To easily and freely design a material of a light absorption layer having a band gap suitable to an absorption wavelength band to be detected, and to provide a high-sensitivity quantum type infrared sensor adapted to respective uses without using a buffer layer other than InSb. 検知すべき吸収波長帯に適したバンドギャップを有する光吸収層の材料を容易に、かつ、自由に設計することができ、InSb以外のバッファ層を用いることなく、各用途に応じた高感度な量子型赤外線センサを実現すること。 - 特許庁
The ink for the ink-jet recording is ink containing substantially black pigment, a water-soluble resin, an aqueous medium and an organic buffer solution and contains substantially white inorganic fine particles which have ≤1.8 refractive index. 実質的に黒色である顔料、水溶性樹脂及び水性媒体を含有し、かつ有機系緩衝液を含有するインクであって、屈折率が1.8以下の実質的に白色である無機微粒子を含有することを特徴とするインクジェット記録用インク。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a distortion semiconductor substrate, capable of forming a distortion semiconductor layer on the surface of a semiconductor substrate having a crystal structure, without installing a distortion buffer layer, thus capable of manufacturing a distortion semiconductor substrate easily at a low cost. 歪み緩和バッファ層を設けることなく、結晶構造を有する半導体基板の表面に歪み半導体層を形成でき、したがって、簡単かつ低コストで歪み半導体基板を作製できる歪み半導体基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The hole injection buffer layer is formed by laminated two or more layer parts including respectively different kinds of porphyrin compounds. ホール注入バッファ層における互いに隣接する層部分のうち、陰極側の層部分に含有されたポルフィリン系化合物が、陽極側の層部分に含有されたポルフィリン系化合物よりも高い最高被占軌道のエネルギー準位を有するものであることが好ましい。 - 特許庁
When a steel plate made base plate 13 fitted under an elastic body 10 available as a buffer is bolted to a fitting part 30 on the ground side base, a grout material 5 as well as a shim plate 15 is intervened between the fitting part 30 and the base plate 13. 緩衝器をなす弾性体10の下に取り付けた鋼板製のベースプレート13を、地盤側の基礎部の取付部30にボルト締めする際、その取付部30とベースプレート13との間には、シムプレート15を介装すると共に、グラウト材5を介装する。 - 特許庁
Used for a semiconductor device wherein a silicon layer 104 formed on a substrate 100 is irradiated with a laser beam 106 for crystallization so that a polycrystal silicon layer 108 is obtained, a buffer layer 102 is formed between the substrate 100 and the silicon layer 104. 基板100上に形成したシリコン層104をレーザビーム106の照射によって結晶化して多結晶シリコン層108を得る半導体装置などに用いられ、基板100とシリコン層104との間にバッファ層102が形成されている。 - 特許庁
Thus, the stream distribution apparatus and the stream receiving apparatus perform encoding and decoding with the same clock, such that overrun or underrun of a buffer is prevented to present video or audio to a user without stop. これにより、ストリーム配信装置とストリーム受信装置とが同一クロックにより符号化と復号化とを行うことができるようになることで、バッファのオーバーランやアンダーランを防ぐことができるようになって、映像や音声を途切れさせずにユーザに提示できるようになる。 - 特許庁
A correlation calculation section 102 inputs pixel data corresponding to a predictive block from a search window buffer 104 holding the pixel data corresponding to the motion search range of the block to be processed currently in the reference frame, and calculates correlation to the block to be processed currently. 相関度算出部102は、参照フレームにおける現処理対象ブロックの動き探索範囲相当の画素データを保持したサーチウィンドウバッファ104から、予測ブロック相当の画素データを入力し、現処理対象ブロックとの相関度を算出する。 - 特許庁
The carrier movement path between the source electrode and the drain electrode includes a first path in which carriers move through the channel layer, the buffer layer, the first contact layer and the second contact layer and a second path in which the carriers move through the channel layer and the second contact layer. ソース電極とドレイン電極との間におけるキャリアの移動経路は、チャネル層、バッファ層、第1コンタクト層及び第2コンタクト層を経由してキャリアが移動する第1経路と、チャネル層及び第2コンタクト層を経由してキャリアが移動する第2経路とを含む。 - 特許庁
The field-effect transistor can have a semiconductor substrate surface prevented from being made amorphous in a region where a heavily-doped impurity is ion-implanted even in such a case by providing a buffer film 41 over parts constituting the source region and drain region. 本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域およびドレイン領域を構成する部分の上部に緩衝膜を設けることで、高濃度不純物のイオン注入を行っても、この領域の半導体基板表面がアモルファス化することを防ぐことができる。 - 特許庁
A buffer circuit, an inverter circuit and the like include in combination: a first transistor in which both of a source electrode and a drain electrode overlap a gate electrode; and a second transistor in which a source electrode overlaps a gate electrode and a drain electrode does not overlap the gate electrode. ソース電極及びドレイン電極の両方がゲート電極に重なる第1のトランジスタと、ソース電極はゲート電極と重ね、且つ、ドレイン電極はゲート電極と重ならない第2のトランジスタとを組み合わせてバッファ回路やインバータ回路などを構成する。 - 特許庁
After laminating a GaAs buffer layer 32 on a GaAs substrate 31, a GaAs/Al0.7Ga0.3As GaAs基板31上にGaAsバッファ層32を積層後、GaAs/Al_0.7Ga_0.3Asからなる多層光学フィルタ層33、GaAs光閉じ込め層34、GaAs/In_0.2Ga_0.8As多重量子井戸活性層35、GaAs光閉じ込め層36、Al_0.7Ga_0.3Asキャリア閉じ込め層37を積層する。 - 特許庁
A signal selection processing unit 9 selects a transmission signal satisfying an idle schedule in the arrival order from transmission signals stored in the transmission buffer for each frame on the basis of information of the arrival order management table 7 and gives the selected signal to the schedule table 11. 信号選定処理装置9は、到着順管理テーブル7の情報に基づいて1フレーム毎に送信バッファに蓄積された送信信号から空きスケジュールに対する条件を満たす送信信号を到着順に選定してスケジュールテーブル11に送る。 - 特許庁
Thereby it is enough that the output buffer circuit of the video signal line drive circuit 300 has the driving capability necessary for charging a video signal line up to the desired potential within the shortest period (here, the H level period of the changeover control signal). このことにより、映像信号線駆動回路300の出力バッファ回路は、最も短い期間(ここでは切換制御信号GSfのHレベル期間)内に所望の電位まで充電するのに必要な駆動能力を有するだけで足りることになる。 - 特許庁
To provide a memory control system for enabling priority processing both in write processing to the memory of a processor and read processing from the memory in a multiprocessor system and making common a data buffer to be used in write processing and read processing. マルチプロセッサシステムにおいて、プロセッサのメモリに対する書き込み処理と、メモリから読み出し処理の両方において優先処理を可能にし且つ書き込み処理時と読み出し処理時に使用するデータバッファの共通化を図るメモリ制御方式を提供する。 - 特許庁
To make data fetch performable without waiting for data update to a master resource by the report of instruction completion even when update data whose addresses are the same on the master resource are present in a buffer at the time of performing data fetch to the master resource. マスタリソースへのデータフェッチ時に、データフェッチを行う前記マスタリソース上のアドレスが同一の更新データがバッファ内に存在した場合においても、命令完了報告による前記マスタリソースへのデータ更新を待たずにデータフェッチを行うことを可能にする。 - 特許庁
On the wiring boards 100 and 200, a selector 2 selecting signals to be inputted to the CLK input terminal 1a of the clock driver 1, a buffer circuit 3 constituting the control circuit of the selector 2, a delay element 4 and resistor components R1-R3 are loaded. 配線基板100、200には、クロックドライバ1のCLK入力端子1aに入力される信号を選択するセレクタ2と、セレクタ2の制御回路を構成するバッファ回路3、遅延素子4および抵抗部品R1〜R3が搭載されている。 - 特許庁
When matrix data read out from a recording medium is written in buffer RAM 2, CRC operation by a CRC operation part 6 and syndrome operation by a syndrome operation part 3 are simultaneously executed to the inputted matrix data and its result is stored inside. 記録媒体から読み出されたマトリックスデータがバッファRAM2に書き込まれるときに、その入力マトリックスデータに対してCRC演算部6によるCRC演算と、シンドローム演算部3によるシンドローム演算とを同時に行い、その結果を内部に記憶しておく。 - 特許庁
The cosmetic uses diethoxyethyl succinate in the dicarboxylic acid ester of the polyoxyethylene in a proportion of 0.1-30.0 wt.% based on the whole amount of the cosmetic, and contains 0.1-10 wt.% pH buffer based on the total amount of the cosmetic. ポリオキシエチレンジカルボン酸エステルのうち、コハク酸ジエトキシエチルを用い、該含有量が化粧料全量に対して0.1〜30.0重量%であり、pH緩衝剤の含有量が化粧料全量に対して0.1〜10重量%を含有する化粧料である。 - 特許庁
A read/write controller 108 controls the read and write operations of a buffer memory 109 and controls the read and write operations, according to control signals from a generated code quantity detector 106 and a unique word and stuff byte quantity detector 111. リード/ライト制御器108は、バッファメモリ109の読出し及び書込み動作を制御し、発生符号量検出器106並びにユニークワード及びスタッフバイト量検出器111からの制御信号によって、書込み動作及び読出し動作を制御する。 - 特許庁
A Boletopsis leucomelas-derived lactin is produced by separating protein from an extract obtained by grinding Boletopsis leucomelas, an edible mushroom, with a buffer solution, causing the resultant lectin to be adsorbed by using affinity chromatography using N,N'-diacetylchitobiose as a ligand, and causing the lectin to be desorbed. 食用キノコであるクロカワ(Boletopsis leucomelas)を緩衝液で粉砕して得られる抽出物よりタンパク質を分離し、N,N’−ジアセチルキトビオースをリガンドとするアフィニティークロマトグラフィーを用いてレクチンを吸着させ、N−アセチルグルコサミンで脱着し、クロカワ由来のレクチンを製造する。 - 特許庁
Then, when constant speed conveyance of the line sensor is interrupted to invalidate the reading operation by shortage of spare of a buffer which temporarily stores the read image data, a line sensor position where the reading operation is invalidated based on the target position trajectory is specified as an interrupted position. そして、読取画像データを一時記憶するバッファの空き不足によりラインセンサの定速搬送を中断し読取動作を無効化する場合には、目標位置軌跡に基づき読取動作が無効化されるラインセンサ位置を中断位置として特定する。 - 特許庁
A buffer material 12 is provided in the covering state of clutching outside and leading end portions of a steel strength member 11 formed in a cross-sectional shape bent at a proper angle; the protective material 10 is constituted by welding a high nut 13 to the inside of the strength member 11; and an eyebolt 14 is screwed into a high nut 13. 適宜角度に折曲された断面形状の鋼製の強度部材11の外側部と先端部を抱持する状態に緩衝材12を被覆し、強度部材11の内側に高ナット13を溶着させて保護材10とし、高ナット13にアイボルト14を螺合させる。 - 特許庁
The stress buffer part 37 has a first bent part 37a and a second bent part 37c that are acutely bent, and is installed in a region that becomes closer to the center side of the positive electrode can 11 than a positive electrode mixture 12 when attached to the positive electrode can 11. 応力緩衝部37は、鋭角的に屈曲する第1の屈曲部37aと第2の屈曲部37bとを有し、正極缶11への装着時に正極合剤12よりも正極缶11中心側となる領域に設けられている。 - 特許庁
To provide an organic EL light emitting device preventing a stress concentration in an edge part of a buffer layer or a base layer of a gas barrier layer, improving dampproofing of the gas barrier layer, having no deterioration of light emission characteristics due to water invasion into an organic EL element, and having a high reliability. ガスバリア層の下地層である緩衝層の縁部における応力集中を防止して、ガスバリア層の防湿性を向上させ、有機EL素子への水分浸入による発光特性の劣化がなく、信頼性の高い有機EL発光装置を提供する。 - 特許庁
A transmitting data volume determining part 108 determines a volume of data that can be transmitted by one session with the data collecting server 20, on the basis of the line condition data stored in the line condition storing part 105 and the total volume of data stored in the buffer 102. 送信データ量決定部108は、回線状態記憶部105に格納されている回線状態データと、バッファ102に格納されているデータの総量と、に基づき、データ収集サーバ20との1回のセッションで送信可能なデータ量を決定する。 - 特許庁
To provide an original inclination angle detection method for solving the problem that it is necessary to scan an image twice in a conventional method for determining an inclination angle of an original image based on an inclination angle of some images, and the detection speed is slow due to a large quantity of buffer data. 一部の画像の傾斜角に基づいて原稿画像の傾斜角を確定する従来の方法が画像を二回走査する必要があり、バッファデータ量が大きく、スピードが遅い問題を解決する原稿傾斜角検出方法を提供すること。 - 特許庁
After reproduction data of a volume equivalent to a reproduction period longer than a period required to adjust a control parameter is written in a buffer, the control part controls the optical pickup to stop reading the data (step S8) and allows a DSP to adjust the control parameter (step S9). 制御パラメータの調整に要する時間以上の再生時間に相当する容量の再生データがバッファに書き込まれた後、制御部は、光ピックアップにデータの読み出しを中断させ(ステップS8)、DSPに制御パラメータを調整させる(ステップS9)。 - 特許庁
In the case of forming the images only by the first image forming apparatus 12, the continuous sheets are conveyed in the second image forming apparatus 14 at the conveying speed higher than that in the first image forming apparatus 12, and then, the number of continuous sheets stored in the buffer device 42 is reduced. 第1画像形成装置12のみで画像形成を行う場合に、第2画像形成装置14は、第1画像形成装置12の搬送速度より速い速度で搬送を行い、バッファ装置42に蓄えられている連帳紙を減少させる。 - 特許庁
The piston rod 2 is inserted in the cylindrical cylinder 1 to be movable in and out in the axial direction, and a magnetic viscous fluid is allowed to flow through a flow passage 25 of a by-pass pipe 5 by the movement of a piston 3 fixed to the piston rod 2 to enhance flow resistance to thereby obtain a high buffer effect. 円筒状のシリンダ1に軸線方向に出入り自在にピストンロッド2を挿入し、ピストンロッド2に固定されたピストン3の移動によりバイパス管5の流通路25に磁気粘性流体を流通させて、流動抵抗を高め緩衝効果を得る。 - 特許庁
A position calculation part 407 calculates positions of control points belonging to a selected bone, and a skin calculation part 408 calculates a shape of skin by the calculated positions of control points, and a drawing part 409 draws the calculated shape of skin in a buffer part 404. 位置計算部407は、選択されたボーンに属する制御点の位置を計算し、スキン計算部408は、計算された制御点の位置によりスキンの形状を計算し、描画部409は、計算されたスキンの形状をバッファ部404に描画する。 - 特許庁
The sample separation and adsorbing instrument 100 is constituted so that the sample in a separation medium 6 is separated by allowing an electric current to flow to the separation medium 6 through a buffer solution and the separated sample is adsorbed on an adsorbing member 7 from the separation medium 6. 本発明に係るサンプル分離吸着器具100は、分離媒体6に緩衝液を介して電流を流すことによって、分離媒体6中のサンプルを分離し、かつ、分離されたサンプルを分離媒体6から吸着用部材7へ吸着させるものである。 - 特許庁
When the q-axis indication current I_q^* before the resolver fails is zero or a positive value, a rotating angle θ_E of a rotor before the failure of the resolver that is stored in a buffer 28 is set as a switching initial value for a previous value θ_C(n-1) of a control angle θ_C. レゾルバ故障前のq軸指示電流I_q^*が零または正の値である場合には、バッファ部28内に保存されているレゾルバ故障直前のロータ回転角θ_Eが、制御角θ_Cの前回値θ_C(n-1)の切換初期値として設定される。 - 特許庁
An access control part 100 includes an interface part 101 for executing transmission and reception of information to/from buffers 11, an access permission part 102 that makes a selection for permitting any one of the buffers to access a bus, and a storage part 103 or the like for storing buffer information 103a. アクセス制御部100は、バッファ11との間で情報の送出、受理を行うインタフェース部101、いずれのバッファにバスへのアクセスを許可するか選択を行うアクセス許可部102、バッファ情報103aを記憶する記憶部103などを備える。 - 特許庁
A stopper 4 that is inserted into the opening 23 of the upper plate 2 and secures a clearance between an inner peripheral surface of the opening 23 and the stopper 4 is connected the lower plate 3, and buffer material 5 is mounted on the inner peripheral surface of the opening 23 so as to absorb the impact of the collision with the stopper 4. 下部プレート3に上部プレート2の開口23を挿通し、開口23の内周面との間にクリアランスを確保するストッパ4を接続し、開口23の内周面に、ストッパ4との接触時の衝撃を緩和する緩衝材5を装着する。 - 特許庁
To provide a method for producing an AlN thin film having increased C-axis orientation properties by a buffer thin film made of an AlN thin film and a metallic thin film in which the increase of cost caused by the increase of production time for the change of a gas or the like in a vacuum vessel is prevented in a short time. 真空容器のガスを入れ替え等の製造時間の増加によるコストの増加を防止した、AlN薄膜と金属薄膜とからなるバッファー薄膜によりC軸配向性を高めたAlN薄膜を短時間で製造する方法を提供する。 - 特許庁
The CPU 111 acquires an ID code identity signal, an unlock command signal, a lock command signal, a trunk open command signal, a door open signal, a trunk open signal as an index for judging whether the alarm should be generated or not through a bus buffer 60. CPU111は、警報を発するべき状態にあるか否かを判断するための指標となる情報として、IDコード一致信号、アンロック指令信号、ロック指令信号、トランク開指令信号、ドア開信号、トランク開信号をバスバッファ60を介して取得する。 - 特許庁
If the same specific information is stored in both the memories, the information is not updated; whereas when both the information items are different, the specific information stored in the data buffer memory 18 is rewritten as specific information that corresponds to the coordinate value in the position information table memory 19. 双方に同じ固有の情報が記憶されていれば更新せず、一方、双方の情報が異なる場合はデータバッファメモリ18に記憶された固有の情報を位置情報テーブルメモリ19の座標値に対応する固有の情報として書き換える。 - 特許庁
When a refresh-test for a redundant memory cell is performed, a redundant CBR refresh-counter 15 is activated for each input of a control signal RACBR, counts the number of input of redundant CBR commands, and outputs them to a X address buffer 2A as redundant counter signals RCNT0- RCNT5. 冗長CBRリフレッシュカウンタ15は、冗長メモリセルに対するリフレッシュテストを行う場合、制御信号RACBRが入力される毎に活性化され、冗長CBRコマンドの入力される数を計数し、計数値を冗長カウンタ信号RCNT0〜RCNT5として、Xアドレスバッファ2Aへ出力する。 - 特許庁
Symbol buffer memories 0-Mnc-1, which insert a delay time for executing the time de-interleave to data of each carrier respectively, is provided to the data of the carrier of the carrier total number nc used as the data in one segment of the partially received signal to be demodulated. 復調する部分受信信号の1セグメント内においてデータとして用いられるキャリア総数ncのキャリアのデータに対して、各キャリアのデータをそれぞれ時間デインターリーブするための遅延時間を挿入するシンボルバッファメモリ0〜Mnc−1を設ける。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a ferroelectric or an antiferroelectric liquid crystal display element capable of adjusting cell gaps of a plurality of liquid crystal cells in a lump without frequently exchanging buffer materials and consequently capable of manufacturing the same at a low cost. 複数の液晶セルのセルギャップの一括調整を、緩衝材を頻繁に交換すること無く行なうことができ、したがって、強誘電性または反強誘電性液晶表示素子を低コストに製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁
A user data buffer 61 for an image classifying/extracting device 13 acquires images (zoomed images 82) in a range zoom-specified by a user, out of original images stored in a user device, and their categories 81 via a network 12and stores them in coordination. 画像分類/抽出装置13のユーザデータバッファ61は、ユーザ装置に保存されていた、原画像のうちのユーザによりズームが指定された範囲の画像(ズーム画像82)と、そのカテゴリ81をネットワーク12を介して取得し、それらを関連付けて保存する。 - 特許庁
A discharge buffer section 24 receives the printing plates subjected to image exposure and delivered from the recording section around a discharging roller 104 and rotates this discharge roller toward a delivery direction, thereby discharging the printing at a prescribed delivery speed to the outside of the machine. また、排出バッファ部24は、画像露光されて記録部から送り出される印刷版を、排出ローラ104に巻き掛けて受け取り、この排出ローラを送り出し方向へ回転することにより、印刷版を所定の送り出し速度で機外へ排出する。 - 特許庁
The pulse tube refrigerator includes the second pipe having the third opening and closing valve, the second pipe is installed between the compressor and the buffer tank or the first pipe, and the third opening and closing valve is opened and closed in response to an opening and closing state of the first opening and closing valve. さらにパルスチューブ冷凍機は、第3の開閉バルブを有する第2の配管を有し、該第2の配管は、圧縮機とバッファタンクまたは第1の配管の間に設置され、第3の開閉バルブの開閉は、第1の開閉バルブの開閉状態に対応する。 - 特許庁
In the semiconductor device 70, a P-base layer 4, a P^+-contact layer 5, and an N^+-source layer 6 are formed on a surface region of an N^- high-resistance layer 3 on an N^+-buffer layer 2, and a gate insulating film 7 and a gate electrode 8 are formed in a laminated manner on the N^- high-resistance layer 3. 半導体装置70では、N^+バッファ層2上のN^−高抵抗層3の表面領域にPベース層4、P^+コンタクト層5、N^+ソース層6を形成し、N^−高抵抗層3上にゲート絶縁膜7及びゲート電極8を積層形成する。 - 特許庁
The nitride semiconductor device includes a buffer layer 102 formed of a first GaN-based semiconductor, a carrier travelling layer 103 formed of a second GaN-based semiconductor, a carrier supply layer 104 formed of a third GaN-based semiconductor, on a substrate 101. 窒化物半導体装置は、基板101上に形成された第1のGaN系半導体からなるバッファ層102と、第2のGaN系半導体からなるキャリア走行層103と、第3のGaN系半導体からなるキャリア供給層104とを備えている。 - 特許庁
The method also includes a transmission step for transmitting the encoded pictures to a decoder as transmission units, a buffering step for buffering the transmission units transmitted to the decoder in a buffer, and a decoding step for decoding the encoded pictures for forming decoded pictures. 前記方法は、前記符号化ピクチャを伝送ユニットとしてデコーダに伝送する伝送ステップと、デコーダに伝送された伝送ユニットをバッファにバッファリングするバッファリングステップと、復号化ピクチャを形成するため、前記符号化ピクチャを復号化する復号化ステップと、を更に含む。 - 特許庁
The secondary battery includes: an electrode assembly 10 housed in a battery case 15; and a buffer sheet 40 which is located between the electrode assembly 10 and the battery case 15 and is in contact with the electrode assembly 10 and the battery case 15. 本発明の二次電池は、電池ケース15内に収容される電極組立体10、及び前記電極組立体10と前記電池ケース15との間に位置し、前記電極組立体10と前記電池ケース15に接触する緩衝シート40を含む。 - 特許庁
A plurality of solar cell units composed of the photoelectric conversion layers, the buffer layers, the insulating layers, and the transparent electrodes are formed by a plurality of opening grooves formed in different positions from the isolation grooves and with a predetermined interval, and reaching the back electrodes from the transparent electrodes. 分離溝とは異なる位置に所定の間隔で複数形成された、透明電極から裏面電極に達する開口溝により光電変換層、バッファ層、絶縁層および透明電極により構成される太陽電池ユニットが複数形成される。 - 特許庁
The method and the apparatus also determine the generation of at least one APSD station in the WLAN, and when at least one APSD station is found, then maintains at least one APSD buffer for each APSD enabled station. この方法および装置はまた、WLAN内の少なくとも1つのAPSDステーションの発生を判定し、少なくとも1つのAPSDステーションが見つかったとき、各APSD使用可能ステーションについて少なくとも1つのAPSDバッファを維持する。 - 特許庁