防止剤及び界面活性剤を含んでいてもよいCu低K誘電性半導体装置からエッチング及びアッシング後の残渣を除去するのに有用な水溶性及び半水溶性配合物。 - 特許庁 - To provide semiconductor substrate cleaning solution capable of surely removing residues existing on a semiconductor substrate after dry etching and/or ashing at semiconductor production, and suppressing corrosion on a semiconductor substrate having a Low-k film deterioration layer, and the like, and to provide a semiconductor substrate cleaning method that uses the solution.
半導体製造におけるドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣を確実に除去できると共に、Ｌｏｗ−ｋ膜変質層等を有する半導体基板に対する腐食を抑制することができる半導体基板洗浄液、及びそれを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。 - 特許庁 - The plasma etching treatment method repeatedly performs plasma etching and plasma ashing for treating an object to be treated by generating glow discharge plasma obtained by applying an electric field between opposed electrodes in which at least one confronted surface is covered with a solid-state dielectric under pressure near atmospheric pressure.
大気圧近傍の圧力下で少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された対向電極間に電界を印加することにより得られるグロー放電プラズマを発生させて被処理体を処理するプラズマエッチングとプラズマアッシングを繰り返して行うことを特徴とするプラズマエッチング処理方法。 - 特許庁 - Plasmaless ozone ashing oxidizes the surface of the metallic plug where the via misaligned and exposed to the upper metallic wiring is buried and also absorbs positive charges, whereby the exposed metallic plug is not corroded by electrochemical reaction, so the reliability of the via can be raised.
無プラズマオゾンアッシングにより上部金属配線に対して、ミスアラインされて露出したビアを埋め込んでいる金属プラグの表面を酸化させると共に陽電荷を吸収することによって、露出した金属プラグが電気化学的反応により腐食されないので、ビアの信頼性を向上させることができる。 - 特許庁 - The surface roughness of wiring when wet-etching a sheath metal layer is eliminated by covering the wiring 13 with the metal layer 19, and the wetting properties between the substrate and etching liquid is improved by performing O2 ashing treatment before wet etching, thus surely removing the sheath metal layer.
本発明は、配線１３上に金属層１９を被覆することにより、シースメタル金属層のウエットエッチング時における配線表面のあれをなくし、且つウエットエッチング前にＯ_2アッシング処理を行うことにより、基板とエッチング液のぬれ性を向上させ、シースメタル金属層を確実に除去するものである。 - 特許庁 - To provide a negative radiation-sensitive resin composition which can suppress indentation of a resist pattern and resist cracking by plating stress at a plating step and accurately form thick platings, even when descumming (O_2 plasma ashing) treatment is performed as pretreatment for plating, and which is excellent in resolution and adhesion.
メッキ前処理としてデスカム（Ｏ_2プラズマアッシング）処理を行っても、メッキ工程時のメッキ応力によるレジストパターンへの押し込みやレジストのクラックを抑制することができ、厚膜のメッキ造形物を精度よく形成することができるとともに、解像度および密着性などに優れるネガ型感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a door of a coke carbonization oven, solving the problem of the generation of tar and the ashing of coke by the underfeeding or overfeeding of air to a combustion chamber installed at the carbonization chamber side of the carbonization oven door and burning the gas generated in the oven, and enabling efficient heating of the combustion chamber for the gas generated in the oven.
炭化炉蓋の炭化室側に設けた炉内発生ガス燃焼室に供給する空気の量の過少と過大で起こるタールの発生問題やコークスの灰分化問題を解消し、該炉内発生ガス燃焼室を効率的に昇温する事の出来るコークス炭化炉蓋を提供する。 - 特許庁 - Plasma oxidation with high oxidation rate is performed by changing to higher RF electric power from a point when ashing of the resist 301 is completed, and the plasma oxidation silica film 401 as an outside diffusion prevention film of dopant is formed on surfaces of an n-type wiring 103 and a p-type wiring 104 which are composed of polysilicon.
レジスト３０１の灰化が終了した時点から高めのＲＦ電力に切り替えることで酸化レートの高いプラズマ酸化を行い、ポリシリコンからなるＮ型配線部１０３、Ｐ型配線部１０４の表面に不純物の外方拡散防止膜としてのプラズマ酸化珪素膜４０１を形成する。 - 特許庁 - To provide a resist stripping liquid composition with which a resist residue remaining after dry etching or ashing in a wiring step of a semiconductor device such as an IC and an LSI or a liquid crystal panel device can be completely removed at a low temperature in a short time and influences with time are less such as increase in corrosion in an oxide film or a metal wiring material.
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するレジスト残渣を低温、短時間で完全に除去でき、酸化膜や金属配線材料への腐食増大などの経時変化による影響の少ないレジスト剥離組成物を提供すること。 - 特許庁 - After a resist mask for the injection of impurities into the lower electrode 38 is peeled by plasma ashing, dilute hydrofluoric acid processing for removing a damage layer formed in the surface of a 1st insulating film 41 is carried out and then a gate insulating film part 43 in the 1st insulating film 41 has no damage, so the thin film transistor 23 has no characteristic deterioration.
下部電極38への不純物の注入の際のレジストマスクをプラズマアッシングして剥離した後に、第１の絶縁膜41の表面に入ったダメージ層を除去する希フッ酸処理をすることにより、第１の絶縁膜41中のゲート絶縁膜部43にダメージがないため薄膜トランジスタ23の特性劣化は発生しない。 - 特許庁 - In a process forming the MOS device on the main face of a silicon wafer, before wafer processing by the process device (an etching device, an ashing processing device, a sputter device and a CVD device) using the plasma, an insulating film is previously formed on the wafer rear face and reduces damage to the device caused by the process device using the plasma.
シリコンウェハ主面にＭＯＳデバイスを形成するプロセスにおいて、プラズマを用いるプロセス装置（エッチング装置、アッシング処理装置、スパッタ装置、ＣＶＤ装置）によるウェハ加工前に、予めウェハ裏面に絶縁膜を形成しておき、プラズマを用いるプロセス装置起因によるデバイスヘのダメージを低減する。 - 特許庁 - In addition, they have a process for introducing the reaction gas into the discharge space and a process for activating the reaction gas by supplying the pulse or the rectangular wave modulated high-frequency power into the discharge space and are characterized in that the ashing treatment is performed on the surface of the substrate with the activated reaction gas.
また放電空間に反応ガスを導入する工程と、前記放電空間にパルスもしくは矩形波変調された高周波電力を供給して前記反応ガスを活性化する工程と、を有し、前記活性化された反応ガスが基体の表面にアッシング処理をすることを特徴とする。 - 特許庁 - After a thin film 2 is formed of an organic material on a substrate 1 and a portion of the thin film to be removed is irradiated with laser light to perform pattern processing by thermal abrasion, the entire surface on which the lasers abrasion is carried out is subjected to ashing processing 8 to form a pattern from which even a remaining film 7 is also efficiently removed.
基板１上に有機材料からなる薄膜２を形成し、その薄膜のうち除去すべき部分にレーザー光４を照射して熱アブレーションによるパターン加工を行った後、レーザーアブレーションが施された表面全面にアッシング処理８を施すことにより、残膜７も効率的に除去されたパターンを形成する。 - 特許庁 - To solve problems that the operation efficiency of a conventional multi-chamber system is low because the system uses a plurality of chambers for etching-only chambers or ashing-only chambers, requires much time for one processing of long processing time and makes the other processing of short processing time waiting for the end of the processing of the longer processing time.
従来のマルチチャンバシステムは例えば複数のチャンバがエッチング専用チャンバまたはアッシング専用チャンバとして運用されているため、処理時間が長いいずれか一方の処理に時間が掛かり、処理時間の短い方が長い方の処理が終わるのを待つことになり、マルチチャンバシステムの運用効率が悪い。 - 特許庁 - The conductive photoresist is used as the pad electrode and a pad electrode is formed in a contact hole in the relatively simple method of ashing such conductive photoresist to realize great cost reductions and simplification of steps as compared with a conventional photolithography step.
本発明によると、パッド電極として導電性フォトレジストを用い、このような導電性フォトレジストをアッシング処理という比較的簡単な方法で処理しコンタクトホールにパッド電極を形成することによって、従来フォトリソグラフィ工程に比べて抜群の費用節減及び工程の簡素化が実現可能になる。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
