「nm」を含む例文一覧(14378)
＜前へ 1 2 .... 73 74 75 76 77 78 79 80 81 .... 287 288 次へ＞- To provide a particle electrostatic charge apparatus which can electrostatically charge with a high charge efficiency even for a nanoparticle of equal to or less than 50 nm.
５０ｎｍ以下のナノ粒子に対しても高い帯電効率で帯電させることのできる粒子帯電装置を提供する。 - 特許庁 - The fluorescent material 18 emits near-ultraviolet light with the wavelength of 320 to 400 nm, thus ultraviolet lights of both UV-A band and UV-C band are obtained with one lamp.
これにより、ＵＶ−Ａ領域の光とＵＶ−Ｃ領域の光の両方の紫外線を一本のランプで得る。 - 特許庁 - To provide a group III nitride semiconductor laser diode capable of lasing to emit light of 500 nm or more using a semipolar plane.
半極性面を用いて５００ｎｍ以上の光のレーザ発振可能なIII族窒化物半導体レーザダイオードを提供する。 - 特許庁 - The fiber Bragg grating is formed by irradiating an optical fiber with interfered solid laser light having wavelength of from 300 to 360 nm.
光ファイバに波長３００〜３６０ｎｍの固体レーザ光を干渉させながら照射してファイバブラッググレーティングを形成する。 - 特許庁 - This protection material includes polyethylene fiber of high strength having a monoclinic-derived crystal size of 9 nm or less.
本発明は、モノクリニック由来の結晶サイズが９ｎｍ以下である高強度ポリエチレン繊維を含んでなる防護材料に関する。 - 特許庁 - Firstly, an amorphous silicon film 2 of 10 nm or thinner and a silicon oxide film 3 which serves as a cap are formed on a silicon carbide substrate 1.
まず、炭化珪素基板１上に１０ｎｍ以下のアモルファスシリコン膜２、キャップとなるシリコン酸化膜３を形成する。 - 特許庁 - The particle size d of fine particles is 5-500 nm, and content of fine particles is 0.1-40 atom.%.
微粒子の粒径ｄは５ｎｍ≦ｄ≦５００ｎｍであり，また微粒子の含有量Ｇは０．１原子％≦Ｇ≦４０原子％である。 - 特許庁 - A transparent meter lens to shut off the light of wavelength region under 400 nm approximatelly is installed at an opening 51 provided in an end plate 50.
見返し板５０の開口５１に、約４００ｎｍ以下の波長域の光を遮断する透明なメータレンズを装着する。 - 特許庁 - The surface part of the X-ray emission phosphor film 22 is irradiated with high energy light L having a wavelength of 500 nm or less.
Ｘ線発光蛍光体膜２２の表面部に、５００ｎｍ以下の波長を有する高エネルギー光Ｌを照射する。 - 特許庁 - The forward exciting light feeders 3 and 6 supply the forward exciting light having a wavelength of 1480 nm to the amplifying optical fiber 2.
前方励起光供給器３，６は、１４８０ｎｍ波長帯の前方励起光を増幅用光ファイバ２に供給する。 - 特許庁 - As a result, it is possible to obtain a nanometer-order aldehyde-based resin particulate which is spherical and has a particle size of 1,000 nm or less.
この結果、球状で且つ粒子径が１０００ｎｍ以下のナノオーダーのアルデヒド系樹脂微粒子を得ることができる。 - 特許庁 - The controller calculates a value obtained by multiplying a value obtained by dividing Δθ[n] by ΔT[n] by a coefficient K as rotational speed NM.
そして、制御装置は、Δθ［ｎ］をΔＴ［ｎ］で割った値に係数Ｋを掛けた値を、回転速度ＮＭとして算出する。 - 特許庁 - To provide a material in which pores having a diameter of ≤0.1 μm (100 nm) are formed using supercritical carbon dioxide.
超臨界の二酸化炭素により直径が０．１ミクロン（１００ｎｍ）以下の空孔を形成するための材料を提供する。 - 特許庁 - The channel region 17 is preferably formed in a portion of the semiconductor layer 14, having a film thickness of 10 nm or more.
チャネル領域１７は、有機半導体層１４中の、膜厚が１０ｎｍ以上の部位に形成されているのが好ましい。 - 特許庁 - To provide a chemical amplification type resist composition excellent in transmittance to light of ≤170 nm wavelength and suitable particularly for F_2 excimer laser lithography.
１７０nm以下の波長の光に対する透過率に優れ、特にＦ_2 エキシマレーザーリソグラフィに適したレジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - In addition, using the LED emitting a short wavelength light of 360-400 nm allows preventing generation of an intermediate generated by a photodecomposition of ozone.
さらに 360〜 400ｎｍの短波長光を発するＬＥＤを用いれば、オゾンの光分解による中間体の生成が防止される。 - 特許庁 - To provide optical glass whose internal transmissivity in a short wavelength region is heightened, particularly in the wavelength range of 395-400 nm.
短波長領域、特に３９５〜４００ｎｍの波長範囲において内部透過率の高められた光学ガラスを提供する。 - 特許庁 - In this way, the tin, zinc, aluminum-containing indium oxide particle having average particle diameter of 5-100 nm is obtained.
これにより、粒子の平均粒子径が５ｎｍから１００ｎｍの範囲にあるスズ亜鉛アルミニウム含有酸化インジウム粒子を得る。 - 特許庁 - Preferably, the difference between the emission peak wavelength of the first dopant and the emission peak wavelength of the second dopant is 20 nm or smaller.
第１のドーパントの発光ピーク波長と第２のドーパントの発光ピーク波長との差は２０ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - The epoxy resin composition comprises an epoxy resin and a solid polyphenol particle having an average particle size of from 10 nm to 1 μm.
エポキシ樹脂と、平均粒子径１０ｎｍ〜１μｍの固体ポリフェノール粒子とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 - 特許庁 - The character 1: Mean pore diameter measured by the nitrogen adsorption method of the ion-exchanging layered silicate salt is 2 to 6 nm.
特性１：イオン交換性層状珪酸塩の窒素吸着法により測定した平均細孔径が２〜６ｎｍであること。 - 特許庁 - A second hafnium silicate film 22 in the film thickness of 6 nm or less is formed on the first nitrogen-added hafnium silicate film 21a.
次に、第１窒素添加ハフニウムシリケート膜２１ａ上に６ｎｍ以下の膜厚の第２ハフニウムシリケート膜２２を形成する。 - 特許庁 - The composition may further contain (F) elastomer particles having 10-700 nm average particle diameter and (G) a polyether polyol.
本発明の組成物はさらに、（Ｆ）平均粒子径１０〜７００ｎｍのエラストマー粒子や、（Ｇ）ポリエーテルポリオール、を含有することができる。 - 特許庁 - The cell anchorage material comprises a nanofiber that comprises an organic polymer and has 1-200 nm number-average single fiber diameter.
有機系ポリマーからなり数平均による単繊維径の直径が１〜２００ｎｍであるナノファイバーを含む細胞足場材料。 - 特許庁 - To provide a resist composition excellent in transmittance to light of ≤170 nm wavelength and suitable especially for F_2 excimer laser lithography.
１７０ｎｍ以下の波長の光に対する透過率に優れ、特にＦ２エキシマレーザーリソグラフィに適したレジスト組成物を提供する。 - 特許庁 - This method is effective particularly in the case where the liquid has a molecule size of ≥0.36 nm such as ethanol and isopropyl alcohol.
この方法は、特に液体がエタノール、イソプロピルアルコールなどの分子サイズが０．３６ｎｍ以上のものである場合に効果的である。 - 特許庁 - The nano-electrodes are fabricated by plating the initial electrodes 12 and 13 to narrow the gap between the electrodes to ≤20 nm.
初期電極１２，１３にメッキ７を施すことにより電極間の間隙を２０ｎｍ以下に狭めナノ電極を作製する。 - 特許庁 - The protector 39 is formed from plastics containing a UV absorbent and absorbs light at ≤440 nm wavelength.
プロテクタ３９は紫外線吸収剤が含まれたプラスチックで成形されており、４４０ｎｍ以下の波長の光を吸収する。 - 特許庁 - A liquid repellent layer 24 of several nm thicknesses is formed of CFx or siloxane resin on the upper electrode 23.
上部電極２３の上には撥液層２４がＣＦｘあるいはシロキサン樹脂によって数ｎｍの厚さで形成されている。 - 特許庁 - This toluene-detecting agent reacts with toluene to be changed in a light-absorbing characteristic adsorbance, within the wavelength range of 450-650 nm.
このトルエン検知剤は、トルエンと反応することにより、波長４５０〜６５０ｎｍの間の光吸収特性吸光度が変化する。 - 特許庁 - The laser light 2 is to input a laser light of a wavelength 100 nm shorter than the laser light 1 inputting the pumping light.
レーザ光２は、ポンプ光として入力するレーザ１より約１００ｎｍ短い波長のレーザ光を入力するものである。 - 特許庁 - A suitable wavelength of the ultraviolet ray of the UV lamp is 250-370 nm, and suitable intensity of the ultraviolet ray is 300-400 μW/cm2.
ＵＶランプの紫外線波長は２５０〜３７０ｎｍ、紫外線強度は３００〜４００μＷ／ｃｍ^2が適当である。 - 特許庁 - The semiconductor wafer W is irradiated with UV-rays, having a wavelength of 200 nm or shorter, in order to decompose organic substances adhering thereto.
半導体ウェハＷに波長２００ｎｍ以下の紫外線を照射し、半導体ウェハに付着した有機物を分解する。 - 特許庁 - Otherwise, a semiconductor laser and a nonlinear optical crystal may be combined to generate near UV rays at 320 to 360 nm wavelengths.
また半導体レーザーと非線形光学結晶とを組み合わせて３２０〜３６０ｎｍの近紫外線を作ることができる。 - 特許庁 - The polybenzazole film contains a carbon nanotube having a diameter of 5-100 nm and a length of 1-100 μm.
直径５〜１００ｎｍ、長さ１〜１００μｍであるカーボンナノチューブを含有することを特徴とするポリベンザゾールフィルムである。 - 特許庁 - The nickel powder of a grain size 100 to 300 nm can be obtained while suppressing the variation in the grain size and having good reproducibility.
粒径１００〜３００ｎｍのニッケル粉末を、粒径ばらつきを抑えかつ良好な再現性をもって得ることができる。 - 特許庁 - The Pr activation agent of the phosphor increases the sensitivity of the phosphor to the excitation with 185 nm radiation.
本発明の燐光体のＰｒ活性剤は１８５ｎｍ放射線による励起に対する燐光体の感受性を増大させる。 - 特許庁 - When the retardation value in the thickness direction of the cellulose film is set to 50-500 nm, the density of the film at 25°C is set to 1.290 or above.
厚み方向のレターデーション値が５０乃至５００ｎｍとする場合、２５℃におけるフイルム密度を１．２９０以上にする。 - 特許庁 - (3) The adhesive solution 52 is in a liquid form in applying it, and having a viscosity of 5-50 cp and a surface tension of 20-55 Nm/m.
（３） 接着剤溶液５２は、塗布時に、液状であり、粘度が５〜５０ｃｐ、表面張力が２０〜５５Ｎｍ／ｍである。 - 特許庁 - It is preferable that the heterogeneous layer is 10 nm-30 μm in thickness, and its SiO_2 content is higher than that of the inner part.
異質層は、厚みが１０ｎｍ〜３０μｍであり、またＳｉＯ_2含有量が、基板内部のそれよりも高いことが好ましい。 - 特許庁 - To detect a position at a repeat accuracy of 1 nm or lower with good reproducibility even when the position of a mark to be inspected in a visual field changes.
視野内での被検マークの位置が変化しても１ｎｍ以下の繰り返し精度で再現性よく位置検出を行う。 - 特許庁 - An active layer 17 is provided so as to generate light having an emission wavelength of 440 to 550 nm.
活性層１７は、波長４４０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲の発光波長の光を発生するように設けられる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an enlarged rubber having a mass average particle diameter of not less than 600 nm with high productivity.
６００ｎｍ以上の質量平均粒子径を有する肥大化ゴムを生産性よく製造できる方法を提供する。 - 特許庁 - At least 40% of a mixture of alumina powder and stainless powder is made into ultra-fine particles having particle sizes of 1 to 600 nm.
アルミナ粉末とステンレス鋼粉末の混合粉末の少なくとも４０％を粒径１〜６００ｎｍに超微細化する。 - 特許庁 - The mean particle size of the heat-resistant fine particle is set to be 5 nm-30 μm, and SiO_2, TiO_2, Al_2O_3, Fe_2O_3 and so on are used.
耐熱性微粒子の平均粒径は５ｎｍ〜３０μｍとし、ＳｉＯ_２，ＴｉＯ__２，Ａｌ_２Ｏ_３，Ｆｅ_２Ｏ_３等を用いる。 - 特許庁 - The semitransmissive reflection plate comprises a semitransmissive reflection layer formed on a light transmissive polymer substrate with ≤55 nm maximum retardation.
半透過反射層を、最大位相差が５５ｎｍ以下の光透過性高分子基材の上に形成した半透過反射板とする。 - 特許庁 - To provide a phosphor emitting red light by efficiently absorbing excited light in the near ultraviolet light region (340-420 nm).
近紫外線域（３４０ｎｍ〜４２０ｎｍ）の励起光を効率良く吸収して赤色発光する蛍光体を提供する。 - 特許庁 - To provide a fully vulcanized powdery rubber having a particle size of from 20 to 2,000 nm, its preparation and use.
２０ないし２０００ｎｍの制御可能な粒径を有する全硫化粉末ゴム、またその調製方法や用途を提供する。 - 特許庁 - The fluorescent lamp 1 for removing bugs irradiates a photocatalytic film 5 with light containing a large amount of near violet rays near 360 nm.
排虫用蛍光ランプ１は３６０ｎｍ付近の近紫外線を多量に含んだ光を光触媒膜５に照射する。 - 特許庁 - The high reflection film 4 contains one or more kinds selected from TiO_2, CeO_2 and ZrO_2 as a major component and has a thickness of 20-300 nm.
高反射膜４は、ＴｉＯ_2、ＣｅＯ_2、ＺｒＯ_2のうち１種以上を主成分とし、厚みが２０〜３００ｎｍである。 - 特許庁
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