「patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .... 78 79 次へ＞- To prevent the occurrence of patterning defect such as disconnection due to light reflection and collection caused by a reflection layer formed below a transparent conductive film when patterning of the transparent conductive film is performed by a photolithography method, in a reflective liquid crystal display element.
反射型液晶表示素子において、フォトリソ法により透明導電膜をパターニングする際、透明導電膜の下方に形成された反射層により光が反射集光して断線等のパターニング不良が発生することを防止する。 - 特許庁 - To solve problems that a step of arraying a first mask step and a second mask step is not easy and a defect is caused when a double patterning step for overcoming the limit of resolution of exposure equipment is performed in a fine pattern forming method of a semiconductor device.
半導体素子の微細パターン形成方法に関し、露光装備の解像度の限界を克服するため二重パターニング(Double Patterning)工程を行うことにおいて、第1マスク工程と第2マスク工程を整列する工程が容易でなく不良が発生する。 - 特許庁 - The method also comprises steps of subjecting the film 107 and the film 108 in a region including the contact 106 to patterning, depositing a conductive film on the film 105 including upper parts thereof, patterning the conductive film, and forming wiring 110.
次に、導電性バリア膜１０７および導電性水素バリア膜１０８をコンタクト１０６を含む領域でパターニングし、これらの上を含む層間絶縁膜１０５上に導電膜を堆積し、これをパターニングして配線１１０を形成する。 - 特許庁 - At this time, a separate PR patterning step is not performed to the second transparent electrode and after the transparent electrode is formed on the entire surface of the substrate, the transparent electrode is partially crystallized and a patterning step is performed through selection etching of an amorphous and crystal states.
この時、前記第２透明電極は別途のＰＲパターニング工程を行わないで、基板の全面に透明電極を形成した後、これを部分的に結晶化して、非晶質と結晶質の選択的エッチングを通じてパターニング工程を行う。 - 特許庁 - To provide a patterning process in which pattern densities of some regions are doubled by a double patterning technology while patterns having different widths are simultaneously formed, and to provide a semiconductor device having a structure to which the process is easily applicable.
多様な幅を有するパターンを同時に形成しつつ、一部領域ではダブルパターニング技術によりパターン密度を倍加させる半導体素子のパターン形成工程、及びその工程を容易に適用しうる構造を有する半導体素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a new patterning method which allows a wider range of options of materials, a film forming method, a patterning device, a film forming device, an electro-optical device and its manufacturing method, electronic equipment and an electronic device and its manufacturing method.
材料の選択自由度を高くした新たなパターニング方法を提供するとともに、膜形成方法、パターニング装置、膜形成装置、電気光学装置とその製造方法、電子機器、及び電子装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a new method for patterning in which a degree of flexibility in selection of materials is increased, in addition, a film formation method, a patterning apparatus, a film formation apparatus, an electro-optic apparatus and a method for manufacturing the same, an electronic instrument, and an electronic apparatus and a method for manufacturing the same.
材料の選択自由度を高くした新たなパターニング方法を提供するとともに、膜形成方法、パターニング装置、膜形成装置、電気光学装置とその製造方法、電子機器、及び電子装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In this sheet molding compound comprising an unsaturated polyester resin, a crosslinking agent, a curing agent, a shrinkage reducing agent, a filler, an internal release agent, a reinforcing agent, and a patterning material, 0.01-15 wt.% sheet molding compound is constituted of the patterning material, and the patterning material is a colored vinylon fiber having a fiber length of 0.1 mm to 3.0 mm.
不飽和ポリエステル樹脂、架橋剤、硬化剤、低収縮剤、充填材、内部離型剤、補強材および柄材を含有するシートモールディングコンパウンドにおいて、前記柄材が、前記シートモールディングコンパウンド中０．０１〜１５重量％を構成するとともに、前記柄材が、繊維長０．１ｍｍ〜３．０ｍｍの着色ビニロン繊維であることを特徴とするシートモールディングコンパウンド。 - 特許庁 - To provide a resist pattern forming method for forming a resist pattern on a support by two or more patterning operations using a chemically-amplified resist composition, to reduce damage from the second patterning to the first resist pattern formed by the first patterning, and a resist composition useful for forming the first resist pattern in the resist pattern forming method.
化学増幅型レジスト組成物を用い、パターニングを２回以上行って支持体上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法において、２回目のパターニングが、１回目のパターニングで形成した第一のレジストパターンに与えるダメージを低減できるレジストパターン形成方法、および該レジストパターン形成方法における第一のレジストパターン形成用として有用なレジスト組成物の提供。 - 特許庁 - A display accumulation device volume label character method includes the activation of the accumulation device; detection of whether patterning volume label information is to be downloaded; the inspection of the type of the patterning volume label information; determination on whether the character is the one by a volume label; checking whether the character code of the volume label agrees; and the display of the patterning information of the volume label.
本発明は、表示蓄積装置ボリュームラベル文字の方法であり、蓄積装置を起動することと、パターン化ボリュームラベル情報をダウンロードするか検知することと、当該パターン化ボリュームラベル情報の種類を検査することと、ボリュームラベルによる文字か判断することと、当該ボリュームラベルの文字コードが符合するかチェックすることと、当該ボリュームラベルのパターン化情報を表示することとを含む。 - 特許庁 - The passivation layers can be formed without an additional patterning step and minimize the misalignment vias penetrating the air gap.
パッシベーション膜は、追加のパターニング工程なしに形成することができ、ミスアライメントビアがエアギャップを貫通するのを極力低減する。 - 特許庁 - To provide a more inexpensive EL element wherein a patterning of a large area is enabled and a manufacturing method of a high productivity is obtained.
大面積のパターニングを可能にし、且つ、生産性の高い製造方法とすることで、より安価なＥＬ素子を提供する。 - 特許庁 - To provide techniques to eliminate patterning failure due to influences of a resist-protecting film and to form a stable fine resist pattern.
レジスト保護膜の影響によるパターニング不良を解消し、安定した微細レジストパターンを形成するための技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a new patterning method enabling scalable nano arrangement-wiring freely and easily.
自由自在に、容易に、かつスケーラブルなナノ配列・配線を可能とする新規なパターニング方法を提供することを課題としている。 - 特許庁 - Further the adhesive layer to which patterning is carried out, may be a transparent material, colored translucent or opaque material.
さらに、前記パターニングされた接着層は、透明な材料でも着色され半透明もしくは不透明な材料でもよい。 - 特許庁 - To provide a printed board capable of micro-patterning and an improvement of accuracy of resistance while keeping adhesiveness.
密着性を高く維持しつつ微細パターン化及び抵抗値の精度の向上を図ることが可能なプリント基板を提供する。 - 特許庁 - To perform high-accuracy patterning on a pattern transfer mask, through which a charged particle beam is transmitted by preventing the adhesion of particles to the mask.
荷電粒子線を透過させるパターン転写用マスクに、パーティクルが付着することを抑止して、精度の高いパターニングを行う。 - 特許庁 - PATTERNING METHOD OF FILM AND THIN-FILM TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD, THIN-FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
膜のパターン形成方法、及び、薄膜トランジスタの製造方法、並びに、薄膜トランジスタ基板の製造方法、及び薄膜トランジスタ基板 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of suppressing generation of fringe capacitance while patterning the electrode finely.
本発明の目的は、電極を微細化しつつ、フリンジ容量の発生を抑制できる半導体装置を提供することである。 - 特許庁 - To provide a patterning method using surface energy control in order to form a microscopic pattern utilizing an ink-jet method.
インクジェット噴射方式を用いて微細パターンを形成するために表面エネルギー制御を用いたパターニング方法を提供する。 - 特許庁 - The rib 221 is formed by the patterning of a black color layer of a black-color sensitive film having the black color layer.
隔壁２２１が、黒色層を備えた黒色感光性フィルムの黒色層がパターニングされたことにより、形成されている。 - 特許庁 - To realize suppressing of a micro loading effect even in the case of etching a part in which patterning is formed at a high aspect ratio.
高アスペクト比でパターニング形成する部分をエッチングする際にもマイクロローディング効果を抑制することができるようにする。 - 特許庁 - The method for manufacturing the array substrate comprises the step of patterning the three-layer metal film 5 at stages of just etching by wet etching using a mixed acid (first etching).
まず、混酸を用いるウェットエッチングによりジャストエッチングの段階まで三層金属膜５をパターニングする（第１のエッチング）。 - 特許庁 - The patterning sheet 2 is detachably installed on an inside surface of a concrete form 1A constituted by continuing a plurality of forms 1, etc.
複数の型枠１…を連続させて構成したコンクリート型枠１Ａの内面に模様付けシート２を着脱自在に取付けた。 - 特許庁 - To realize fine patterning by lithography and to increase the arrangement density of patterns significantly.
本発明の課題は、リソグラフィにより形成できるパターンの寸法を微細化し、かつ、パターンの配置密度を大幅に高めることである。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive composition that is used for double patterning and suitably used also for a liquid (such as water) immersion exposure process.
ダブルパターンニングに用いられ、水等の液浸露光プロセスにも好適に用いられる感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁 - To provide a dry etching method that forms a fine pattern, provides a high etching selection ratio, and allows patterning at a high aspect ratio.
微細パターンに形成でき、エッチング選択比が高く、かつ高いアスペクト比でパターニングできるドライエッチング方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a rubber hose, capable of restraining reduction in patterning performance of a steel wire for forming a reinforcing layer.
補強層を形成するスチールワイヤの型付け性の低下を抑制することができるゴムホースの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a patterning method in which alignment between layers is performed precisely when a pattern is formed using imprint lithography.
インプリントリソグラフィを用いてパターン形成する際のレイヤ間の位置合わせを精度良く行なうパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which forms a second resist pattern into a fine and satisfactory shape on a first resist pattern in a double patterning method.
ダブルパターニング方法において、第１のレジストパターン上に第２のレジストパターンを微細且つ良好な形状に形成する。 - 特許庁 - Disclosed are 16 embodiments in which positions of exchange bias layers and hard bias layers and patterning of CPP type MR sensor stacks are different.
交換バイアス層、ハードバイアス層の位置およびＣＰＰ型ＭＲセンサスタックのパターニングが異なる１６個の実施態様を開示する。 - 特許庁 - Then, by patterning, a first opening 20a, a second opening 20b and a contact part 20c are formed in the conductor layer 20.
次いで、パターニングにより、導体層２０に、第１の開口２０ａと、第２の開口２０ｂと、コンタクト部２０ｃと、を形成する。 - 特許庁 - To provide a lithographic projection apparatus that can be operated at a higher throughput, especially one using a programmable patterning means.
より高いスループットで操作することができる、特にプログラム可能パターニング手段を使用するリソグラフィ投影装置を提供すること。 - 特許庁 - For this purpose, the second front intermediate core 72 is subjected to a resist coating, exposing and patterning in the state of non-difference in level to be formed.
このため、第二の前部中間コア７２は、段差のない状態でレジスト塗布，露光，パターニングが行なわれて形成される。 - 特許庁 - The method also comprises the step of patterning a second resist 2, so as to expose a part which becomes the corner mirror of the polygonal semiconductor ring laser in Fig. (c).
（ｃ）において、多角形半導体リングレーザのコーナーミラーとなる部分が露出するように、第二のレジスト２をパターニングする。 - 特許庁 - The first electrode 3 and the first and second wiring parts 8a, 8b are made patterning in a prescribed shape and then polished on the surface.
第１電極３及び第１，第２の配線部８ａ，８ｂは所定の形状にパターニングした後に表面を研磨してなる。 - 特許庁 - A resist pattern is formed on the oxide film 14 by using a resist, and the oxide film 14 is subjected to patterning by CF dry etching.
この酸化膜１４上にレジストによってレジストパターンを形成し、ＣＦ系ドライエッチングにより酸化膜１４をパターニングする。 - 特許庁 - An optical waveguide device is obtained by patterning the SOI substrate including different dopants into a waveguide shape and thermally oxidizing it.
ドーパントの異なるＳＯＩ基板を導波路形状にパターニングし、これを熱酸化することで、光導波路構造が実現できる。 - 特許庁 - The separator has an opening from the first vacuum environment to the patterning device and/or reversely, an opening through which the projected beam is allowed to pass.
該セパレータは第一真空環境からパターニングデバイスに、かつ／またはこれと逆に投影ビームを通過させる開口を有する。 - 特許庁 - Furthermore, the method includes a fifth step of patterning by etching an Si wafer 1 using the SiO_2 layers 3 after the fourth step as a mask.
さらに、第４工程後のＳｉＯ_2層３をマスクにして、Ｓｉウエハ１をエッチングしてパターニングする第５工程を備えている。 - 特許庁 - To provide a method of patterning a thin film and a method of manufacturing a display panel which allow a contact hole to be more finely formed.
コンタクトホールをより微細に形成することができる薄膜のパターニング方法及び表示パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a resist pattern for forming a preferable pattern by a double-patterning process.
ダブルパターニング法により良好なパターンを形成することができるレジストパターンの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In the opening 15, a reinforcing structure 18 is provided simultaneously when the opening 15 is formed by patterning the substrate 11.
開口１５内には、基板１１をパターニングして開口１５を形成する際に同時に補強構造１８が設けられている。 - 特許庁 - When wiring width of a bent part 16 of metal wiring 14 is increased, coating width of resist for patterning the wiring is increased.
金属配線１４の屈曲部１６の配線幅が広くなると、配線をパターニングするためのレジストの塗布幅が広くなる。 - 特許庁 - To provide a mask for vacuum film deposition for improving the accuracy of patterning and to provide an apparatus for film deposition having the mask.
パターニングの精度を向上させるための真空蒸着用マスク及びこれを備えた真空成膜装置を提供する。 - 特許庁 - The silicon oxide layer is patterned during the same step as patterning the conductive layer to expose the silicon nitride layer.
前記酸化シリコン層は、前記導電層をパターン化するのと同じステップ中にパターン化して、前記チッ化シリコン層を露光する。 - 特許庁 - To improve reliability in the patterning process of a negative resist layer and a wiring layer, in the manufacturing method of a semiconductor device.
半導体装置の製造方法において、ネガレジスト層及び配線層のパターニング工程における信頼性の向上を図る。 - 特許庁 - To provide a self-alignment patterning method that can be used to manufacture a plurality of thin film transistors on a substrate.
本発明は、基板上に複数の薄膜トランジスタを製造するために用いることができる自己整合パターニング方法に関する。 - 特許庁 - To provide a magnetic recording medium which is inexpensive and has a high quality by patterning a soft magnetic layer without using etching.
エッチングを用いること無く、軟磁性層のパターニングを行うことで、低コストで、高品質な磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁 - To provide a radiation-sensitive resin composition excellent in patterning ability, especially developability, heat-resistant flowability, and adhesion in development.
パターニング性能、特に現像性、耐熱フロー性及び現像密着性に優れた感放射線樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
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