「patterning」を含む例文一覧(3921)
＜前へ 1 2 .... 63 64 65 66 67 68 69 70 71 .... 78 79 次へ＞- To deal with the exposure for patterning where micro patterns with different pitches coexist closely and to accurately form micro patterns at enough production process margin without using a photo mask such as Levenson-type phase shift mask that has a complicated production process and is high in manufacturing cost.
ピッチの異なる微細なパターンが近接して混在するパターニングを行うための露光にも対応し、レベンソン型位相シフトマスクの如き製造プロセスが煩雑で製造コストの高いフォトマスクを用いることなく、十分な製造プロセスマージンで微細なパターンを精度良く形成する。 - 特許庁 - Furthermore, in the manufacturing method for a semiconductor in a second invention, a gold film is formed on a semiconductor substrate where the surface treatment is performed, and patterning is performed in etchant, whereupon only the gold film is etched, and the surface of the gallium arsenide semiconductor substrate is not etched.
さらに、第２の発明の半導体装置の製造方法は、上記表面処理を行った半導体基板上に金膜を形成してヨウ素系エッチング液でパターニングを行うと、金膜のみがエッチングされ、露出するガリウム砒素半導体基板表面は、エッチングされない。 - 特許庁 - To provide a color filter substrate capable of enhancing contrast, color reproducibility and patterning property by providing tapers having a plurality of angles in the identical layer, to provide its manufacturing method and to provide an electrooptical device and an electronic device using the color filter substrate.
本発明は、同一層内において複数の角度を有するテーパーを設け、コントラスト、色再現性及びパターニング性の向上を図ることのできるカラーフィルタ基板およびその製造方法、ならびに上記カラーフィルタ基板を用いた電気光学装置ならびに電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A metal patterning method includes a step for forming a photocrosslinking resin layer on a substrate, a step for thinning the photocrosslinking resin layer with an alkaline aqueous solution containing an organic alkaline compound, and exposure, development and etching steps of a circuit pattern in this order.
基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、有機アルカリ性化合物を含有してなるアルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理する工程、回路パターンの露光、現像、エッチング処理をこの順に含むことを特徴とする金属パターンの作製方法。 - 特許庁 - A word line structure 124 is formed by patterning the electrically conductive film 108, and a blocking film pattern 126 and a charge trapping film pattern 128 are formed by etching the blocking film 106 and the charge trapping film 104 respectively using an acidic solution as an etchant.
ワードライン構造物１２４は、導電膜１０８をパターニングすることによって形成され、ブロッキング膜パターン１２６及び電荷トラッピング膜パターン１２８は、酸性溶液をエッチング液に用いてブロッキング膜１０６及び電荷トラッピング膜１０４をエッチングすることによって形成される。 - 特許庁 - To provide an EL element that can demonstrate its original gas barrier performance without corrosion or the gas barrier layer, even when patterning the electrode layer by etching or the like is made on the base material formed with the gas barrier layer when manufacturing the EL element.
本発明は、ＥＬ素子の製造にあたり、ガスバリア層が形成された基材上で電極層のエッチング等のパターニングを行った場合でも、ガスバリア層が腐食されることなく、本来のガスバリア性を発揮することができるＥＬ素子を提供することを主目的とするものである。 - 特許庁 - A single crystal silicon thin film 4 is grapho-epitaxial-grown by a catalyst CVD method on a glass substrate 1 having a step and single crystalline silicon TFTs Q_1-Q_n are formed by patterning the single crystalline silicon thin film 4 into strap-shapes.
段差を設けたガラス基板１上に触媒ＣＶＤ法により単結晶シリコン薄膜４をグラフォエピタキシャル成長させ、これをパターン化して複数の短冊状の形状とし、これらの単結晶シリコン薄膜４を用いて単結晶シリコンＴＦＴＱ_1 〜Ｑ_n を形成する。 - 特許庁 - A method for manufacturing circuit board includes: a substrate formation process S1 for burning green sheet to form a ceramic substrate; a catalyst patterning process S2 for drawing and forming a catalyst pattern from a liquid body containing plating catalyst; and a plating process S3 for plating the catalyst pattern.
グリーンシートを焼成してセラミック基板を形成する基板形成工程Ｓ１と、めっき触媒を含有する液状体で触媒パターンを描画形成する触媒パターニング工程Ｓ２と、前記触媒パターンにめっきを施すめっき工程Ｓ３と、を有する回路基板の製造法。 - 特許庁 - To provide a plant monitor control system having a guidance system for preparing a guidance database related with operations for realizing guidance by patterning, storing and learning the history of operations by human being, and for improving efficiency by shortening the operations.
人間による操作の履歴をパターン化して蓄積、学習していくことにより、操作に関するガイダンスデータベースを作成し、ガイドを行い、かつ、操作の短縮をも可能にして、効率を向上させることが可能なガイダンスシステムを有するプラント監視制御システムを提供すること。 - 特許庁 - The method for preparing the oxide thin film transistor having a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor thin film includes a step for patterning the gate insulating film or the semiconductor thin film through the helicon plasma dry etching process.
基板とゲート電極とゲート絶縁膜とソース及びドレイン電極と半導体薄膜とを含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜又は半導体薄膜は、特定エッチングガスを使用するヘリコンプラズマ乾式工程を通じてパターン化されるステップを含んでいる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a printed wiring board, wherein, in a board for multiple patterning of a printed wiring board, an alignment mark prepared on each printed wiring board is recognized by using a recognition camera to adjust a processing position in units of printed wiring boards.
プリント配線板の製造方法は、プリント配線板の多数個取り用の基板で、各プリント配線板にそれぞれに設けられたアライメントマークを認識用カメラで認識して各プリント配線板単位で加工位置の調整をそれぞれ行うプリント配線板の製造方法。 - 特許庁 - To provide a mask for patterning with which a preliminarily determined pattern such as a grating or circular pattern can be formed in a single film forming process using a single mask under conventional various mask use environments such as high temperature, low temperature, vacuum and gas atmospheres, and to provide a film forming device using the mask.
従来の高温・低温・真空・ガス雰囲気中などの様々なマスク使用環境下で、格子状や環状などの所定のパターンの形成を、単独のマスクを用いて１回の成膜で行うことができるパターン形成用マスク、及び該マスクを用いた成膜装置の提供。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent panel capable of forming a film patterning in such a way that a passivation layer covers an organic electroluminescece layer avoiding an electrode connection part on an organic electroluminescent substrate without degradation of original performance of the passivation layer, and to provide a mask used for the same.
パッシベーション層本来の性能を低下させることなく、有機エレクトロルミネッセンス基板上の電極接続部にのみパッシベーション層が被覆しないようにパターニング成膜することのできる有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法とそれに用いるマスクを提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device which dispenses with a patterning process of a lanthanum oxide film, relating to the semiconductor device in which a high-K gate insulating film is constituted by laminating a high-K dielectric film and a lanthanum oxide film, in an n-channel MOS transistor.
ｎチャネルＭＯＳトランジスタにおいてｈｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜をｈｉｇｈ−Ｋ誘電体膜と酸化ランタン膜の積層により構成した半導体装置において、酸化ランタン膜のパターニングプロセスを不要とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a conductive composition capable of having both transparency and conductivity even after patterning by developing, a transparent conductive film excellent in solvent resistance, water resistance, alkali resistance or the like, using the composition, a display element using the transparent conductive film, and an accumulated type solar cell.
現像によるパターニング後でも透明性及び導電性が両立可能な導電性組成物、並びに該組成物を用いた耐溶剤性、耐水性、耐アルカリ性等に優れた透明導電膜、該透明導電膜を用いた表示素子、及び集積型太陽電池の提供。 - 特許庁 - To provide a method for patterning in microfabrication of a thin film formed of zinc oxide crystal without generating significant deterioration of conductive characteristics and visible light permeability by suppressing resolution of the thin film formed of the zinc oxide crystal in any process of development and photoresist peeling.
酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の微細加工において、現像及びホトレジスト剥離のいずれの処理においても酸化亜鉛系結晶からなる薄膜の溶解を抑制し、導電特性及び可視光透過性の大幅な劣化を生ずることなくパターニング可能な方法の提供すること。 - 特許庁 - To provide an excellent actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition suppressing development defect even in patterning by ordinary light exposure and immersion exposure, having a wide exposure latitude and suppressing line edge roughness, and a pattern-forming method to use the composition.
通常露光さらには液浸露光によるパターニングにおいても、現像欠陥が抑制されるとともに、露光ラチチュードが広く、ラインエッジラフネスを抑制できる、優れた感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a substrate adaptable to a fine patterning, a mask blank and a transfer mask at a high yield, by detecting an internal defect (an optically non-uniform part) of a substrate for a mask blank at low maintenance cost and at a low inspection cost using an inspection device manufactured at low cost.
低コストで製造可能な検査装置を用いて、低メンテナンスコスト及び低検査コストで、マスクブランク用基板の内部欠陥（光学的不均一部分)を検出して、微細なパターニングに適応した基板、マスクブランク及び転写用マスクを高い歩留まりで製造する方法を提供する。 - 特許庁 - In the patterning retardation film, a plurality of retardation areas for the right eye and a plurality of retardation areas for the left eye are alternately formed, and at least one of the retardation area for the right eye and the retardation area for the left eye is an optically functional layer having twist structure.
複数の右眼用位相差領域と複数の左眼用位相差領域が交互に形成され、前記右眼用位相差領域と前記左眼用位相差領域の少なくとも一方が、ツイスト構造を有する光学機能層であることを特徴とするパターニング位相差フィルム。 - 特許庁 - To provide a conductive film and a manufacturing method thereof capable of significantly improving insulation property, having high permeability and low-resistance, improving endurance and flexibility and allowing easy patterning, as well as a touch panel having an improved writing endurance and flexibility and a solar cell having improved conversion efficiency.
絶縁性が著しく改善でき、高透過性、低抵抗であり、耐久性及び可撓性が向上し、簡易にパターニングが可能な導電膜及び導電膜の製造方法、並びに筆圧耐久性及び可撓性が向上したタッチパネル、及び変換効率が向上した太陽電池の提供。 - 特許庁 - A conductive film 118 formed as a pixel electrode is formed (Fig. (C)) and subjected to patterning operation using the same photomask to form a pixel electrode 127, source wiring 125, a drain electrode 126, a source region 123, a drain region 124 and an amorphous semiconductor film 122 for channel formation (Fig. (D)).
画素電極となる導電膜１１８を形成し（図（Ｃ））、同一のフォトマスクにてパターニングすることにより、画素電極１２７、ソース配線１２５及びドレイン電極１２６、ソース領域１２３及びドレイン領域１２４、チャネルが形成される非晶質半導体膜１２２を形成する（図（Ｄ））。 - 特許庁 - To provide a photomask and a method for manufacturing a photomask, which achieve patterning without requiring an additional investment even when a line-and-space pattern having a fine pitch width is to be formed on a process object, and to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device and a method for transferring a pattern.
被加工体に微細なピッチ幅のライン・アンド・スペース・パターンを形成する場合であっても、追加投資を殆ど必要とせずにパターニングを行うことができるフォトマスク、フォトマスクの製造方法、液晶表示装置の作製方法及びパターン転写方法を提供することを目的の一とする。 - 特許庁 - To provide a copper polyimide laminated film for improving normal adhesive power, heat-resistant adhesive power after the application of a heat load to the film, and furthermore, the adhesive power of the film subjected to electroless tin plating, and heat load application after thin line patterning in a view of the fact that the adhesive power used is insufficient as far as the copper polyimide laminated film manufactured using a conventional technique is concerned.
従来技術による銅ポリイミド積層フィルムにおいては不十分であった、常態密着力、熱負荷後の耐熱密着力、さらには細線パターン後、無電解スズめっきを施したものに熱負荷を加えたものの密着力を改善することを目的とする。 - 特許庁 - A groove with its planar shape of an inclined face and an angle of gradient even from the central part to the longitudinal end is obtained by heat-treating and patterning at the time of forming a resist pattern after curling up the longitudinal tip of the inclined plane of a part corresponding to the groove in a semicircle.
レジストパターン形成時に、この溝に相当する部分の斜面の長手方向の先端を半円形状に丸めておき、加熱処理をしてパターニングすることで、斜面の平面形状および傾斜角度が中央部から長手方向の端部まで均一である溝を得る。 - 特許庁 - To enable reliable wiring patterning by eliminating or reducing linear thermal expansion coefficient between a transfer mold and a substrate, and thus by eliminating a problem of expansion difference between the transfer mold and the substrate when they are heated up to a predetermined temperature in an embossing process.
転写金型と基板との間の線熱膨張係数の差をなくするか或いは減少して、エンボス加工の際に転写金型と基板とを所定温度まで加熱しても両者間の膨張差による問題を解消し、信頼性のある配線パターニングを可能にする。 - 特許庁 - The scattering bars 108a and 108b have a width sufficient for improving the depth of focus of the isolated wire 106b during semiconductor device patterning and are arranged at a distance from the isolated wire 106b sufficient to improve the depth of focus of the wire 106b.
このスキャッタリング・バー１０８aおよび１０８bは、半導体デバイスパターニング時における孤立した導線１０６bの焦点深度を向上させるに十分な幅を有し、かつ、該導線１０６bの焦点深度を向上させるに十分な距離だけ該孤立した導線１０６bから離間させて配置される。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display panel and a method for manufacturing the same, of which the manufacturing process is simplified and the manufacturing cost is saved by patterning a flattening layer and spacers of the liquid crystal display panel without conducting a photolithography process.
本発明の目的は、液晶表示パネルの平坦化層およびスペーサーをフォトリソグラフィー工程を実施することなくパターニングすることにより、製造工程を単純化すると共に製造費用を節減し得る液晶表示パネルおよびその製造方法を提供することである。 - 特許庁 - On a substrate to be machined, a thin film pattern is formed by using a resist originating from a material containing silicon being formed by patterning and the succeeding glassification treatment, and transferring the resist pattern to a thin film already formed on the substrate to be machined by a dry etching treatment.
被加工基板上において、薄膜パターンを、パターニングとそれに続くガラス化処理によって形成されたシリコン含有材料由来のレジストパターンをマスクとし、そのレジストパターンを被加工基板上にすでに形成されている薄膜にドライエッチング処理で転写することによって形成する。 - 特許庁 - After the recessed pattern having surface density equivalent to that of the recessed pattern in the display region 102 is formed in the frame part 104, when columnar spacers 25 and 50 are formed, patterning is performed so that the recessed pattern of a transparent insulating layer formed in the frame part 104 is filled up with the columnar spacer 50.
また、額縁部１０４に表示領域１０２と同等の面積密度の凹パターンを形成した後に、柱状スペーサ２５、５０を形成する際に、その柱状スペーサ５０で額縁部１０４に形成された透明絶縁膜層の凹パターンを埋めるようにパターンニングする。 - 特許庁 - To provide a dielectric filter, that eliminates the need for signal input output lead terminal and where a manufacture cost of formation of a conductor film in the outside and inside of a dielectric block and its patterning can be suppressed, and to provide a duplexer and manufacture of a communication unit using them.
信号入出力用のリード端子を不要とし、また、誘電体ブロック内外の導体膜の形成およびそのパターンニングに関する製造コストを抑えられるようにした誘電体フィルタ、デュプレクサおよびそれらを用いた通信機器の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method of a laminated electronic component constituted by the laminate of a ceramic green sheet includes a process of patterning the external terminal electrode on the ceramic green sheet, and laminating and forming the same so as to provide unevenness along a boundary between a ceramic region of an electronic component and an external terminal electrode region .
セラミックグリーンシートに外部端子電極をパターンニングして、電子部品のセラミック領域と外部端子電極領域との境界に凹凸を設けるように外部端子電極を形成するように積層する工程を含むことを特徴とする積層型電子部品の製造方法。 - 特許庁 - Also, a contact hole 10 is formed in an interlayer insulating film 9, and the high melting point metal silicide is accumulated on the whole face, and the patterning of the high melting point metal silicide is carried out, without etching-back, and metallic wirings including the bit lines 12 are formed so that a manufacturing process can be shortened in time.
また、層間絶縁膜９にコンタクト孔１０を形成し高融点金属シリサイドを全面に堆積させた後にエッチバックを行うことなく、そのまま高融点金属シリサイドのパタ−ニングを行い、ビット線１２を含む金属配線を形成しているので製造工程を短縮できる。 - 特許庁 - By patterning the lead group 14 bridging over the substrates 12a and 12b, the probe unit 10 can be bent at the connection section of the leads 16 and attached to the conduction tester 1, and the projection area of the probe unit 10 on the panel surface where the specimen is put on can be reduced.
リード群１４を基板１２ａ、１２ｂに跨ってパターニングすることにより、リード１６の連結部位でプローブユニット１０を屈折させて導通検査装置１の本体に取り付けて、検体３０が載置される盤面へのプローブユニット１０の投影面積を低減することができる。 - 特許庁 - The resin composition is prepared by compounding a thermosetting resin with additives such as a filler, a patterning material, an internal mold release agent, a curing agent, etc., and is poured into a casting mold to be molded and hardened, giving an artificial marble molding.
熱硬化性樹脂に充填材、柄材、内部離型剤、硬化剤などの添加物を配合して得られる樹脂組成物で、これを注型用金型に注入して成形硬化させることにより人造大理石成形品を製造するのに用いる人造大理石製造用の樹脂組成物である。 - 特許庁 - To provide a negative resist material, in particular, a chemically amplified negative resist material that can exhibit higher resolution than conventional hydroxy styrene or novolac negative resist materials, that provides excellent pattern profiles after being exposed and that exhibits excellent etching resistance; and a patterning process that uses the resist material.
従来のヒドロキシスチレン系、ノボラック系のネガ型レジスト材料を上回る高解像度を有し、露光後のパターン形状が良好であり、更に優れたエッチング耐性を示すネガ型レジスト材料、特に化学増幅ネガ型レジスト材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - A method of manufacturing an array substrate comprises the steps of forming a barrier layer in the lower portion of a source and drain electrodes using material unetched by wet etching liquid for a metal material constituting the source and drain electrodes, and patterning the barrier by anisotropic dry etching, thereby obtaining the desired CDs of a channel portion.
ソース電極及びドレイン電極の下部に、ソース電極及びドレイン電極を構成する金属物質の湿式エッチング液にエッチングされない物質を利用してバリア層を形成して、バリア層を異方性の乾式エッチングによってパターニングし、望むチャンネル部のＣＤを得る。 - 特許庁 - It has least the process, which forms the organic EL layer of at least one-layer which constitutes the EL element by patterning it with the photo lithography method, and the process, which forms the buffer layer which is not eluted in a solvent.
上記目的を達成するために、本発明は、ＥＬ素子を構成する少なくとも1層の有機ＥＬ層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして形成する工程と、溶媒に不溶なバッファー層を形成する工程とを少なくとも有することを特徴とするＥＬ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method includes (1) depositing or growing a dielectric material in intrinsic and extrinsic regions of a device, (2) patterning the dielectric material by a dry or wet etching process or a lift-off process, and (3) performing vapor deposition of a field plate on the patterned dielectric material.
（１）デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、（２）乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、（３）パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。 - 特許庁 - The method of patterning the converted film comprises a step for laying a pattern mask in the presence of air over the ordinal pressure on a surface of polysilazan applied to a base surface, exposing it to short-wavelength UV rays having wavelengths of 100-280 nm, and dissolving and removing unexposed portions by an developing solution.
該転化膜をパタ−ン化する方法は、基体面に塗膜されたポリシラザン面に、常圧以上の空気の存在下でパタ−ンマスクを載置し、これに１００〜２８０ｎｍの波長を有する短波長紫外線を露光して後、未露光部分を現像溶剤にて溶解除去すること。 - 特許庁 - To optimize an antireflection film for use, when patterning a resist for use in an ion implantation step and enhance throughput in the manufacture of a semiconductor device, containing a step of ion-implanting impurities in a region selected by the use of a resist pattern.
レジストパターンを使用して選択された領域に不純物をイオン注入する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、イオン注入工程において使用されるレジストをパターニングする際に使用される反射防止膜の最適化を図るとともに、スループットを向上すること。 - 特許庁 - The method comprises patterning a cell adhesive domain of micro order on a cell unbondable surface, voluntarily aggregated cells on the domain to efficiently form spheroids of a uniform size, and then noninvasively collecting cell spheroids formed under the conditions.
細胞非接着性の表面上にマイクロオーダーの細胞接着性ドメインをパターニングし、このドメイン上で細胞を自発的に凝集させることでサイズの整ったスフェロイドを効率的に形成せしめた後、条件によって形成した細胞スフェロイドを非侵襲的に回収する手段の提供 - 特許庁 - The transfer film having the inorganic powder-containing resin layer comprising the inorganic powder-containing resin composition of the present invention obtained by using a specific photoinitiator can provide the flat panel display capable of forming a black matrix which is flat and smooth, has no warpage, and has excellent patterning performance.
特定の光重合開始剤を用いて得られた本発明の無機粉体含有樹脂組成物からなる無機粉体含有樹脂層を有する転写フィルムは、平滑で反りのない、優れたパターニング性能を有するブラックマトリクスを形成できるフラットパネルディスプレイを提供することができる。 - 特許庁 - The lithographic apparatus includes an optics compartment that contains the patterned surface of a patterning device and an optical element, and a substrate compartment connected to the optics compartment by a connection that is arranged to pass a patterned beam of radiation from the optical element to a substrate.
このリソグラフィ装置は、パターン形成装置のパターン形成された表面と光学素子とを収容する光学区画と、パターン形成された放射ビームを光学素子から基板に通過させるように構成された、接続部によって光学区画に連結された基板区画とを含む。 - 特許庁 - To obtain a structure of a vibrator whose electrode intersection area can be made large while an increase in occupation area is suppressed and to obtain a structure of a vibrator whose electrode intersection area can be made large without sacrificing patterning precision nor simplicity of a manufacturing process.
占有面積の増大を抑制しつつ電極交差面積を大きくすることができる振動子の構造を実現し、また、パターニング精度や製造工程の簡易性を犠牲にすることなく電極交差面積を大きくすることができる振動子の構造を実現する。 - 特許庁 - (2) The resist is patternwise exposed with an allowance for the resolution limit of the resolving power of wavelength of exposing light and this resist or a mask material formed from the resist is treated by isotropic etching to carry out patterning finer than the resolution limit.
レジストについて露光波長の解像力の解像限界より余裕をもったパターン露光を行い、その後該レジスト又はレジストにより形成されたマスク材料を等方性エッチングを用いて処理することにより、前記露光波長の解像力の解像限界よりも微細なパターニングを行う。 - 特許庁 - To avoid the problem that a shadowing effect or a patterning accuracy is deteriorated by lowering the height of a capacitive element on a substrate in a technique for forming the element particularly in which a pair of electrodes are formed of a polycrystal semiconductor.
容量素子で、特にその一対の電極がいずれも多結晶半導体で形成される容量素子の形成技術において、容量素子の基板に対する高さを低くすることにより、シャドウイング効果やパターニングの精度の劣化を招来するという問題点を回避することにある。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a semiconductor device which can make etching without giving a local damage to a base film, when patterning is made by using multilayer resist as a mask on a semiconductor substrate having a surface step and machining for a gate electrode, a fine wiring and so on are made.
表面段差を有する半導体基板上において、多層レジストをマスクとしてパターニングを行い、ゲート電極や微細配線等を加工する際に、下地膜に局所的な損傷を与えずに、エッチングを行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A dual-drop mode for a printer uses at least two full-length waveforms and switches between the waveforms according to one or more patterning methodologies to print a page-length document having a dual-drop size print pattern across the printed portion of the page.
プリンタのデュアル・ドロップ・モードは、少なくとも２つの全長波形を用い、１つ又はそれ以上のパターン形成方法により、これらの波形の間で切り替えて、ページの印刷された部分にわたり２つの液滴サイズの印刷パターン有する、１ページ長の文書を印刷する。 - 特許庁 - The method of manufacturing semiconductor devices by patterning a wiring material film (film to be worked) 10 containing metal to be formed on a substrate 1 consists in first forming the resist patterns 13 across an antireflection film 11 consisting of a silicon material on the wiring material film 10.
基板１上に形成された金属を含有する配線材料膜（被加工膜）１０をパターニングする半導体装置の製造方法であり、先ず、配線材料膜１０上にシリコン系材料からなる反射防止膜１１を介してレジストパターン１３を形成する。 - 特許庁 - To provide a cycloolefin laminate wherein a metal part in a side contacting a photo-permeable supporting material can be blackened, an adhesion between a cycloolefin supporter and a patterned metal part can be improved, and the cycloolefin laminate having a low haze can be obtained even when the patterning metal part does not adhere to other base materials, and a method for manufacturing the laminate.
光透過性支持体と接する側の金属部が黒化でき、シクロオレフィン支持体とパターニングされた金属部との接着性を改善し、かつパターニングされた金属部を他の基材と貼合せずとも、ヘイズの低いシクロオレフィン積層体、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
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