「buffer」を含む例文一覧(23848)
＜前へ 1 2 .... 458 459 460 461 462 463 464 465 466 .... 476 477 次へ＞- The input buffer circuit further includes an NMOS transistor 19 for connecting between a ground and the other power supply of the differential input circuit and enabling switching between an operating state and a non-operating state of the differential input circuit, and an NMOS transistor 13 connected in parallel with the NMOS transistor 19 and receiving the output signal of the differential input circuit at its gate.
接地と差動入力回路の他方の電源との間を接続し、差動入力回路の動作状態と非動作状態とを切り替え可能とするＮＭＯＳトランジスタ１９と、ＮＭＯＳトランジスタ１９に並列に接続され、ゲートに差動入力回路の出力信号を入力するＮＭＯＳトランジスタ１３と、をさらに備える。 - 特許庁 - The control module is configured so as to separate attribute information from saving data, which are read from the flash memory with the predetermined size, store the attribute information in an attribute information storage buffer and transfer user data contained in the saving data to a saving data storage region during a writing operation including a read modify write operation of data, of which sizes are smaller than the predetermined size.
前記制御モジュールは、前記サイズ単位未満のデータの書き換えを含む書き込み動作時に、前記フラッシュメモリから読み出した前記サイズ単位の退避データから属性情報を分離して属性情報格納用バッファに格納し、前記退避データに含まれるユーザデータを退避データ格納領域に転送する構成である。 - 特許庁 - It includes means (12) for the identification, from a valued directed multi-graph made up of the union of several distinct processing graphs and divided into several valued directed sub-multi-graphs (54, 56, 58) called chunks, and whose input and output nodes are buffer memory nodes of the multi-graph, of a coordination module (16, 26, 34) for each chunk.
それは、複数の異なる処理グラフを結合することによって形成され、チャンクと呼ばれる値付きの複数の有向サブマルチグラフ（５４，５６，５８）に分割され、その入力および出力ノードがマルチグラフのバッファメモリノードである、値付きの有向マルチグラフから、各チャンクに関する調整モジュール（１６，２６，３４）を特定するための手段１２を含む。 - 特許庁 - A read control section 34 reads the PLP stored in the buffer 31 with a lapse of delay time that is obtained from the PLP to be inputted and delay time operation information and is the time from when Common PLP synchronizes with Data PLP to when the PLP is read, and outputs the TS restored according to the TS rate to a post-stage decoder, thus reliably performing decoding by the decoder.
読み出し制御部３４は、入力されるPLPや遅延時間演算情報から得られる、Common PLPとData PLPが同期してからPLPを読み出すまでの遅延時間を経過した後、バッファ３１に蓄積されたPLPを読み出し、TSレートに従って復元されたTSを後段のデコーダに出力することで、デコーダによるデコードを確実に行うことができるようになる。 - 特許庁 - By having a dummy cell array 201 arranged in a memory cell array 101, and an intermediate buffer 300 arranged between the dummy cell array and the input-output circuits 400, control signal of the input-output circuit 400 can be operated at a high speed and at a high frequency in the memory of a large bit width, while the effect of increasing area to the absolute minimum is suppressed.
ダミーセルアレイ２０１をメモリセルアレイ１０１内に配置し、中間バッファ３００を入出力回路４００の間に配置することにより、ビット幅の大きなメモリにおいても面積増大効果を最小限に抑えつつ、入出力回路４００の制御信号を高速かつ高周波で動作させることを可能にする。 - 特許庁 - The game device comprises a packet processing part which carries out the processing of packets to be transferred to or from other game devices through a network, a packet buffer which houses the packets received from other game devices, a game arithmetic part which carries out arithmetic processing for games based on the data transferred by the packets and an image generation part which generates images based on the results of the arithmetic processing for games.
ゲーム装置は、ネットワークを介して他のゲーム装置との間で転送されるパケットの処理を行うパケット処理部と、他のゲーム装置から受信したパケットが格納されるパケットバッファと、パケットにより転送されるデータに基づいて、ゲーム演算処理を行うゲーム演算部と、ゲーム演算処理の結果に基づいて画像を生成する画像生成部を含む。 - 特許庁 - At least a surface region 2 includes a crystal growth substrate 3 made of an aluminum-containing group-III nitride semiconductor, a single metal layer 4 formed on the surface region 2 and made of crystallized Zr or Hf, and an initial growth layer 5 formed on the single metal layer 4 and formed by at least one buffer layer made of Al_xGa_1-xN (0≤x≤1).
少なくとも表面部分２がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板３と、前記表面部分２上に形成され、結晶化されたZrまたはHfからなる単一金属層４と、前記単一金属層４上に形成され、Al_xGa_1-xN(0≦x≦1)からなる少なくとも一層のバッファ層からなる初期成長層５と、を具える。 - 特許庁 - The thin film transistor includes: a substrate; a source electrode and a drain electrode on the substrate; an oxide active layer between the source electrode and the drain electrode; a gate electrode on one side of the oxide active layer; a gate insulating film between the gate electrode and the oxide active layer; and a buffer layer between the gate insulating film and the oxide active layer.
本発明の薄膜トランジスターは、基板、基板上のソース電極、及びドレーン電極、ソース電極、及びドレーン電極間の酸化物活性層、酸化物活性層の一面の上のゲート電極、ゲート電極と酸化物活性層との間のゲート絶縁膜、及びゲート絶縁膜と酸化物活性層との間の緩衝層を含む。 - 特許庁 - In a data control circuit 1, a warning status flag 409 is enabled when the free space in the buffer memory 3 decreases to a predetermined level, and control is performed for halting input data loading, upon detecting that the warning status flag 409 is enabled, while restart information for restarting output of the input data is held.
バッファーメモリー部３の空き容量が減少し所定の容量になったときにワーニングステータスフラグ４０９を有効とし、ワーニングステータスフラグ４０９が有効であることを検知すると、入力データの取込み停止の制御を行うと共に、前記入力データの出力を再開させるための再開情報を保持するデータ制御回路１を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of having a nitride-based group III-V compound semiconductor layer, forming an device structure having a surface which is flat and superior in crystallinity on a substrate, such as, a sapphire substrate without making a buffer layer grow, and to provide the semiconductor device manufactured by the method.
表面が平坦でかつ結晶性が良好な、素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をサファイア基板などの基板上に、バッファ層を成長させることなく成長させることができる半導体素子の製造方法およびそのような方法により製造される半導体素子を提供する。 - 特許庁 - A reading control part 223 controls a reading unit 214 on the basis of the resultant determination so as to read coefficient data from a buffer 104 at such timing that an inverse wavelet transform unit 105 can output the image data in a base band by two lines every other horizontal synchronization period, and supplies the coefficient data to the inverse wavelet transform unit 105.
読み出し制御部２２３は、その判定結果に基づいて読み出し部２１４を制御し、ウェーブレット逆変換部１０５がベースバンドの画像データを水平同期期間１つおきに２ラインずつ出力することができるようなタイミングで、係数データをバッファ部１０４から読み出させ、ウェーブレット逆変換部１０５に供給させる。 - 特許庁 - A data transfer module 69 in a data control substrate 20 side transfers a data DATA in which a waveform kind data WD (header) generated by a waveform kind data generating part 67 is added to a delivery data SI read out from a buffer 68, at a period synchronized with the timing signal TS generated based on an encoder pulse signal ES by a PLL 66.
データコントロール基板２０側のデータ転送モジュール６９は、バッファー６８から読み出した吐出データＳＩに波形種データ生成部６７が生成した波形種データＷＤ（ヘッダー）を付したデータＤＡＴＡを、ＰＬＬ６６がエンコーダーパルス信号ＥＳに基づき生成したタイミング信号ＴＳに同期した周期で転送する。 - 特許庁 - The gateway 2 also sets the total amount of maximum band per unit of terminal or per unit of terminal and service between the base station 4 and the terminal 6 and between the base station 4 and the gateway 2, based on radio section's band information such as a buffer amount of transmission waiting packets in each base station 4.
また、基地局４〜端末６間および基地局４〜ゲートウェイ２間の各端末６の端末単位または端末かつサービス単位の最大帯域に対して、基地局４単位または基地局４かつサービス単位の最大帯域の総量を、各基地局４の送信待ちパケットバッファ量などの無線区間の帯域情報に基づいてゲートウェイ２が設定する。 - 特許庁 - Waveform data stored in the NAND flash memory or the like is read out on a page basis without no interruption to the CPU, samples can be supplied to the buffer of the waveform memory, and the error detection and correction of the data read from an external memory such as the NAND flash memory are performed by an error correction unit of the tone generator.
ＣＰＵへの割り込み無しで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等に格納した波形データのページ単位での読出しを行い、波形メモリのバッファにサンプル補充ができるようにするとともに、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の外部メモリから読出したデータについてのエラー検出と訂正を楽音生成部内のエラー訂正部で行う。 - 特許庁 - The control part 410 performs write control for writing a register value in the first to n-th register parts REG1 to REGn of the first to n-th circuit devices 100-1 to 100-n, and increases the driving ability of the controller-side output buffer OBX when any communication error occurs in the communication through the bus BSG.
制御部４１０は、第１〜第ｎの回路装置１００−１〜１００−ｎの第１〜第ｎのレジスター部ＲＥＧ１〜ＲＥＧｎに対してレジスター値を書き込むための書き込み制御を行い、バスＢＳＧを介した通信において通信エラーが発生した場合には、制御装置側出力バッファーＯＢＸの駆動能力を増加させる設定を行う。 - 特許庁 - When the semiconductor device using a nitride-based group III-V compound semiconductor is manufactured, the nitride-based group III-V compound semiconductor layer 12, forming the device structure, is grown directly on the sapphire substrate 11 having a principal surface which is -0.5 to 0° off an R surface, in a C-axial direction without making a buffer layer grow.
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体素子を製造する場合に、Ｒ面からＣ軸方向に−０．５°以上０°以下オフした主面を有するサファイア基板１１上に、素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１２をバッファ層を成長させることなく直接成長させる。 - 特許庁 - An amorphous silicon-based photoelectric conversion device comprises a conductivity type layer formed of an amorphous silicon-based semiconductor, a buffer layer containing a microcrystalline silicon phase, a photoelectric conversion layer formed of a substantially intrinsic amorphous silicon-based semiconductor and a reverse conduction type layer formed of a non-single-crystal silicon-based semiconductor which are arranged from a light incident side in this order.
光入射側から順に、非晶質シリコン系半導体からなる一導電型層と、微結晶シリコン相を含むバッファ層と、実質的に真性の非晶質シリコン系半導体からなる光電変換層と、非単結晶シリコン系半導体からなる逆導電型層とが、配置されてなる非晶質シリコン系光電変換装置によって、解決する。 - 特許庁 - An impurity adjustment region 119 with P-type impurities introduced in the heavily doped part 115b is formed in a collector region 116 side part, and carrier (electron) concentration of the part is reduced, whereby the efficiency of minority carrier injection into the buffer region 115 and the drift region 104 from the collector region 116 is improved, and the on-voltage is reduced.
一方、高不純物濃度部分１１５ｂ中にＰ型不純物を導入した不純物調整領域１１９をコレクタ領域１１６側部に設け、この部分のキャリア（電子）濃度を低減させることで、コレクタ領域１１６からバッファ領域１１５、ドリフト領域１０４への少数キャリア注入効率を向上させ、オン電圧を低減させる。 - 特許庁 - A toner supply device 5A having the buffer portion for circulating and conveying the developer for supply includes: a first drive system in which a stirring vane 36 and stirring screws 18 and 19 are simultaneously driven and a conveying screw 21 is kept stopped; and a second driving system in which the stirring screws 18 and 19 and the conveying screw 21 are simultaneously driven.
補給用現像剤を循環搬送するバッファ部を有したトナー補給装置５Ａにおいて、攪拌羽３６と攪拌スクリュー１８、１９を同時に駆動させると共に、搬送スクリュー２１は停止したままにしておく第１の駆動方式と、攪拌スクリュー１８、１９と搬送スクリュー２１を同時に駆動させる第２の駆動方式を有する。 - 特許庁 - The controller 400 includes a controller-side input/output circuit IOX connected to the first signal line SG1 of the bus BSG, a controller-side driving ability setting register RA for setting the driving ability of controller-side output buffer OBX of the controller-side input/output circuit IOX, and a control part 410.
制御装置４００は、バスＢＳＧの第１の信号線ＳＧ１に接続される制御装置側入出力回路ＩＯＸと、制御装置側入出力回路ＩＯＸの制御装置側出力バッファーＯＢＸの駆動能力を設定するための制御装置側駆動能力設定レジスターＲＡと、制御部４１０とを含む。 - 特許庁 - According to whether the positive power supply voltage and the negative power supply voltage are symmetric or asymmetric, operation with the positive power supply voltage-the ground voltage, or the ground voltage-negative power supply voltage is selected for the gamma buffer placed at the border area of the upper gamma voltage range and the lower gamma voltage range.
また、ソースドライバーでポジティブ電源電圧とネガティブ電源電圧が非対称的または対称的な関係になることに対応して、上位ガンマ電圧範囲と下位ガンマ電圧範囲の境界領域に位置したガンマバッファーにとってポジティブ電源電圧-接地電圧に動作するか、または接地電圧-ネガティブ電源電圧に動作する。 - 特許庁 - The nitride-based diode 10 includes a buffer layer 12 formed on a (111) plane of a silicon substrate 11, a channel layer 13 made of undoped GaN, an electron supply layer 14 formed on the channel layer 13 and made of undoped AlGaN, and a cathode electrode 15 and an anode electrode 16 formed on the electron supply layer 14.
窒化物系ダイオード１０は、シリコン基板１１の（１１１）面上に形成されたバッファ層１２と、アンドープのＧａＮからなるチャネル層１３と、チャネル１３層上に形成されたアンドープのＡｌＧａＮからなる電子供給層１４と、電子供給層１４上に形成されたカソード電極１５およびアノード電極１６とを備える。 - 特許庁 - The solid pharmaceutical composition includes (a) the factor VIII, (b) a surfactant, (c) calcium chloride, (d) sucrose, (e) sodium chloride, (f) trisodium citrate, and (g) a buffer devoid of amino acids; is obtained by lyophilizing a solution free of amino acids; and has a pH of from 6 to 8 prior to the lyophilization and after reconstitution in water for injection.
(a) 第VIII因子； (b) 表面活性剤； (c) 塩化カルシウム； (d) スクロース； (e) 塩化ナトリウム； (f) クエン酸三ナトリウム;及び (g) アミノ酸を含まない緩衝剤；を含有する、アミノ酸を含まない溶液の凍結乾燥によって得られる固体医薬組成物であって、凍結乾燥前及び注射のための水中での再構成後に６〜８のpHを有する固体医薬組成物。 - 特許庁 - Moreover, an opening of the enclosed space 3a through the deformation of the buffer 3 improves makes a region inside the enclosed space 3a serve as an air space A to improve a void rate inside the fuel assembly storage cask 200 and restrain a pressure (internal pressure) in an internal space 201a from rising due to an expansion of the water W in a thermal environmental event.
しかも、緩衝体３が変形して密閉空間３ａを開放することで、密閉空間３ａ内の領域が空気層Ａとなって燃料集合体収納容器２００内のボイド率が向上され、熱的環境事象において、水Ｗの膨張による内部空間２０１ａの圧力（内圧）の上昇が抑制される。 - 特許庁 - Differential value of the period of the predetermined number of cycles of an input clock signal from an expected value of the number of cycles of an output clock signal is calculated in each of a plurality of frames; timing correction is performed based on the differential value during the vertical blanking period of a next frame; and then the pixel data is read from the buffer to be output, in synchronization with an output clock signal.
それぞれのフレームにおいて、入力クロック信号の所定のサイクル数の期間の出力クロック信号のサイクル数の期待値との差分値を算出し、次のフレームの垂直ブランキング期間に差分値にもとづいたタイミングの補正を行ってから、出力クロック信号に同期してバッファから画素データを読み出して出力する。 - 特許庁 - This soundproof flooring material 10 includes the plate-like wood base material 12 with a specific gravity of 0.2-0.4, a surface strengthening layer 13 which is provided on the top surface of the wood base material 12 and which is higher in hardness than the wood base material 12, and a buffer material 14 which is attached to an undersurface of the wood base material 12.
防音床材１０を、０．２以上０．４以下の比重を有する板状の木質基材１２と、木質基材１２の上面に設けられた、木質基材１２よりも硬度が高い表面強化層１３と、木質基材１２の下面に取り付けられた緩衝材１４とで構成することにより、上記課題を解決することができる。 - 特許庁 - The target sheet 7 of the diaper 1A includes an engaging area 7a to be engaged with the fastening tape 6 at the center part in the longitudinal direction, fixing areas 7c with the main body 10 at both end parts in the longitudinal direction, and deforming buffer areas 7b to be deformed accompanying the movement of a diaper wearer between the engaging area 7a and the respective fixing areas 7c.
おむつ１Ａのターゲットシート７は、縦方向中央部にファスニングテープ６と係合する係合領域７ａと、縦方向両端部に本体１０との固定領域７ｃと、係合領域７ａと各固定領域７ｃとの間におむつ装着者の動きに伴い変形する変形緩衝領域７ｂとを有している。 - 特許庁 - When a running part assembling body 36 is separated from a lower running body 2 so as to travel on a local street for transportation, a fixing bracket 37 is mounted between an idle wheel bracket 8 of a side frame 7 and a buffer mechanism 21 of a crawler stretch adjusting device 19 in such a state that the crawler stretch adjusting device 19 is moved to a position where a crawler stretch 16 does not loose.
一般道路を走行して輸送するために下部走行体２から走行部組立体３６を分離する場合には、履帯張り調整装置１９を履帯１６が弛まない位置まで移動させた状態で、サイドフレーム７の遊動輪ブラケット８と履帯張り調整装置１９の緩衝機構２１との間に固定ブラケット３７を取付ける。 - 特許庁 - During a test, a signal is sent from a test input terminal to drive the test control circuit, a signal is output from the output side of an input/output tri-state circuit provided for use in test, and the drive result is observed at an input buffer of the input/output tri-state circuit, thereby checking whether the pull-up and pull-down resistance of a load is present.
テスト時にはテスト用入力端子から信号を送りテスト制御回路を駆動し、テスト用に設けた入出力トライステート回路の出力側から信号を出力し、その駆動結果を入出力トライステート回路の入力バッファで観測することにより、負荷のプルアップ、プルダウン抵抗があるかどうかをチェックする。 - 特許庁 - By employing a fluoride (one of CaF_2, BaF_2 and MgF_2) as a buffer layer on a diamond single-crystal substrate or an epitaxial thin film, an excellent ferroelectric PZT thin film having remnant polarization charge (68 μC/cm^2) twice as much as that of a conventional one while keeping a coercive electric field at the same value (33 kV/cm) is provided.
ダイヤモンド単結晶基板またはエピタキシャル薄膜上にフッ化物（ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＭｇＦ_２の内一つ）を緩衝層として用いることにより、抗電界を同じ大きさ（３３ｋＶ／ｃｍ）に保ちながら、従来の２倍の残留分極電荷（６８μＣ／ｃｍ^２）を持つ優れた強誘電性のＰＺＴ薄膜を提供する。 - 特許庁 - When zoom-in operation is performed by a user (Y in S3), whether a zoom lens 3 is positioned at the Wide end is determined (S4), and when the zoom lens is determined to be positioned at the Wide end, image data picked up by a CCD 5 are stored as sub-image data in a buffer memory, and the stored sub-image 22 is displayed together with a through image (S5).
ユーザによってズームアップ操作が行なわれると（Ｓ３でＹ）、ズームレンズ３がＷｉｄｅ端に位置しているか否かを判断し（Ｓ４）、ズームレンズがＷｉｄｅ端に位置していると判断するとＣＣＤ５により撮像された画像データをサブ画像データとしてバッファメモリに記憶し該記憶したサブ画像２２をスルー画像とともに表示させる（Ｓ５）。 - 特許庁 - There is provided the organic electronic device including a conductive polymer and high resistance buffer layers containing a plurality of nanoparticles dispersed therein, where the nanoparticles are selected from an organic polyacrylic acid, a carbon nanotube, a colloid forming sulfonic acid nanoparticle and a group consisting of these mixtures.
本発明は、導電性ポリマーと、そこに分散した複数のナノ粒子とを含む高抵抗バッファー層を含むことを特徴とする有機電子デバイスであって、 前記ナノ粒子が、有機ポリアクリル酸、カーボンナノチューブ、およびコロイド形成スルホン酸ナノ粒子ならびに、これらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする有機電子デバイスである。 - 特許庁 - The method of growing a crystal of the nitride semiconductor on the crystalline nitride semiconductor substrate comprises supply of gaseous raw materials onto the substrate while keeping the temperature of the substrate within the temperature range of 400 to 600°C so as to form a low temperature buffer layer composed of the nitride semiconductor material on the surface of the substrate.
結晶性の窒化物半導体からなる基板上に窒化物半導体を結晶成長させる方法であって、前記基板に対して原料ガスを供給すると共に当該基板を４００℃〜６００℃の範囲に保持することで、当該基板表面に窒化物半導体材料で構成された低温バッファー層を形成する。 - 特許庁 - If synchronous signals and frame identification signals provided from the outside are provided to a plurality of signal processing circuits, phase difference of video signals output from the signal processing circuits is reduced, which makes it possible to match the phases of the video signals output from the signal processing circuits using a line buffer and to display a high-resolution video.
外部から供給された同期信号やフレーム識別信号を複数の信号処理回路に供給した場合に信号処理回路から出力される映像信号の位相差が少なくなるので、ラインバッファを用いて、信号処理回路から出力される映像信号の位相を一致させて、高解像度の映像表示を行うことができる。 - 特許庁 - To provide a lubricant composition containing buffer particles capable of reducing rattling sounds still more effectively without increasing excessively the torque of a speed reducer and the steering torque of an electric power steering device while influence of the temperature is excluded as much as practicable, and provide a speed reducer using the same and power steering device.
温度の影響を極力排除しながら、減速機の回転トルク、および電動パワーステアリング装置の操舵トルクを過剰に上昇させることなしに、ラトル音を、より一層、効果的に低減することができる緩衝材粒子入りの潤滑剤組成物と、それを用いた減速機および電動パワーステアリング装置を提供すること。 - 特許庁 - When a prize ball dispensation monitoring timer is time-out in signal output processing for test, and when the value of an excessive dispensation number storage counter exceeds a prescribed value, the storage value of a total prize ball number storage buffer exceeds a prescribed value or a dispensation stop flag is set, a CPU outputs a game machine error state signal as a signal for test.
試験用信号出力処理にて、ＣＰＵは、賞球払出監視タイマがタイムアウトしている場合、過剰払出数記憶カウンタの値が所定値を超えている場合、総賞球数格納バッファの格納値が所定値を超えている場合、あるいは払出停止フラグがセットされている場合に、遊技機エラー状態信号を試験用信号として出力する。 - 特許庁 - A plurality of discrete time analog processing circuits 101 are connected in parallel with each other, a gm value and a capacitance of a capacitor in each circuit system are set independently based on a prescribed condition, and an output signal obtained from each circuit system is synthesized by means of a buffer capacitor 102, so that an equivalently high-dimensional IIR filter property is achieved.
複数の離散時間アナログ処理回路１０１を並列に接続し、各々の回路系統におけるｇｍ値やキャパシタの容量値を、所定の条件に基づいて独立に設定し、各々の回路系統から得られる出力信号をバッファキャパシタ１０２によって合成することにより、等価的に高次なＩＩＲフィルタ特性を実現する。 - 特許庁 - The toner supply device 5A, provided with a buffer part of circulatively conveying the developer for supply, comprises: a first driving system which drives stirring blades 36 and stirring screws 18, 19 simultaneously and leaves a conveyance screw 21 stopped as it is; and a second driving system which drives the stirring screws 18, 19 and the conveyance screw 21 simultaneously.
補給用現像剤を循環搬送するバッファ部を有したトナー補給装置５Ａにおいて、攪拌羽３６と攪拌スクリュー１８、１９を同時に駆動させると共に、搬送スクリュー２１は停止したままにしておく第１の駆動方式と、攪拌スクリュー１８、１９と搬送スクリュー２１を同時に駆動させる第２の駆動方式を有する。 - 特許庁 - A buffer material 14 formed of glass cloth is disposed between a circular arc mounting seat 11b formed in a mounting bracket 11 for mounting and supporting the muffler 6 on a housing 3a on the engine 3 side and a lower half of the muffler 6 engaged with the mounting seat 11b, thereby reducing the noise and abnormal sound in the muffler 6 mounting part.
マフラー６をエンジン３側のハウジング３ａに取付け支持するための取付けブラケット１１に形成される円弧状の取付け座１１ｂと、該取付け座１１ｂに嵌合するマフラー６下半部とのあいだに、ガラスクロスからなる緩衝材１４を介装して、マフラー６の取付け部における騒音、異音の低減を計るようにした。 - 特許庁 - The bit stream is acquired at a maximum bit rate from a recording medium for recording the bit stream encoded at a variable bit rate or from a radio wave based on a prescribed control signal and stored in a transmission buffer at a maximum bit rate, and the read bit stream is transmitted through a digital network at a bit rate higher than the maximum bit rate of the bit stream.
可変ビットレートで符号化されたビットストリームが記録された記録メディア又は電波からビットストリームを所定の制御信号に基づいて最大ビットレートで取得して、送信バッファに最大ビットレートで記憶した後、読み出したビットストリームを、ビットストリームの最大ビットレートよりも高いビットレートで伝送可能なディジタルネットワークに送出する。 - 特許庁 - This electroluminescence display is provided with the first glass substrate 100 having the EL element 101 on its surface, the second glass substrate 200 stuck to the first glass substrate 200 using sealing resin 150, a desiccant layer 210 formed on the surface of the second glass substrate 200, and a stress buffer layer 211 covering the surface of the desiccant layer 210.
表面にＥＬ素子１０１を備えた第１のガラス基板１００と、第１のガラス基板２００とシール樹脂１５０を用いて貼り合わされた第２のガラス基板２００と、第２のガラス基板２００の表面に形成された乾燥剤層２１０と、乾燥剤層２１０の表面を被覆する応力緩衝層２１１と、を有する。 - 特許庁 - A hydrogen activity measuring cell comprising a platinum electrode, a silver-silver chloride electrode, and a cell for housing an electrolytic solution containing a carbonate buffer solution is provided with a preceding chamber for adjusting hydrogen gas containing saturate steam and a prescribed amount of carbon dioxide, and the hydrogen gas is supplied for the platinum electrode from the preceding chamber in the hydrogen activity measuring apparatus.
白金電極と銀/塩化銀電極と炭酸塩緩衝溶液を含む電解液を収納するセルからなる水素活量測定セルにおいて、飽和水蒸気及び一定量の二酸化炭素を含んだ水素ガスを調整する前室を設け、前室からの水素ガスを白金電極に供給することを特徴とする水素活量測定装置。 - 特許庁 - In a printer where print data stored in an image buffer 116 is subjected to raster row conversion processing before being outputted to a print head 131, original print data is subjected to high resolution conversion processing in an appropriate conversion processing mode by an ASIC 117 and the processed print data is subjected to raster row conversion processing before being outputted to the print head 131.
イメージバッファ１１６に格納されたプリントデータをラスタロー変換処理してプリントヘッド１３１に出力するプリンタにおいて、オリジナルのプリントデータをＡＳＩＣ１１７により、適宜の変換処理モードにより高解像度化変換処理し、当該処理がなされたプリントデータをラスタロー変換処理してプリントヘッド１３１に出力することを特徴とする。 - 特許庁 - On a buffer layer 23, an n-type InGaAs channel layer 24 having a large electron affinity and high impurity concentration, an InGaAs channel layer 25 having a large electron affinity and low impurity concentration, an n-type AlGaAs barrier layer (electron feeding layer) 26 having a small electron affinity and high impurity concentration, and an n+-type GaAs contact layer 27, are stacked.
バッファ層２３の上に、電子親和力が大きくて高不純物濃度のｎ型ＩｎＧａＡｓチャネル層２４、電子親和力が大きくて低不純物濃度のＩｎＧａＡｓチャネル層２５、電子親和力が小さくて高不純物濃度のｎ型ＡｌＧａＡｓ障壁層（電子供給層）２６、ｎ^＋型ＧａＡｓコンタクト層２７を積層する。 - 特許庁 - A hydraulic buffer 10 which is provided with a back pressure applying means 93 for applying pressure to a back pressure chamber of a piston ring 90, is allowed to control an attitude of a vehicle by controlling pressure applied to the back pressure chamber 91 with the back pressure applying means 93 with a vehicle attitude control unit 100 in response to an acceleration and deceleration state of a vehicle.
油圧緩衝器１０において、ピストンリング９０の背圧室に圧力を付与する背圧付与手段９３を設け、車両姿勢制御装置１００によって、背圧付与手段９３が背圧室９１に付与する圧力を車両の加減速状態に応じて制御することにより、車両の姿勢を制御可能にするもの。 - 特許庁 - The element structure comprises a sapphire C face substrate 1, a GaN buffer layer 11 grown under a low temperature, an undoped GaN layer 12, an Si doped n-GaN contact layer 21, a multiple quantum well MQW emission layer 3 having a plurality of well layers, an Mg doped p-AlGaN clad layer 22, and an Mg doped p-GaN contact layer 23.
素子構造は、サファイアＣ面基板１、低温成長されたＧａＮバッファ層１１、無添加のＧａＮ層１２、Ｓｉ添加のｎ-ＧａＮコンタクト層２１、複数の井戸層を有する多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の発光層３、Ｍｇ添加のｐ-ＡｌＧａＮクラッド層２２、Ｍｇ添加のｐ-ＧａＮコンタクト層２３からなる。 - 特許庁 - Upon receiving the final data detection signal 40, the monitoring section 22 generates a control signal (not shown) of the number of times of reading individual encoded data not reaching a specified number of transmission times and the data 42 read out from the buffer section 20 is transmitted again depending on the number of times control signal thus equalizing the number of transmission times of data.
送信回数監視部22では最終データ検出信号40の供給時に、所定の回数に送信回数が達していない符号化した個々のデータの読出しおける回数制御信号（図示せず）を生成し、この回数制御信号に応じてバッファ部20から読み出したデータ42を再送してデータの送信回数をすべて同じにする。 - 特許庁 - Impurity diffusion layers 4, a buffer insulating layer 4 composed of (Ce, Zr)O2 (or CeO2), the second ferroelectric layer 5 comprising Bi3TiNbO9, the first ferroelectric layer 6 consisting of Bi4Ti3O12, and a gate electrode 7 composed of polysilicon are laminated successively in an active region surrounded by the LOCOS film 2 of a silicon substrate 1.
シリコン基板１のＬＯＣＯＳ膜２によって囲まれる活性領域には、不純物拡散層４と、（Ｃｅ，Ｚｒ）Ｏ_2 （又はＣｅＯ_2 ）からなるバッファ絶縁層４と、Ｂｉ_3 ＴｉＮｂＯ_9 からなる第２の強誘電体層５と、Ｂｉ_4 Ｔｉ_3 Ｏ__12からなる第１の強誘電体層６と、ポリシリコンからなるゲート電極７とが順に積層されている。 - 特許庁 - A sum-of-product computing part 36 reads out a musical sound signal data from a musical sound signal buffer 35, reads out the impulse response coefficient including the corrected impulse response coefficient in the crossfading section, from the correction coefficient memory 34, multiplies the musical sound signal data by the corresponding impulse response coefficient, sums up multiplied results, and outputs a summed-up result.
積和演算部３６は、楽音信号バッファ３５から楽音信号データを読み出し、補正係数メモリ３４からクロスフェード区間における補正されたインパルス応答係数を含むインパルス応答係数を読み出して、楽音信号データと対応するインパルス応答係数とを乗算して、当該乗算結果を累算して、累算結果を出力する。 - 特許庁 - A command forming means 210 obtains information data necessary for realizing desired functions from the separate information control means 110 for the function 1, the separate information control means 120 for the function 2, and the separate information control means 130 for the function 3, forms the navigation commands, and stores the formed navigation command in the optimum block in a buffer 220.
コマンド作成手段２１０は、所望の機能を実現するために必要な情報データを機能１個別情報管理手段１１０、機能２個別情報管理手段１２０及び機能３個別情報管理手段１３０から取得してナビゲーションコマンドを作成し、作成したナビゲーションコマンドをバッファ２２０内の最適なブロックに蓄積する。 - 特許庁
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