「buffer memory」を含む例文一覧(3204)
＜前へ 1 2 .... 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65- While a bit line is pre-charged by two different voltage being the exact opposite each other having a first voltage value and a second voltage value, read-out can be performed in a memory cell, two voltage values obtained in this case are attained by enabling buffer to a first or a second capacitor respectively before these two voltage values are supplied to an evaluator to be compared.
上記課題は、本発明によれば、ビットラインが２つの互いに異なる正反対の電圧に第１の電圧値及び第２の電圧値によってプリチャージされている間に、メモリセルは次々に読み出し可能であり、この場合に得られる２つの電圧値は、これら２つの電圧値が互いに比較されるために評価器に供給される前に、それぞれ第１の乃至は第２のキャパシタンスにバッファ可能であることによって解決される。 - 特許庁 - A node device determines the number of other node devices to be connected for acquiring prescribed content data, and inquires a management device which manages locations of node devices, to acquire the determined number of network address information for connection and acquires a plurality of partial data and reproduces them in accordance with a reproduction order while storing them into a buffer memory.
ノード装置は、所定のコンテンツデータを取得するために接続対象となる他のノード装置の数を決定し、ノード装置の所在を管理している管理装置に問い合わせることにより、接続するためのネットワークアドレス情報を、決定数分取得し、該ネットワークアドレス情報に基づいて他のノード装置に接続し、前記複数の部分データの夫々を、分散して取得し、バッファメモリに蓄積させつつ再生順序にしたがって再生させる。 - 特許庁 - Then, the device is provided with input buffer amplifiers 8-1 to 8-4 for special mode generating an internal clock signal for a special mode being separated from a normal mode relating to read-out operation or write-in operation of data in the semiconductor memory and at least one filter out of noise filters 9-1 to 9-4.
ここで、入力信号の変化に対して緩やかに変化する時間応答特性を有し、上記複数の外部クロック信号のうちの少なくとも１つの外部クロック信号に基づいて、上記半導体記憶装置におけるデータの読み出し動作又は書き込み動作に係わる通常モードとは別の特殊モードのための内部クロック信号を発生する特殊モード用入力バッファアンプ８−１乃至８−４及びノイズフィルタ９−１乃至９−４のうちの少なくとも１つを備える。 - 特許庁 - The error correcting device 15 is provided with a formatter block 151, demodulating data which is read from a recording medium, a buffer memory 13 storing demodulated data, a composite syndrome calculation block 153 determining the guarantee condition of demodulated data, a PRE-EDC block 154 and a demodulation error flag register 155, a syndrome calculation block 156 which conducts syndrome calculation on demodulated data and an error correction block 157 correcting the error of demodulated data.
記録媒体から読み出されたデータを復調するフォーマッタブロック１５１と、復調されたデータを格納するバッファメモリ１３と、前記復調されたデータの保証条件を判定する複合シンドローム計算ブロック１５３、ＰＲＥ−ＥＤＣブロック１５４および復調誤りフラグレジスタ１５５と、復調されたデータに対してシンドローム計算を行うシンドローム計算ブロック１５６と、復調されたデータに誤り訂正を行う誤り訂正ブロック１５７とを少なくとも備えた誤り訂正装置１５。 - 特許庁
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