「planarization」を含む例文一覧(457)

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  • A substrate holder for a lithographic apparatus has a planarization layer provided on a surface thereof.
    リソグラフィ装置用の基板ホルダは、その表面上に設けられた平坦化層を有する。 - 特許庁
  • METHOD AND APPARATUS FOR PLANARIZATION OF SOLDER BUMPS IN WIRING BOARD
    配線基板のはんだバンプ平坦化方法および配線基板のはんだバンプ平坦化装置 - 特許庁
  • Furthermore an etching unit 150 is installed in the planarization apparatus 10, thereby the planarization sequence of the wafer 28 from the rough grinding to the etching is carried out in the one apparatus.
    また、エッチング装置150を平面加工装置10に設置したので、ウェーハ28の粗研削からエッチングまでの一連の平面加工を一つの装置で実施することができる。 - 特許庁
  • To provide a water-based slurry composition having excellent planarization performance that can be used for chemical mechanical planarization (CMP) for a layer formed in a manufacturing process of a semiconductor device.
    半導体素子の製造工程中に形成される層の化学的機械的平坦化(CMP)に使用され得る、優れた平坦化性能を有する水性スラリー組成物の提供。 - 特許庁
  • To perform the planarization processing of a surface to be processed of an object to be processed while maintaining a high processing speed.
    被加工物の被加工面の平坦化加工を高い加工速度を維持して実施する。 - 特許庁
  • To provide a constituent of chemico-mechanical polishing for improving the planarization effects of a polishing object.
    研磨対象物の平坦化効果を向上する化学機械研磨の構成物を提供する。 - 特許庁
  • To provide an integrated plating and planarization apparatus having a counter electrode with a variable diameter.
    可変直径の対電極を有する一体化されたメッキおよび平坦化装置を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a polishing pad hardly causing a scratch and excellent in planarization performance and in polishing stability.
    スクラッチを発生させにくく、平坦化性能や研磨安定性に優れた研磨パッドを提供する。 - 特許庁
  • In this substrate surface planarization method, a concave part formed on a surface of a substrate is etched.
    基板の表面に形成された凸部をエッチングするための基板の表面平坦化方法である。 - 特許庁
  • To provide a planarization method of an insulating layer around metal patterns which makes optical efficiency enhanced.
    光学効率を向上させる金属パターン周囲の絶縁層の平坦化方法を提供する。 - 特許庁
  • A planarization film 21 is formed to fill the wiring trench 10 and the contact hole 11.
    配線溝10および接続孔11内を埋め込む状態で、平坦化膜21を形成する。 - 特許庁
  • PROCESS SOLUTION CONTAINING SURFACTANT FOR USE AS TREATMENT AGENT AFTER CHEMICAL MACHINERY PLANARIZATION
    化学機械平坦化後の処理剤として使用される界面活性剤を含有するプロセス溶液 - 特許庁
  • The polishing pad useful for a chemical mechanical planarization has a polishing layer for planarizing a substrate.
    ケミカルメカニカルプラナリゼーションに有用な研磨パッドは、基材を平坦化するための研磨層を有する。 - 特許庁
  • To reduce the load on a double-sided simultaneous polishing step or a single-sided polishing step in a process for producing a silicon wafer, and to reduce surface roughness of a wafer, while maintaining planarization, when a planarization step is ended.
    両面同時研磨工程や片面研磨工程の負荷を軽減するとともに、平坦化工程を終えた際のウェーハ平坦度の維持及びウェーハ表面粗さの低減の双方を達成し得る。 - 特許庁
  • In the case of forming a reflective layer of forty layers on a glass substrate, twenty layers are formed under the condition that planarization effect is large, and layers after the twentieth layer are formed under the condition that no planarization effect is exerted.
    ガラス基板上に40層の反射層を形成する場合、20層までは、平坦化効果が大きい条件で成膜し、21層以上は、平坦化効果がない条件で成膜する。 - 特許庁
  • To obtain a semiconductor device and a method for manufacturing it, capable of performing local planarization by eliminating local surface shape faults, while performing global surface planarization.
    グローバルな表面平坦化を達成しつつ、局所的な表面形状不良をなくして局所的な平坦化をも達成することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a planarization method which suppresses defects on a surface of a polished film and can control a thickness of the polished film, and to provide a manufacturing method of a semiconductor device using such the planarization method.
    被研磨膜表面の欠陥を抑制するとともに、被研磨膜厚を制御可能な平坦化方法を提供し、かかる平坦化方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an apparatus and a method that are related to deposition and planarization of a semiconductor wafer, especially, that deposit a film more effectively by the use of local deposition and also achieve local planarization.
    半導体ウェーハの堆積及び平坦化に関し、特に、局所堆積を利用して薄膜をより効果的に堆積させ、更に局所平坦化を可能にする装置及び方法を提供する。 - 特許庁
  • To provide an apparatus and technique for more effectively depositing a thin film by using localized deposition and permitting localized planarization, in particular, relating to the deposition and planarization of a semiconductor wafer.
    半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。 - 特許庁
  • To improve electrical connection reliability without planarization process.
    本発明の目的は、平坦化プロセスを行うことなく、電気的な接続信頼性の向上を図ることにある。 - 特許庁
  • To provide a method of forming a film, with which reflow temperature for planarization can be very much lowered.
    平坦化のための流動化温度を飛躍的に低下させることができる成膜方法を提供する。 - 特許庁
  • Further, the upper surfaces of the light-shielding film 18 and the color filter 19 are on the same level through planarization.
    また、遮光膜18及びカラーフィルタ19の上面は、平坦化により同一平面となっている。 - 特許庁
  • Planarization treatment for reducing surface roughness of side surfaces of substrates 11 and 13 of the liquid crystal cell is performed.
    液晶セルの基板11、13の側面の表面粗さを減少させる平坦化処理を施す。 - 特許庁
  • Planarization of the structure is enhanced by using a pattern of a dummy material in the peripheral region.
    周囲領域にダミー材料のパターンを使用することにより構造体の平坦化が向上される。 - 特許庁
  • Since the polysilicon surface layer 20 is amorphized, the thermal oxidization causes planarization upon the oxidization.
    ポリシリコンの表層20はアモルファス化しているので、熱酸化処理によって酸化する際に平坦化される。 - 特許庁
  • As shown in step 11, the planarization of a layer to be planarized by a chemical mechanical polishing.
    ステップ11に示すように、化学的機械的研磨による被平坦化処理層の平坦化を実施する。 - 特許庁
  • To measure a film thickness by specifying the same region continuously when measuring the film thickness of a planarization film.
    平坦化膜の膜厚を測定する場合に、常に同じ領域を特定して膜厚を測定する。 - 特許庁
  • The soft magnetic powder is subjected to planarization treatment, and pre-molding heat treatment for heating the powder at ≥700°C.
    軟磁性粉末に、平坦化処理を施し、700℃以上で加熱する成形前熱処理を行う。 - 特許庁
  • To provide appropriate polishing characteristics without lowering productivity, in a planarization process by a CMP method.
    CMP法による平坦化工程において,生産性を低下させることなく好適な研磨特性を得る。 - 特許庁
  • PLANARIZATION MATERIAL, ANTI-REFLECTION COATING FORMATION MATERIAL, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THEM
    平坦化材料、反射防止膜形成材料、及びこれらを用いた半導体装置の製造方法 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device that can be manufactured by using O_2 ashing, after resin embedding planarization.
    樹脂埋め込み平坦化の後にO_2アッシングを使用して製造可能な半導体デバイスを提供する。 - 特許庁
  • Then the interconnections and MIM capacitor are completed with only one planarization process (e.g. CMP).
    次いで、ただ1回の平坦化工程(たとえばCMP)で、相互接続とMIMキャパシタを完成させる。 - 特許庁
  • At step S140, responding to the deviation from the ideal planarization condition, so as to attain the planarization after actual polish, for example, an ideal dimensional standard is assumed such as depositing thickly beforehand the part where the film thickness becomes thin.
    ステップS140で理想平坦状況からのズレに対応して、実際の研磨後に平坦化が図れるように、例えば膜厚の薄くなる箇所を予め厚めに成膜する等の理想形状を想定する。 - 特許庁
  • To provide an ultrasonic motor which can prevent deterioration of performance and generation of noise, even if the planarization is attempted.
    扁平化を図っても、性能の悪化及び異音の発生を防ぐことができる超音波モータを提供する。 - 特許庁
  • COMPOSITION AND METHOD CAPABLE OF CARRYING OUT ADJUSTMENT FOR CHEMICAL AND MECHANICAL PLANARIZATION BY USE OF ASPARTIC ACID/TOLYL TRIAZOLE
    アスパラギン酸/トリルトリアゾールを用いる化学的機械的平坦化のための調整可能な組成物および方法 - 特許庁
  • To provide a retainer ring and chemical mechanical polishing equipment which realize high-precision planarization of a body to be polished.
    被研磨体の高精度な平坦化を実現するリテーナリング及び化学機械研磨装置を提供すること。 - 特許庁
  • To enable precise and uniform planarization to be performed, and to reduce material requirement (to save slurry) and save space.
    高精度に安定して平坦化を行うことが可能で、資材低減(スラリ節約)および省スペース化を図る。 - 特許庁
  • To provide a display, capable of appropriately preventing the generation of planarization of luminance, which is unintended.
    意図しない輝度の平坦化の発生をより適切に防止することが可能な表示装置等を提供すること。 - 特許庁
  • To provide a conductive pad excellent in planarization characteristics and exhibiting high polishing speed while suppressing the generation of a scratch.
    平坦化特性に優れ、スクラッチの発生を抑制でき、研磨速度が大きい導電性パッドを提供する。 - 特許庁
  • In the semiconductor device, the metal seed films 24 and 26 are not exposed and removed in a planarization process by CMP.
    このためCMPによる平坦化工程において、金属シード膜24、26は露出せず、除去されない - 特許庁
  • A planarization film 11, a coating film 20, a positive electrode 2, and a hole injection layer 4 are formed on one surface of a substrate 10.
    基板10の片面に、平坦化膜11、被覆膜20、陽極2、ホール注入層4を形成する。 - 特許庁
  • To provide the manufacture of a semiconductor device which is easy for planarization, by simplifying the manufacturing process.
    製造工程を簡略化し、平坦化の容易な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • The planarization layer provides a smooth surface for the formation of a thin film stack forming an electronic component.
    平坦化層は、電気コンポーネントを形成する薄膜積層体を形成するために平滑な表面を提供する。 - 特許庁
  • A protection insulating film 32 is formed, a planarization film 33 is formed, and an organic EL element L is patterned for every pixel.
    保護絶縁膜32を成膜し、平坦化膜33を成膜し、画素ごとに有機EL素子Lをパターニングする。 - 特許庁
  • In this way, planarization of not only the element separating film itself but also of the semiconductor substrate can be realized.
    これにより、素子分離膜自体の平坦化はもちろん、半導体基板との平坦化をも図ることができる。 - 特許庁
  • To form a micromachine in a shorter time than with a conventional method, by using a damascene method for planarization with CMP.
    平坦化をCMPで行うダマシン法を用いて、従来より短時間にマイクロマシンを形成できるようにする。 - 特許庁
  • After the trench has been completely embedded by a second isolation layer 116, planarization is carried out, to complete STI.
    第2のアイソレーション層116でトレンチを完全に埋め込んだ後平担化を行いSTIが完成する。 - 特許庁
  • To provide a planarization processing apparatus for a wafer in which throughput is enhanced without damaging the wafer.
    ウェーハを破損させることなくスループットを向上させることができるウェーハの平面加工装置を提供する。 - 特許庁
  • To provide the process of fabricating a semiconductor device which ensures planarization and alignment marker level difference reliably by forming the alignment marker level difference only once, by providing an optimal combination of the alignment marker level difference and the amount of polishing planarization and checking the amount of polishing required for planarization concretely and simply before polishing.
    アライメントマーカ段差と平坦化研磨量の最適な組み合わせを提供し、かつ平坦化に必要な研磨量を研磨前に具体的かつ簡便に確認することにより、アライメントマーカ段差の形成が1回のみで平坦化とアライメントマーカ段差の確保を確実に行うことができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
  • To provide an EL display device which can have super proper light emission efficiency by forming an organic EL element with a uniform film thickness on a planarization film, by realizing further planarization, and to provide electronic equipment equipped with the EL display device.
    より一層の平坦化を実現することで、平坦化膜上に均一な膜厚の有機EL素子の形成し、良好な発光効率が得られるEL表示装置と、当該EL表示装置を備えた電子機器を提供する。 - 特許庁
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