「planarization」を含む例文一覧(457)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 次へ＞- To provide a manufacturing method of a semiconductor device and a semiconductor wafer, whereby even after planarization process, recognition and discrimination between the device region and the scribing region of the wafer are possible.
平坦化工程の実行後であっても、デバイス領域とスクライブ領域とを認識・判別することのできる、半導体装置の製造方法及び半導体ウエハを提供する。 - 特許庁 - To provide a radiation sensitive resin composition having high planarization performance and high sensitivity in combination in an application of a transparent curing resin pattern and having high productivity of the transparent curing resin pattern.
透明硬化樹脂パターン用途において高い平坦化性能や高い感度等を兼ね備え、透明硬化樹脂パターンの生産性の高い感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - In step 13, a chemical liquid containing at least an etching liquid is jetted on the selected specified regions by an ink-jetting method to perform a wet etching control, thereby improving the planarization level.
ステップ１３において、この選定された特定領域に対し、インクジェットにより少なくともエッチング液を含む薬液を吹き付け、ウェットエッチング制御を行い、平坦化レベルの改善を図る。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor forming method and semiconductor manufacturing apparatus capable of forming layer insulation films having superior planarization characteristics, without contg. seams or hillocks at a low reflow temp.
本発明は、シームや鬆を含まず優れた平坦化特性の層間絶縁膜を低いリフロー温度で薄膜形成できる半導体形成方法および半導体製造装置を得る。 - 特許庁 - A polysilicon gate 11g, which is formed even on a silicon oxide film 9 and subjected to planarization processing and patterning processing, is silicide-processed from its surface to obtain a silicide region 18g.
シリコン酸化膜９上にも形成され、平坦化処理及びパターニング処理が施されたポリシリコンゲート１１ｇに対し、表面からシリサイド化してシリサイド領域１８ｇを得る。 - 特許庁 - The precise prediction of the variations in the topography for designing the specific mask is performed at a die level by using the existing pattern density and CMP (Chemical Mechanical Polishing) planarization length characteristics to the individual patterns.
既知のパターン密度、および個々のパターンに対するＣＭＰ平坦化長特性を使用して、特定のマスク設計用のトポグラフィのばらつきの精確な予測をダイ・レベルで行う。 - 特許庁 - By adjusting the generation factor of fluorine active species, planarization etching, and the like, of an insulating film 36 and an SOG film 38 is performed in selective etching.
そしてこれらフッ素系活性種の生成比率を調整すれば、選択エッチングにおいて絶縁膜３６とＳＯＧ膜３８との平坦化エッチング等を実施することが可能になる。 - 特許庁 - To provide an optical wavelength multiplex signal monitor excellent in cross talk characteristics with a small planarization excessive loss of an AWG while achieving a flat photosensitivity characteristics near signal light.
信号光近傍で平坦な受光感度特性を実現しながらも、ＡＷＧの平坦化過剰損失が小さく、クロストーク特性に優れた光波長多重信号監視装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an improved method and apparatus for chemical mechanical processing of metal and barrier materials which increases substrate throughput while maintaining improved planarization efficiency.
改善された平坦化効率を維持しつつ基板スループットを増大することができるような、金属及びバリヤ物質を化学機械処理するための改良された方法及び装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a polishing pad exhibiting consistent polishing performance for multiple polishing cycles while facilitating planarization without generating excessive defectivity onto a substrate.
複数の研磨サイクルにわたって一定した研磨性能をもたらすと同時に、基板に過度の欠陥性を生じさせることなく平坦化を促進することができる研磨パッドを提供する。 - 特許庁 - A back-illuminated solid-state imaging device includes: a pixel region where a plurality of pixels comprising a photoelectric conversion part and a pixel transistor are arrayed; a light-shielding film 39 corresponding to an optical black level region 23B in the pixel region; a first planarization film 52 serving as a substrate of the light-shielding film 39; and an antireflective film 36 serving as a substrate of the first planarization film 52.
本発明は、裏面照射型の固体撮像装置であって、光電変換部と画素トランジスタからなる複数の画素が配列された画素領域と、画素領域の光学的黒レベル領域２３Ｂに対応した遮光膜３９と、遮光膜３９の下地となる第１平坦化膜５２と、第１平坦化膜５２の下地となる反射防止膜３６とを有する。 - 特許庁 - The display device is composed of: a first plastic substrate 20 which has a composite layer including only a fiber cloth 3 impregnated with a resin, inorganic barrier layers 25 formed on the composite layer and planarization resin layers 24 formed on the inorganic barrier layers 25 and having a ruggedness of the surface of about 100 nm or less; and a display medium layer 26 disposed on the planarization resin layer side of the first plastic substrate.
樹脂が含浸された繊維布３のみを含む複合体層と、複合体層上に形成された無機バリア層２５と、無機バリア層２５上に形成された、表面の凹凸が約１００ｎｍ以下である平坦化樹脂層２４とを有する第１プラスチック基板２０と、第１プラスチック基板の前記平坦化樹脂層側に設けられた表示媒体層２６とを有する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing semiconductor wafers in which semiconductor wafers with high flatness can be efficiently obtained from wafers passed through a surface grinding step by enabling planarization through suppressing deterioration of flatness occurring in the vicinity of the center and in the peripheral edge portion of surface ground wafers and through correcting the deterioration of flatness easily in a planarization step or a grinding step.
平面研削されたウェーハの中心付近や外周縁部に生じるこのような平坦度の低下を極力抑制し、平坦化ないし研磨工程においてこれらを容易に修正し平坦化し得る様にすることで、平面研削工程をへたウェーハから、高い平坦度を有する半導体ウェーハを効率よく製造することができる半導体ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The stopper layer 7, the silicon electrode 5, the side walls 9, and the liner layer 15 are embedded in an interlayer insulating film 17, and subsequently the interlayer insulating film 17 is subjected to a planarization process so as to expose the stopper layer 7.
ストッパ層７、シリコン電極５、サイドウォール９、およびライナー膜１５を、層間絶縁膜１７で埋め込み、ストッパ層７を露出させるように層間絶縁膜１７の平坦化処理を行う。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a conductive member is prevented from remaining on an interlayer insulating film when a planarization process is performed by a CMP method.
ＣＭＰ法による平坦化工程を行う際に、層間絶縁膜上に導電部材が残存することを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A region corresponding to the reflection film 5 in the color film 20 is formed to transmit light applied when specifying a region corresponding to the reflection film 5 in the planarization film 22.
カラーフィルタ膜２０における反射膜５に相当する領域は、平坦化膜２２における反射膜５に相当する領域を特定するときに照射される光を透過させるように形成される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device including a dummy pattern which attains an excellent effect in improving a process failure caused by a pattern dependency in a planarization process or an etching process, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.
平坦化工程またはエッチング工程でのパターン依存性に起因した工程不良を改善する効果に優れたダミーパターンを含む半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a planarization processing apparatus for processing the surface of a large-sized workpiece to be flat with a less man-hour, and a method for supporting the workpiece so that the processed surface of the workpiece becomes flat.
比較的少ない工数で大型のワークの表面を平坦に加工する平面加工装置を提供するとともに、加工されたワークを表面が平面になるように支持する方法を提供すること。 - 特許庁 - To reduce the load on a double-sided simultaneous polishing step or a single-sided polishing step in a process for producing a silicon wafer, and to reduce the surface roughness of a wafer, while maintaining flatness, when planarization step is ended.
両面同時研磨工程や片面研磨工程の負荷を軽減するとともに、平坦化工程を終えた際のウェーハ平坦度の維持及びウェーハ表面粗さの低減の双方を達成し得る。 - 特許庁 - Further a cleaning stage 23 for cleaning a polishing pad 56 of the polishing stage 22 is mounted in the planarization apparatus 10, thereby, when the polishing pad 56 becomes dirty, the polishing pad 56 is cleaned in the one apparatus 10.
また、研磨ステージ２２の研磨布５６を洗浄する洗浄ステージ２３を平面加工装置１０に設置し、研磨布５６が汚れた時に、研磨布５６を同一装置１０内で洗浄する。 - 特許庁 - To provide a thin-film layered substrate that suppresses short-circuits caused by electrical connection being made between a first conductive portion below a planarization film and a second conductive portion located above the flattening film.
平坦化膜の下層にある第１導電部と、平坦化膜の上層にある第２導電部とが電気的に接続されてショートすることを抑制する薄膜積層基板等を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for polishing a wafer and a head for polishing the wafer in which planarization can be carried out with higher accuracy on the premise that a waxless mount system is employed.
ワックスレスマウント方式を採用することを前提とし、より精度の高い平坦化加工行うことができるウェーハ研磨方法、およびその方法を実施するためのウェーハ研磨ヘッドを提供する。 - 特許庁 - To enable the low-resistance and surface planarization of an intermediate layer comprising a n-type group III nitride semiconductor between a crystal substrate and an emission part, and to enable the layer to raise emission intensity.
結晶基板と発光部との間の、ｎ型III族窒化物半導体からなる中間層の低抵抗化、表面の平坦化を可能とし、発光強度を向上させることができるようにする。 - 特許庁 - By making the ordinary printing layer 103 function as a planarization layer, the ruggedness on the surface of the cloth 102 is relieved and the optical characteristics of the discrimination printing layer 104 can be effectively developed.
通常印刷層１０３を平坦化層として機能させることで、布地１０２表面の凹凸が緩和され、識別印刷層１０４の光学特性を効果的に発現させることができる。 - 特許庁 - To minimize the amount of dishing of embedded wiring due to polishing by planarization when the embedded wiring is made while minimizing the amount of metal required to be polished.
埋め込み配線を作製する際の平坦化処理時に実施する研磨により、埋め込み配線が受けるディッシング量を最小限に抑止し、しかも、研磨する必要のある金属の量も最小限に留める。 - 特許庁 - To provide a thin film planarization method of a semiconductor device capable of materializing film quality on a wafer having much more flat surface topology, by improving the thickness uniformity of a polished thin film.
研磨された薄膜の厚さ均一度を改善することで、一層平坦な表面トポロジーを有する膜質をウェハー上に実現できる半導体素子の薄膜平坦化方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an aqueous dispersing element for chemical mechanical polishing being employed for shrink isolation (trench isolation) or planarization of an interlayer insulating film in fabrication of a semiconductor device and exhibiting excellent planarity of a polished surface.
半導体装置の製造における微細化素子分離（トレンチ分離）あるいは層間絶縁膜の平坦化のために用いられ、研磨面の平坦性に優れた化学機械研磨用水系分散体を提供する。 - 特許庁 - Moreover, planarization properties of the lower interface (forming surface) of the insulating barrier layer 5 can be improved appropriately, so that the rate of resistance change (ΔR/R) that is higher than that in the conventional elements becomes possible, while low RA is maintained.
また、前記絶縁障壁層５の下界面（形成面）の平坦化性を適切に向上でき、これにより、低ＲＡを維持しつつ従来に比べて高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが可能になる。 - 特許庁 - To provide the planarization method of a thin film surface, which can efficiently and selectively remove a projecting part, when it exists on the surface of a thin film formed on a wafer and can efficiently and selectively remove the projecting part, without damaging a weak layer, even if the weak layer exists around the projecting part.
ウエハ上に形成された薄膜表面に凸部がある場合において、その凸部の選択的除去を効率よく行うことができる薄膜表面の平坦化方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element which prevents the occurrence of cracks, which forms a nitride semiconductor growth layer having proper surface planarization properties, and which does not have current leakage paths or damages, and to provide a method of manufacturing the same.
本発明は、クラックの発生を防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成し、電流リークパスやダメージの無い半導体素子及びその製造方法を提案することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a silicon wafer that is able to locally process a silicon wafer and planarize the entire silicon wafer surface with high precision and throughput, when performing the silicon wafer planarization process.
シリコンウエハを平坦に加工するシリコンウエハの製造方法において、前記シリコンウエハを局所的に加工し、高精度且つ高スループットでウエハ面全体を平坦化することのできるシリコンウエハの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a substrate processing method and apparatus capable of polishing the metal film of a substrate in such a state that a native oxide on the metal film formed on the substrate is removed , and of realizing the uniform planarization of the substrate.
基板に形成された金属被膜上の自然酸化膜を除去した状態で基板の金属被膜を研磨し、基板の均一な平坦化を実現することができる基板処理方法および装置を提供する。 - 特許庁 - Since the width of an upper surface of the filler position on the part except the aperture of high profile is reduced, the part of high profile is easily eliminated, and generation of irregularities on surface can be prevented after planarization.
これにより、高さの高い非開口部上に位置する充填物の上面の幅が小さくなるので、その高さの高い部分が容易に除去され、平坦化後における表面にばらつきが発生するのが防止される。 - 特許庁 - A sloped surface is formed, after the first insulating layer has been polished by CMP, and a planarization process further levels off this nonuniform surface, so that a uniform insulator thickness having a preferable sensor function is formed.
第一絶縁層が、ＣＭＰにより研磨された後、傾斜表面が形成され、更に、平坦化工程によりこの不均一表面を除去し、好ましいセンサー機能を有する均一な絶縁体厚さを形成する。 - 特許庁 - To insure that so-called planarization plating is surely performed without depositing excessive plating until a plating film of a flat surface can be formed without using a costly mechanism like a film thickness monitor.
膜厚モニタのような高価な機構を使用することなく、いわゆる平坦化めっきを、表面が平坦なめっき膜が形成されるまで、余分なめっきを付けることなく確実に行うことができるようにする。 - 特許庁 - The CMP slurry is formulated with an oxidizer, capable of oxidizing a metal undergoing planarization and yielding a complexing agent which complexes with the oxidized metal, thereby minimizing overetching.
ＣＭＰスラリーは、平坦化される金属を酸化することができ、また酸化された金属と錯体を形成する錯化剤を生ずることができる酸化剤を使用して処方され、それによりオーバーエッチィングを最小限度に抑える。 - 特許庁 - To provide a cushion layer for a polishing pad excellent in planarization characteristics, which cushion layer is used for forming a flat surface to glass, a semiconductor, a dielectric/metallic complex, an integrated circuit and the like.
ガラス、半導体、誘電／金属複合体及び集積回路等に平坦面を形成するのに使用される研磨パッド用クッション層において、平坦化特性に優れた研磨パッド用クッション層を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element which prevents the occurrence of cracks, which forms a nitride semiconductor growth layer having proper surface planarization properties, and which does not have current leakage paths or damages, and to provide a method of manufacturing the same.
本発明は、クラックの発生を防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層を形成し、電流リークパスやダメージの無い半導体素子及びその製造方法を提案することを目的とする。 - 特許庁 - To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, which achieves both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and prevent metallic contamination of a wafer.
バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立でき、かつ、ウエハの金属汚染の少ない化学機械研磨用水系分散体を提供する。 - 特許庁 - To provide a coating liquid which can inexpensively form a low- resistant, transparent electroconductive layer having a low transmittance in order to enhance uniformity of luminance in a plane and contrast in correspondence to planarization of a front panel of a CRT, and the like.
ＣＲＴ等の前面板の平面化に伴う輝度の面内均一化及びコントラストの向上を図るため、低透過率で低抵抗の透明導電層を安価に形成できる塗液を提供する。 - 特許庁 - To provide polishing solution for CMP and a polishing method for carrying out high planarization and for suppressing dishing or sinning without lowering a polishing speed at the time of forming the embedded wiring(pattern) of a metallic film by a CMP method.
ＣＭＰ法で金属膜の埋め込み配線（パターン）を形成させる際に、研磨速度を落とさずに、高平坦化はもとより、ディッシング及びシニングを抑制できるＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an alignment pattern and its forming method in which a peak can be read out readily by detecting a level difference surely through scanning even when planarization is performed by CMP without requiring any extra process.
新たな工程を付加することなく、ＣＭＰによる平坦化を行った場合でも、スキャンにより段差を確実に検出して容易にピークを読み取ることができる目合わせパターン及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a composition for chemical and mechanical planarization or other polish capable of providing high selectivity of tantalum to copper in copper CMP and capable of carrying out adjustment relating to polish performance and a method relating thereto.
銅ＣＭＰにおいて銅に対するタンタルの高い選択性を与え、研磨性能に関して調整可能な、化学的機械的平坦化または他の研磨用の組成物および関連する方法を提供する。 - 特許庁 - The planarization method for the polysilicon includes a process that forms the polysilicon on the surface of a substrate, a process that reduces the roughness of the surface by etching, and a process that planarizes the polysilicon surface by laser-annealing.
基板の表面にポリシリコンを形成する工程、エッチングにより表面粗さを減少させる工程、および該ポリシリコン表面をレーザーアニールにより平坦化する工程からなるポリシリコンの平坦化方法である。 - 特許庁 - At this moment, the planarization process is performed until the top electrode of the capacitor is exposed, then a conduction film for plate electrode is formed and a plate line directly contacting to the upper electrode is formed by patterning.
この際、平坦化工程はキャパシタ上部電極が露出される時まで実施され、その後、プレート電極用導電膜を形成し、パターニングして上部電極に直接接触するプレートラインを形成する。 - 特許庁 - Dissolution of copper is selectively accelerated in a part from which the inhibitor absorbed by the surface is removed by polishing, thereby preferentially removing wiring layers from a projection part, and accelerating the planarization in a process of electrolytic polishing.
表面に吸着したインヒビタが研磨により除去された部分で選択的に銅の溶解が促進されるので、配線層は凸部から優先的に除去され、電解研磨の過程で平坦化が促進される。 - 特許庁 - To provide the planarization method of a shallow trench tank isolation section which is substantially equal in height, in which the thickness of a shallow trench tank section ultimately obtained has been inherently planned by right, by providing a proper smoothness rate on the surface of the shallow trench tank section.
浅溝槽区の表面は良好な平滑率を備え、最後に得られる浅溝槽区の厚さは本来予定されていた高さとほぼ等しい、浅溝槽分離区の平坦化方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetic recording medium including: a substrate for a magnetic recording medium which has a favorable adhesion property which can withstand planarization processing such as polishing, and can be made a thick film in forming a film on an Si substrate, a soft magnetic layer, and a recording layer.
Ｓｉ基板への成膜において研磨等の平坦化加工に耐えうる良好な密着性を有し、かつ厚膜化可能な磁気記録媒体用基板及び軟磁性層と記録層とを含む磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁 - To provide an aqueous dispersant for chemical-mechanical polishing simultaneously, having a high polishing speed and high planarization characteristics for a wiring material and a barrier metal film and an interlayer insulating film, and to provide a chemical-mechanical polishing method that uses the dispersant.
配線材料、バリアメタル膜および層間絶縁膜に対する高研磨速度と高平坦化特性を同時に備えた化学機械研磨用水系分散体、およびこれを用いた化学機械研磨方法を提供することにある。 - 特許庁 - In the upper DBR layer 13, a first upper DBR layer 19, an inclined layer 20 having an inclined surface 20A, a planarization layer 21, and a second upper DBR layer are laminated from the side of the cavity layer 12 in this order.
上部ＤＢＲ層１３は、第１上部ＤＢＲ層１９、傾斜面２０Ａを有する傾斜層２０、平坦化層２１および第２上部ＤＢＲ層をキャビティ層１２側からこの順に積層されたものである。 - 特許庁
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