「buffer」を含む例文一覧(23848)
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本発明は、データ伝送のためブロックセンスアンプアレイとデータ出力バッファとの間に連結された複数のメインデータラインを持ち、一つの入出力ポートに対応して複数のメモリセルからリーとされた複数個のセルデータを先取る半導体メモリ装置に関する。 - 特許庁 - At least color conversion and dithering are performed on that color image data with the print resolution thus creating dot data indicative of the recording state of ink dots in a print pixel on the print object line and storing the dot data in a buffer BF 14.
また、このカラー画像データに関して、印刷解像度において色変換とディザ処理を少なくとも行うことによって、印刷対象ライン上の印刷画素におけるインクドットの記録状態を示すドットデータを作成してバッファＢＦ１４に格納する。 - 特許庁 - To provide a nitride semiconductor growth substrate using a gallium oxide substrate where a buffer layer preferable for growth of the nitride semiconductor is formed in the surface orientation other than the surface orientation (0001), and also to provide a manufacturing method of the same nitride semiconductor growth substrate.
ガリウム酸化物基板を用い、このガリウム酸化物基板上に窒化物半導体を成長させるのに好ましいバッファ層として、（０００１）の面方位以外の面方位に形成した窒化物半導体成長基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a nitride III-V compound semiconductor device having small transfer density of the nitride III-V compound semiconductor on a buffer layer and excellent electrical characteristics, and to provide the nitride III-V compound semiconductor device.
バッファ層上の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の転位密度が小さくて優れた電気的特性を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の製造方法および窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置を提供する。 - 特許庁 - The nitride single crystal of high quality is grown on the silicon substrate 31 using the buffer layer containing Si and Ge, thereby manufacturing the nitride semiconductor light emitting element having silicon substrate in place of an expensive sapphire substrate or an SiC substrate.
シリコン基板３１上にＳｉとＧｅを含んだバッファ層を利用して高品質窒化物単結晶を成長させることにより、高価なサファイア基板またはＳｉＣ基板を代替してシリコン基板を含んだ窒化物半導体発光素子を製造することができる。 - 特許庁 - On the basis of a sprite plotting start position in lenticular lens coordinates at the view point and the amounts of deviation of sprite plotting positions in individual view-point images, a line buffer control part 640 calculates sprite plotting start positions in lenticular lens coordinates at respective view points.
ラインバッファ制御部６４０は、本視点におけるレンチキュラレンズ座標でのスプライトの描画開始位置と各個別視点画像におけるスプライトの描画位置のズレ量とに基づいて、各視点におけるレンチキュラレンズ座標でのスプライトの描画開始位置を算出する。 - 特許庁 - This reagent comprises a substrate having 400-450 nm absorbance of a coloring compound to be dissociated by the action of leucine aminopeptidase, such as L-leucyl-p-nitroanilide, a nonionic surfactant having 0.005-0.01 w/v% final concentration and a buffer solution.
ロイシンアミノペプチダーゼの作用により解離する発色化合物の吸光度が400 〜450nm である基質、例えばＬ−ロイシル−ｐ−ニトロアニリド、最終濃度が0.005 〜0.01w/v ％である非イオン界面活性剤及び緩衝液を含有することを特徴とするロイシンアミノペプチダーゼ活性測定用試薬。 - 特許庁 - An impedance controller 10 latches P-channel control signals PCNT5-PCNT1 to change P-channel impedance control signals PCNTY5-PCNTY1 when P-channel transistors PTr5-PTr1 in an output buffer 30 with an impedance control turn off.
インピーダンス制御部１０は、インピーダンス・コントロール付き出力バッファ３０のＰチャンネルトランジスタＰＴｒ５〜ＰＴｒ１がオフになる時にＰチャンネル制御信号ＰＣＮＴ５〜ＰＣＮＴ１をラッチしてＰチャンネルインピーダンスコントロール信号ＰＣＮＴＹ５〜ＰＣＮＴ１を変化させる。 - 特許庁 - A fluorine molecular laser system includes a discharge chamber filled with mixed gas containing fluorine molecules and buffer gas, a composite electrode which is connected to a discharge circuit for exciting the mixed gas in the discharge chamber, and a resonator for generating the output beam.
フッ素分子レーザシステムは、フッ素分子とバッファガスを含む混合ガスで充たされた放電チャンバと、前記放電チャンバ内にあって前記混合ガスを励磁するための放電回路に接続された複合電極と、前記出力ビームを発生するための共振器とを含む。 - 特許庁 - When a detection object in a specimen is detected by an immuno-chromatography method, a reagent composition for immuno-chromatography containing a nonionic surface active agent, an N,N-bis(2-hydroxyethyl)glycine buffer and casein is used as specimen processing liquid or developer.
イムノクロマトグラフィー法により検体中の検出対象物を検出する際に、非イオン界面活性剤、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）グリシン緩衝剤およびカゼインを含むイムノクロマトグラフィー用試薬組成物を、検体処理液または展開液として用いる。 - 特許庁 - The page buffer includes a sense node selectively connected to the bit line of the memory cell array, a first main latch selectively connected to the sense node, a main latch circuit including a second main latch, and a latch input node selectively connected to the first and second main latches.
ページバッファはメモリセルアレイのビットラインに選択的に連結される感知ノードと、感知ノードに選択的に連結される第１メインラッチと、第２メインラッチを含むメインラッチ回路と、第１及び第２メインラッチノードに選択的に連結されるラッチ入力ノードを含む。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having an output impedance control circuit for performing highly accurate impedance adjustment for an output buffer circuit, even if power supply voltage is reduced in a semiconductor device having programmable impedance control function.
プログラマブルインピーダンス制御機能を有する半導体装置において、電源電圧が低電圧化されても、出力バッファ回路に対する高精度のインピーダンス調整を行うことができる出力インピーダンス制御回路を備えた半導体装置を提供することである。 - 特許庁 - Release of the medicament can be controlled by controlling the in vivo degradation rate of the spherical gel through regulating the metal ion concentration or chitosan deacetylation degree or the chitosan concentration of the aqueous chitosan solution and further through the concentration of a buffer solution dissolving chitosan.
薬物の放出制御は、調製液中の金属イオン濃度又はキトサンの脱アセチル化度、或いはキトサン水溶液のキトサン濃度、更にはキトサンを溶解する緩衝液濃度によって、球状ゲルの生体内分解速度をコントロールすることによりできる。 - 特許庁 - The input device comprises one or more storage spaces provided within a main body, each storage capable of storing a gravity buffering unit, and a set of elastic buffer members disposed each between the gravity buffering unit and the inside wall surface of the storage space.
入力装置の本体内に一個又は一個以上の収容スペースを設け、各収容スペースには重力緩衝ユニットを入れることが出来、且つ各重力緩衝ユニットと収容スペースの内側壁面の間に一組の弾性緩衝部材を設置する。 - 特許庁 - The medical instrument has a buffer agent 95 and at least one second biodegradable and/or bioabsorbable substance provided in a state of being attached to or included in the one or more structural components or the coating attached thereto as the modification.
医用器具は、緩衝剤（９５）及び１以上の構造的コンポーネント又は変形例としてこれに被着された被膜に付着し又はこの中に含まれた状態で設けられた少なくとも１つの第２の生分解性及び／又は生体吸収性物質を有する。 - 特許庁 - A fuel battery cell 1 includes: a fuel electrode 11; an air electrode 14; an electrolyte layer 15 between the furl electrode and the air electrode; a barrier layer 13 between the electrolyte layer and the air electrode 14; and a buffer layer 16 between the barrier layer 13 and the electrolyte layer 15.
燃料電池セル１は、燃料極１１、空気極１４、燃料極と空気極との間の電解質層１５、電解質層と空気極１４との間のバリア層１３、及びバリア層１３と電解質層１５との間の緩衝層１６を備える。 - 特許庁 - Image data inputted to an image input device 10 are transferred through a data bus 70 to an image storage device 20, and the image data transferred to the image storage means 20 are transferred through the data bus 70 to the input buffer memory 41 of an image rotation means 40.
画像入力装置１０に入力された画像データは画像蓄積装置２０にデータバス７０を介して転送され、画像蓄積手段２０に転送された画像データは画像回転手段４０の入力バッファメモリ４１にデータバス７０を介して転送される。 - 特許庁 - This output buffer circuit delays an input signal IN by connecting in series delay circuits 11 to 14 with feedback which vary in delay time according to the load placed on an output terminal 2 on the basis of an output signal OUT obtained through a feedback path L1.
フィードバック経路Ｌ１を介して得られる出力信号ＯＵＴの電位基づき、出力端子２にかかる負荷に応じて各々の遅延時間が変化するフィードバック付遅延回路１１〜１４は直列に接続されて入力信号ＩＮを遅延させる。 - 特許庁 - A two color rate calculating section 104 counts the number of color included in a peripheral pixel group located in the vicinity of a remarked pixel position and becoming 2 during raster scanning of the tile buffer 103 thus calculating two color rate Cr representing such a ratio as the number of color in a remarked tile becomes 2.
２色率算出部１０４は、タイルバッファ１０３をラスタースキャン中に、注目画素位置の近傍に位置する周囲画素群に含まれる色数が２となる個数をカウントし、注目タイル中の色数が２となる割合である２色率Ｃｒを算出する。 - 特許庁 - To provide a controller by a plurality of computers, which can sustain communication control, without increasing the storage capacity of a buffer for communication, even when the state, in which one CPU temporarily interrupts the communication with another CPU, lasts for a long period of time.
一方のＣＰＵが他方のＣＰＵとの通信を一時的に中断する状態が長期にわたる場合であっても、通信用バッファの記憶容量を増やすことなく通信制御を維持することのできる複数コンピュータによる制御装置を提供する。 - 特許庁 - Buffers 111-11N of a multiplexer section 10 receive coded streams CS1-CSN such as AV(audio visual) data, a buffer 12 receives a DSM-CC data stream DS, the signals read from the buffers 111-11N, 12 are given to a selector 15, where the signals are multiplexed.
ＡＶ（オーディオ・ビジュアル）データ等の符号化ストリームＣＳ_1〜ＣＳ_Nが多重化部１０のバッファ１１_1〜１１_Nに送られ、ＤＳＭ−ＣＣデータストリームＤＳがバッファ１２に送られ、これらのバッファ１１_1〜１１_N、１２から読み出された信号がセレクタ１５に送られて多重化される。 - 特許庁 - The TV 10 is provided with a CPU 25 for starting the video recorder 40, when a recording instruction to the video and sound signals received by the TV 10 are detected, and a memory 30 for a buffer for storing the video and sound signals on detecting the recording instruction.
ＴＶ１０は、ＴＶ１０で受信した映像及び音声信号に対する録画指示を検知すると録画機器４０を起動させるＣＰＵ２５と、録画指示を検知した時点から映像及び音声信号を記憶するバッファ用メモリ３０とを備える。 - 特許庁 - To provide an imaging apparatus obtaining a photographed image excellent in image quality free from fixed pattern noise by efficiently and accurately measuring and correcting a characteristic variation when characteristics of column amplifiers of a CMOS image sensor are varied and there are a plurality of output buffer amplifiers.
ＣＭＯＳイメージセンサの列アンプの特性ばらつき、出力バッファアンプが複数ある場合にはその特性ばらつきを、効率よく且つ精度良く測定し、補正することにより、固定パターンノイズのない画質良好な撮像画像を得る撮像装置を提供する。 - 特許庁 - A buffer layer 12, a first electron supply layer 13, a channel layer 14, a second electron supply layer 15, a diffusion layer 16, and a cap layer 17 are laminated in order on a substrate 11 consisting of a semi-insulation single crystal GaAs to form a semiconductor lamination part 10.
半絶縁性単結晶ＧａＡｓよりなる基板１１上に、バッファ層１２、第１電子供給層１３、チャネル層１４、第２電子供給層１５、拡散層１６、キャップ層１７が順次積層されて半導体積層部１０が形成される。 - 特許庁 - This invention solves the task by adopting a ring buffer configuration for memories, that respectively store state metric data by the number of trellis states calculated by an ACS(add-compare-select) unit in existence in the inside of a decoder, external information data obtained from each decoder and received data.
復号器内部に存在する加算比較器（ＡＣＳ）から算出するトレリス状態数分のステートメトリックデータ、各復号器から得られる外部情報データ、及び、受信データをそれぞれ格納する各メモリを、それぞれリングバッファ構成とすることで実現する。 - 特許庁 - Even if the surface of the N-InP substrate 1 is mechanically distorted, the mechanical distortion of the N-InP substrate 1 is absorbed by the thick N-InP buffer layer 2, and the InGaAsP multi-quantum well layer 4 can be selectively grown by keeping it from dislocation.
ｎ−ＩｎＰ基板１の表面に機械的な歪が生じた場合であっても，厚いｎ−ＩｎＰバッファ層２によって，かかる歪が吸収されることになり，転位の少ないＩｎＧａＡｓＰ多重量子井戸層４を選択成長させることが可能となる。 - 特許庁 - The output sides of the attenuation portions 1, 2 and 3 are connected to the input side of an output buffer 6 having a high input impedance, respectively via a switch S1, and via a switch S2, and attenuation portions 4, 5 and via a switch S3.
減衰部１の出力側をスイッチＳ１を介して、減衰部２の出力側をスイッチＳ２を介して、減衰部３の出力側を減衰部４，５およびスイッチＳ３を介して、それぞれ高入力インピーダンスの出力バッファ６の入力側に接続する。 - 特許庁 - The supercharging system includes a motor 3 to rotate a compressor 1 to compress suction air to be supplied to an engine, a motor driver 4 to control the operation of the motor 3, and a power buffer 8 connected in parallel with a power source 5 to supply power to the motor driver 4.
エンジンに供給される吸気を圧縮するコンプレッサ１に回転力を与えるモータ３と、このモータ３の動作を制御するモータドライバ４と、モータドライバ４に電力を供給する電源部５に並列に接続された電力バッファ８とを備えた。 - 特許庁 - When a program C needs a block C2 in a state that a vacant block is absent in a memory buffer 13, a memory management part 16 selects a program having lower use frequency of a program A and a program B, and selects a memory block having lowest use frequency of memory use areas thereof.
メモリバッファ１３に空きブロックがない状態で、プログラムＣがブロックＣ２を必要とした場合、メモリ管理部１６はプログラムＡ及びプログラムＢのうちの使用頻度の低いほうを選び、そのメモリ使用領域の中で最も使用していないメモリブロックを選択する。 - 特許庁 - Buffer members 50a and 50b, that are thicker than card-type electronic equipment 10 and are formed by an elastic material are fitted to the peripheral edge section of the card-type electronic equipment, so that it can be desorbed freely for covering at least four corners of the card-type electronic equipment.
カード状電子機器１０の厚さよりも大きな厚さを有し弾性材料により形成された緩衝部材５０ａ、５０ｂを、カード状電子機器の周縁部に脱着自在に装着してカード状電子機器の少なくとも４つの角部を覆う。 - 特許庁 - The buffer conveyor 12 receives articles 70 in a storage part 34 in an article supply position P set on a first linear line L1, and transfers the articles 70 to an article discharge position set on a second linear line L2 opposing to the first linear line L1.
バッファコンベヤ１２は、第１直線ラインＬ１に設定された物品供給位置Ｐで物品７０を収容部３４に受入れ、第１直線ラインＬ１に対向する第２直線ラインに設定された物品排出位置まで物品７０を移送する。 - 特許庁 - After a reset level in the input signal of the solid-state image pickup element 1 receiving the prescribed operating level is clamped to the prescribed level Vref, the level is sampled and held by a sample-hold circuit consisting of the MOS TR4 and the capacitor C4 via the buffer circuit 12.
所定の動作電位を与えられた固体撮像素子１の出力信号中のリセット電位は所定の電位Ｖｒｅｆにクランプされた後、バッファ回路１２を経て、ＭＯＳトランジスタＴＲ４と容量Ｃ４で構成されるサンプリングホールド回路でサンプルホールドされる。 - 特許庁 - An RTP stream processing section 103 determines an output code amount in a range not in excess of an MTU while being in cross-reference with the adopted image compression standard, and extracts bit streams whose output is determined from an entropy encoding section 102 and transfers them to a buffer 105.
ＲＴＰストリーム化部１０３は、採用される画像圧縮規格に則りつつＭＴＵを超えない範囲で出力符号量を決定し、出力が決まっている分のビット・ストリームをエントロピー符号化部１０２から取り出してバッファ１０５に転送する。 - 特許庁 - A selection circuit control unit registers priority, hash operation, and hash value, etc. in flow units, or deletes registered items, in a selection circuit management table each time a new packet is received or according to an interrupt from a buffer circuit or an interrupt for link down information from a physical IF.
選択回路制御部は、新たにパケットを受信する度、あるいは、バッファ回路からの割り込み、物理ＩＦからのリンクダウン情報の割り込みに従って、フロー単位で優先度、ハッシュ演算、ハッシュ値などの選択回路管理テーブルへの登録、削除を行う。 - 特許庁 - Using a receiver side data idle queue 2, and a transmitter side data idle queue 4 respectively storing table numbers 1-2n of the receiver side and transmitter side buffer information, the transform side data storage queue 1 and the transmitter side data storage queue 3 can conduct queue control.
受信側及び送信側バッファ情報のテーブル番号１〜２ｎをそれぞれ記憶する受信側データ空きキュー２及び送信側データ空きキュー１、受信側データ格納キュー１及び送信側データ格納キュー３とを使用してキュー制御を行う。 - 特許庁 - A driver layer execution section 6 predicts a next reading request address from a reading request address for the data reading request of non-continuous addresses, and reads necessary data into a buffer memory 8 in advance, thereby improving the cache hit rate at the next reading request.
ドライバ層実行部６はアドレスが非連続なデータ読み出し要求に対しても、読み出し要求アドレスから次回の読み出し要求アドレスを予測し、事前にバッファメモリ８上に読み出すことにより、次回の読み出し要求発生時のキャッシュヒット率を向上させる。 - 特許庁 - The total thickness of the epitaxially grown layers is controlled to 0.3-1.0 μm by providing the low-temperature-deposited InGaN layer 5 on a sapphire substrate 6 and GaN-based field effect transistor structures 1-3 on the layer 5 through a GaN buffer layer 4.
サファイア基板６上にＩｎＧａＮ低温堆積層５を設け、そのＩｎＧａＮ低温堆積層５上に、ＧａＮバッファ層４を介して、ＧａＮ系電界効果トランジスタ構造１〜３を設け、成長層の総膜厚を０．３μｍ以上１μｍ以下とする。 - 特許庁 - At a main computing block control unit 65, the bus connections are switched from the orthogonal transform memories, according to the data bit widths, and a data array is adjusted by using a 64-bit buffer (68) to transfer pairs of even-numbered data and odd-numbered data between the memories and a main computing block.
主演算ブロック側制御部（６５）において、これらの直交変換メモリから、データビット幅に応じてバス接続を切換え、またデータ配列を６４ビットバッファ（６８）を用いて調整して、偶数データおよび奇数データの組を、主演算ブロックとの間で転送する。 - 特許庁 - A current register updating data processing part 22 stores a value of the versatile register when the register updating instruction is not speculatively executed as the current register updating data in the current register updating buffer 48, and an execution result of the register updating instruction is overwritten when it is speculatively executed.
最新レジスタ更新データ処理部２２は、最新レジスタ更新バッファ４８に最新のレジスタ更新データとして、レジスタ更新命令が投機実行されていないときは汎用レジスタの値を格納し、投機実行されたときはその実行結果を上書きする。 - 特許庁 - For each of the scanning positions, from the scanning resuming position to the scanning stop position, data are used as image data derived based on image data to be generated, in response to an electric signal to be output from an image sensor and image data stored in the buffer memory.
走査再開位置から走査停止位置までの各走査位置については、イメージセンサから出力される電気信号に応じて生成される画像データと、バッファメモリに格納されている画像データと、に基づいて導き出されるデータを画像データとする。 - 特許庁 - The sealing layer is composed of one or more layers of thin films, and an end of the thin film (an organic buffer film 22 or a gas barrier layer 24) having the largest maximum thickness within the thin films constituting the sealing layer is positioned between the insulating film 18 and the circumferential wall 20.
封止層は、１層または複数層の薄膜で構成され、絶縁膜１８と周辺壁２０との間には、封止層を構成する薄膜のうち最大の膜厚が最も厚い薄膜（有機緩衝膜２２またはガスバリア層２４）の端が位置する。 - 特許庁 - In one embodiment, a method is provided including steps of storing a buffer flag busy indicator data value within a first cacheable memory location and setting a load/store operation reservation on the first cacheable memory location via the store and reserve instructions.
ある実施形態においては、第１のキャッシュ可能メモリ・ロケーション内にバッファ・フラグ・ビジー標識データ値を格納するステップと、ストア及び予約命令を介して、第１のキャッシュ可能メモリ・ロケーション上にロード／ストア・オペレーション予約を設定するステップを含む方法が提供される。 - 特許庁 - Then after a GaN layer 16 having a prescribed film thickness is grown on the GaN layer 14 by an HVPE method, the self-supporting substrate is formed by removing the GaAs substrate 10 and the GaN buffer layer 12 of a growth substrate 1 by polishing and etching or the like.
つづいて、ＨＶＰＥ法によりＧａＮ層１４の上に所定膜厚のＧａＮ層１６を成長させたあと、成長基板１のＧａＡｓ基板１０及びＧａＮバッファ層１２を研磨、エッチング等により除去してＧａＮ自立基板を得た。 - 特許庁 - This drawing device reads out map data instructed by a readout control part 22 among data on a map recording medium 21 to a map buffer 23 and expands the data in specific format such as a north-up map as they are by a storage medium map data expansion part 36 of a drawing processing part 35.
地図記録媒体２１のデータのうち読出し制御部２２で指示された地図データを地図バッファ２３に読出し、これを描画処理部３５における記録媒体地図データ展開部３６でノースアップ地図等の所定の形でそのまま展開する。 - 特許庁 - When the hand-over is completed (step S7), the movement-destination radio base station 12 starts transmitting user data which are stored in the buffer of its station and addressed to the mobile terminal 1 during the hand-over, and the movement-source radio base station 11 ends the interrupted data transmission.
ハンドオーバが完了すると（ステップＳ７）、移動先無線基地局１２は、ハンドオーバの間に自局のバッファに蓄積された移動端末１宛のユーザデータの送信を開始し、移動元無線基地局１１は中断されていたデータ送信を終了する。 - 特許庁 - In particular, at the time of realizing the communicating processing between the portable information terminal 18 and the web site 14, for example, at the time of downloading an arbitrary program or data downloaded from the Web site 14 to the portable information terminal 18, a main memory 20 of the computer 16 is used as a data buffer.
特に、携帯型情報端末１８とＷｅｂサイト１４との通信処理、例えば、Ｗｅｂサイト１４からダウンロードされた任意のプログラムやデータを携帯型情報端末１８にダウンロードする場合において、コンピュータ１６のメインメモリ２０をデータバッファとして使用する。 - 特許庁 - In the semiconductor switching element 1, an N-type reduced surface field region 302 is formed in a semiconductor substrate 301, and a P-type collector region 303a, an N-type drain region 306b and an N-type buffer region 314 are formed in the reduced surface field region 302.
半導体スイッチング素子１において、半導体基板３０１内にはＮ型リサーフ領域３０２が設けられており、リサーフ領域３０２内にはＰ型コレクタ領域３０３ａとＮ型ドレイン領域３０６ｂとＮ型バッファ領域３１４とが設けられている。 - 特許庁 - The composite film 10 obtained by laminating a base film 11, a buffer layer 12, a barrier layer 13 and a sealant layer in this order is made into a bag, and an aggregate of a solid 20 such as granules or the like is housed in the bag and then degassing packaged or vacuum packaged.
基材フィルム（１１）、緩衝層（１２）、バリア層（１３）、シーラント層（１４）が順次この順序で積層された複合フィルム（１０）を袋状に製袋し、粒状など固形物の集合体（２０）を内部に収納し、脱気包装又は真空包装した。 - 特許庁 - A buffer device 50 imposing damping force to an opposing arc electrode part 20 comprises a piston 51 fixed to the opposing arc electrode 22, a cylinder 52 fitted to the case 1 or a conductive supporting part 23, an elastic body 53 arranged inside the cylinder 52, a spring 54, or the like.
対向電極部２０に制動力を与える緩衝装置５０は、対向アーク電極２２に固着されたピストン５１と、容器１または通電支持部２３に嵌着されたシリンダ５２、シリンダ５２内部に配置された弾性体５３、ばね５４等を備えている。 - 特許庁 - A recording error is detected by a recording error detecting means 110, when information is recorded to the scrambled data precedently stored in a buffer 116 again, an exclusive OR between a preceding scramble key and a new scramble key is taken, a key of differential scramble is generated and scramble is performed.
記録エラーを記録エラー検出手段１１０にて検出し、先行してバッファ１１６に格納されたスクランブルデータに対して再度記録する際、先行スクランブルキーと新スクランブルキーの排他的論理和を取り、差分スクランブルのキーを生成しスクランブルを行う。 - 特許庁
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