「patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 25 26 27 28 29 30 31 32 33 .... 78 79 次へ＞- Thereafter the mask layer 13 is subjected to patterning (etching) by using the patterned photoresist 14 as the mask and then the photoresist layer 14 is removed.
その後パターニングされたフォトレジスト（１４）をマスクとしてマスク層１３をパターニング（エッチング）し、その後フォトレジスト層１４を除去する。 - 特許庁 - To provide a line patterning method to perform line working with a liner laser beam emitted from a LD bar alley.
ＬＤバーアレイから出射されるライン状のレーザー光によって均質にライン加工するラインパターンニング方法を提供する。 - 特許庁 - SILPHENYLENE SKELETON-BEARING POLYMER COMPOUND, PHOTO-CURABLE RESIN COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS, AND SUBSTRATE CIRCUIT PROTECTIVE FILM
シルフェニレン骨格含有高分子化合物及び光硬化性樹脂組成物並びにパターン形成方法及び基板回路保護用皮膜 - 特許庁 - The patterning means includes an array of cells 10 having a polar fluid 12, a non-polar fluid 14, and an electrode 18.
パターニング手段は、極性流体１２及び非極性流体１４並びに電極１８を有するセル１０のアレイを含む。 - 特許庁 - A first dielectric film 2 is formed on the semiconductor substrate 1, and an opening part is formed on the first dielectric film 2 by patterning.
半導体基板１上に第１の誘電膜２を形成し、第１の誘電膜２にパターニングにより開口部を形成する。 - 特許庁 - MASK PATTERN DATA PRODUCING METHOD, PATTERNING METHOD, RETICLE CORRECTING METHOD, RETICLE MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS MANUFACTURING METHOD
マスクパターンデータ作成方法、パターン形成方法、レチクルの補正方法、レチクルの作成方法及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - To provide an optical patterning device and its method that improves luminance and phase modulation characteristics of an individually controllable element array.
個々に制御可能な素子アレイの輝度および位相変調特性を改善する光パターン形成装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - A patterning method is disclosed which includes steps of forming a resist film from the above negative resist composition and exposing and developing.
また、これらのネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、露光、現像工程を含むパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a VCSEL accompanying modal control that is formed by the selective patterning of an upper-side mirror or a mesa structure.
上側ミラー又はメサ構造体の選択的パターニングにより形成された、モード制御を伴うＶＣＳＥＬを提供すること。 - 特許庁 - To realize a high-accuracy patterning by substantially eliminating the influences of a local flare to a pattern to be exposed in lithography.
リソグラフィーにおいて露光されるパターンに対するローカルフレアの影響を実質的に除去し、高精度のパターニングを実現する。 - 特許庁 - POLYMERIZABLE COMPOSITION, AS WELL AS PHOTOSENSITIVE LAYER, PERMANENT PATTERN, WAFER LEVEL LENS, SOLID STATE IMAGING ELEMENT AND PATTERNING METHOD USING THE SAME
重合性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法 - 特許庁 - IMPRINTING METHOD, IMPRINTING APPARATUS AND ITS MOLD MEMBER, AND METHOD OF PATTERNING FOR FORMING SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE IMPRINTING METHOD
インプリント方法、インプリント装置とその型部材、および該インプリント方法を用いた半導体素子形成のためのパターニング方法。 - 特許庁 - ORGANIC SEMICONDUCTOR PATTERN, PATTERNING METHOD OF ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER, ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY
有機半導体パターン及び有機半導体層のパターニング方法、有機半導体装置及びその製造方法、並びに表示装置 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device, having a rare metal layer which reduces the problems in patterning and in annealing in hydrogen.
パターニング、水素中アニーリングにおける問題を低減したレアメタル層を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The doping method includes a process for patterning a fin in a substrate, a step for depositing a gate stack, and a process for doping the fin.
ドーピング方法は、フィンを基板にパターニングする工程と、ゲートスタックを堆積する工程と、フィンをドーピングする工程を含む。 - 特許庁 - To confirm the fact that interconnect lines are formed by patterning a conductive film normally with reduced efforts.
導電膜が正常にパターニングされて配線が形成されていることを、少ない労力で確認することができるようにする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an electroluminescent element in which a patterning of an organic EL layer is easy and an effect of an photo-catalyst is small.
有機ＥＬ層のパターニングが容易であり、光触媒の影響の少ないＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently patterning a liquid crystal layer used as an optical element with high quality.
光学素子として用いられる液晶層を効率的にかつ高い品質でパターニングを行うことができる方法を提供する。 - 特許庁 - An extraction timing discriminating means 60 carries out patterning by a patterning means 30, feature extraction by a feature extracting means 50 and appliance discrimination by an appliance discriminating means 70 as pattern determination.
抽出タイミング判定手段６０は、特徴抽出を行うタイミングを判定した場合に、パターン判定として、パターン化手段３０によるパターン化、特徴抽出手段５０による特徴抽出、および器具判別手段７０による器具判別を行わせる。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device and the method for fabricating the liquid crystal display device, the number of mask further can be reduced by forming an active pattern and a storage electrode with a single mask process and also by patterning a pixel electrode, too simultaneously upon the patterning of a gate line.
アクティブパターンとストレージ電極を１回のマスク工程で形成することによって、また、ゲート配線のパターニング時に画素電極をも同時にパターニングすることによって、マスク数をさらに減少させた液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - An exposure process for patterning for making the area of the SiO_2 film to be polished by CMP uniform and exposure for patterning for imparting step-difference to an alignment mark are covered by the same exposure, thereby reducing the number of times of exposure processing to two.
あるいは、ＣＭＰで研磨するＳｉＯ_2膜の面積を揃えることを目的としたパターニングのための露光工程と、アライメントマークに段差を持たせることを目的としたパターニングのための露光を同一露光で賄うことで、露光工程の回数を２回に低減する。 - 特許庁 - A filter arrangement selectively reduces transmittance of radiation through the second region of the patterning device, and reduces intensity of one or a plurality of images of the second pattern caused by a part of radiation beam which is indirectly incident on the second region of the patterning device.
フィルタ機構は、パターニングデバイスの第２の領域を通して放射の透過率を選択的に減少させて、パターニングデバイスの第２の領域に間接的に入射する放射ビームの一部に起因する第２のパターンの１つまたは複数の像の強度を減少させる。 - 特許庁 - To apply similar patterning to a plurality of image data when patterning is applied to combined image data generated by arranging a plurality of image data representing a predetermined image at least in either a main scanning direction or an auxiliary scanning direction.
所定の画像を表す画像データを主走査方向および副走査方向のうちの少なくとも一方に複数並べて生成した結合画像データに対してパターン処理を行う際、複数の画像データに対して同様のパターン処理を施すようにする。 - 特許庁 - The method for marking a lens includes: a patterning process for forming a layout pattern having machining information of the lens 1 on an ink receiving board 41 with a planar surface; and a transfer process for transferring the layout pattern formed by the patterning process to the surface of the lens 1.
表面が平面状のインク受板４１にレンズ１の加工情報を有するレイアウトパターンを形成するパターニング工程と、このパターニング工程で形成された前記レイアウトパターンを前記レンズ１の表面に転写する転写工程と、を有するレンズのマーキング方法。 - 特許庁 - To provide a pattern measuring device for appropriately evaluating a pattern formed by a double patterning method prior to transfer using a mask, or appropriately evaluating the deviation of the pattern formed by the double patterning method.
本発明は、ダブルパターニング法によって形成されるパターンの評価を、マスクを用いた転写前に適正に行うパターン測定装置、或いはダブルパターニング法によって形成されるパターンのずれの評価を適正に行うパターン測定装置の提供を目的とする。 - 特許庁 - A process from the deposition of a substrate-protecting layer to the deposition of a gate-writing layer is performed in a state of being isolated from an atmosphere outside a device, and thereafter, the patterning of the gate wiring, the crystallization of the semiconductor layer and the patterning of a gate-insulating film and the semiconductor layer are performed.
下地保護層堆積工程からゲート配線層堆積工程までを装置外の雰囲気から隔離した状態で連続して行い、その後に、ゲート配線のパターニング、半導体層の結晶化、ゲート絶縁膜、半導体層のパターニングを行う。 - 特許庁 - The position controller includes a gas supply section and one or a plurality of outflow openings directed to the side of the gas pressure supply section, to apply a pressurized gas to at least one side of the patterning device to control the position of the patterning device, in its planar direction in a non-contact manner.
位置コントローラはパターニングデバイスの位置を平面方向で非接触式に制御するために、パターニングデバイスの少なくとも１つの側面に加圧ガスを加えるように、ガス圧供給部及びこの側面へと向けられた１つ又は複数の流出開口を含む。 - 特許庁 - Alternatively, the exposure tool may have a plurality of illuminators and/or a plurality of scanning complementary patterning devices optionally used with a plurality of exposure slits on the scanning substrate to facilitate double patterning in a single substrate pass.
別法として、露光ツールは、単一の基板パスでの二重パターニングを容易にするように、スキャンする基板上の複数の露光スリットと共に任意選択で使用される複数のイルミネータおよび／または複数のスキャンする相補的なパターニングデバイスを有することができる。 - 特許庁 - To provide a nonlinear element manufacturing method which can perform a patterning finer than resolution of an exposure apparatus used in formation of a resist mask, and which is free from contaminating a film pattern obtained by patterning due to the resist; and to provide an electro-optical device.
レジストマスクを形成する際に用いる露光装置の解像度によりも微細なパターニングを行うことができ、かつ、パターニングにより得た薄膜パターンがレジストによって汚染されることのない非線形素子の製造方法、および電気光学装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a silicon substrate or the like, which can perform patterning without using resist, patterning of a reserver or of the taking-out port of an electrode without using the resist after the formation of nozzle communication holes in particular to prevent resist protection failures in the nozzle communication hole portion.
レジストレスでパターニングを行うことができる、特にノズル連通孔の形成後に、レジストレスでリザーバ及び電極取り出し口のパターニングが可能となり、ノズル連通孔部のレジスト保護不良を防止することができるシリコン基板の製造方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide a patterning method hardly being influenced by an error even when the error exists in the real moving distance of a stage for scanning a photomask with respect to a set moving distance, and for performing patterning by using the smaller number of photomasks, and to provide an exposure device for the same.
フォトマスクを走査するステージが、設定移動量に対して実移動量が誤差を保有していても、その誤差の影響を受けにくく、かつより少ない枚数のフォトマスクで対応可能なパターンニング手法およびそのための露光装置を提供する。 - 特許庁 - Then, the upper thin film 4 appearing out of the patterning mask 5 is patterned by etching into an upper thin film pattern 6, and then the patterning mask 5 and the protective mask 3 appearing from the upper thin film pattern 6 are removed simultaneously.
次に、パターニング用マスク５から露出している上層側薄膜４をエッチングによりパターニングして上層側薄膜パターン６を形成し、しかる後に、パターニング用マスク５と、上層側薄膜パターン６から露出している保護用マスク３とを同時に除去する。 - 特許庁 - To provide a resist pattern forming method by which, even when patterning with a second resist composition is performed without using a freezing material in the formation of a resist pattern by double patterning, a fine resist pattern can be formed while retaining the good shape of a first resist pattern.
ダブルパターニングによるレジストパターンの形成において、フリージング材を用いることなく第二のレジスト組成物によりパターニングした場合でも、第一のレジストパターンの形状を良好に保持したまま微細なレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供。 - 特許庁 - To provide a photosensitive adhesive composition which is excellent in patterning ability by the use of an alkali developing liquid, has satisfactory thermo-compression adhesiveness even after patterning, is excellent in heat resistance after adhesion and is also excellent in low-temperature pasting ability when the adhesive composition is formed into a film shape.
アルカリ現像液によるパターン形成性に優れ、パターン形成後も十分な熱圧着性を有し、接着後の耐熱性に優れ、フィルム状に形成した場合には低温貼付け性にも優れた感光性接着剤組成物を提供すること。 - 特許庁 - To provide a mask for patterning a thin film by which the thin film can be patterned without damaging an organic polymer film formed on a substrate, in the mask for patterning the thin film used when the thin film is patterned on the substrate on which the organic polymer layer is formed.
有機高分子層を形成した基板上に薄膜をパターン形成する際に使用する薄膜パターン化用マスクにおいて、基板上に形成された有機高分子膜にキズをつけることなく、薄膜のパターン化が可能な薄膜パターン化用マスクを提供する。 - 特許庁 - To provide a method for patterning by dry etching capable of easily forming a mask with a taper-shaped side face on a member to be etched with a hollow and well performing the patterning, a mold used for it and a method for manufacturing an inkjet head.
空洞を有する被エッチング部材上にテーパー形状の側面を有するマスクを容易に形成して良好にパターニングを行うことができるドライエッチングによるパターニング方法及びそれに用いるモールド並びにインクジェットヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of executing complete patterning by preventing the remainder of polyimide due to deficient exposure at thick parts of a positive photosensitive polyimide film and occurrence of pattern disturbance due to over-exposure at thin parts in the patterning of the positive photosensitive polyimide film whose thickness is ununiform.
厚みの異なるポジ型感光性ポリイミド膜のパターニングにおいて、厚い箇所での露光不足によるポリイミド残りと浅い箇所での過露光によるパターン乱れを防止して、完全なパターニングができる半導体装置の製造方法を提供すること - 特許庁 - To dispense with a resist and a metal mask and to contrive to make it possible to easily perform a patterning of a metallic oxide film by a drying process only.
レジスト，金属マスクが不要であり、ドライプロセスのみで、金属酸化物膜のパターニングを容易に行える加工方法を提供する。 - 特許庁 - To improve a lithographic apparatus, and particularly to achieve a correct and uniform heat regulation of an object such as a substrate or a patterning structure.
リソグラフィ装置を改良すること、特に、オブジェクト、例えば基板またはパターニング構造の正確で均一な熱調節を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element in which the electrical characteristics of patterns formed by a double patterning process can be controlled, and also to provide a method of controlling the patterns.
ダブルパターニングされたパターンの電気的特性をコントロール可能な半導体素子及びそのパターンコントロール方法を提供する。 - 特許庁 - To carry out a surface treatment at a low cost by a method which enables the control of liquid-repellency in patterning using an ink-jet manner.
インクジェット方式を用いたパターニング方式においける表面処理を低コストでかつ撥液性の制御可能な方法で行うこと。 - 特許庁 - PATTERNING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTROOPTICAL DEVICE, COLOR FILTER, LIGHT EMITTER AND THIN-FILM TRANSISTOR
パターニング方法、電気光学装置の製造方法、カラーフィルターの製造方法、発光体の製造方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁 - To decrease a manufacturing cost by conveniently performing a fine patterning of doped regions in a manufacturing process of a backside solar cell.
裏面型太陽電池の製造過程において、ドーピング領域の微細なパターニングを簡易的に行うことで製造費の低コスト化を図る。 - 特許庁 - A color filter can be produced using a colored pattern formed by patterning the colored photosensitive resin composition.
本発明の着色感光性樹脂組成物をパターンニングすることで、着色パターンを形成して、カラーフィルターを製造することができる。 - 特許庁 - A resist is formed by patterning on the part other than the parts of the layer 3 wherein a Zn diffusion is performed and an etching is performed on the parts, to form steps wherein the Zn diffusion is performed.
そして、Ｚｎ拡散を行う部分以外の部分にレジストをパターン形成し、エッチングを行って段差を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a display device in which a side etching of a laminated structure is prevented and a good shaped patterning can be made possible.
積層構造のサイドエッチングを防止して良好な形状にパターニングすることができる表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To reduce the area of a memory cell and to simplify manufacturing process by fine patterning in a semiconductor memory device, having an erasing gate electrode.
消去ゲート電極を備えた半導体記憶装置において、微細化によるメモリセル面積の縮小と工程の簡略化とを図る。 - 特許庁 - To provide a method for patterning a surface which can keep the etching selection ratio of a substrate to a mask high irrelevantly to a mask opening rate.
マスク開口率によらずにマスクに対する基板のエッチング選択比を高く保つことができる表面パターニング方法を提供する。 - 特許庁 - The depth of focus of the camera 30 is small and the focal plane FP is not twice as far away from a surface of the patterning device as the depth of focus.
カメラ３０の焦点深度は小さく、焦点面ＦＰは、パターニングデバイスの表面から焦点深度の２倍よりも遠くにない。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device for improving patterning accuracy in the vicinity of a chip outer edge, and also to provide a template for imprint.
チップ外縁付近のパターニング精度を向上させる半導体装置の製造方法及びインプリント用テンプレートを提供する。 - 特許庁
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