「planarization」を含む例文一覧(457)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 次へ＞- Then, a connected part with the drum can is blocked, the drum can is cut off, after that, the used tent for dismantlement is crushed and spread (a planarization step, S7).
そして、ドラム缶との連通部を塞いでドラム缶を切り離した後、使用済の解体用テントを潰して拡げる（平坦化工程，Ｓ７）。 - 特許庁 - To set a film thickness of an underlying film on a recess to an optional thickness including planarization while reducing impact of striation with a simpler process.
より簡易なプロセスでストリエーションの影響を低減しつつ凹部上の下地膜の膜厚を、平坦化を含め任意の膜厚に設定する。 - 特許庁 - To provide a method of forming an insulating film with a planarized surface on a metal layer, without having to apply a chemical-mechanical planarization process.
金属層上への表面の平坦かされた絶縁膜を化学的機械平坦化プロセスを適用しないでも済む形成方法を提供する。 - 特許庁 - In step 12, specified regions, causing the unevenness of the planarization, is selected at a step after the chemical mechanical polishing.
ステップ１２において、化学的機械的研磨後の段階で平坦化を不均一にしている被平坦化処理層の特定領域を選定する。 - 特許庁 - A planarization process (d) by a chemical and mechanical polishing method or etch back method is introduced before the removal of the resist mask 4 used for processing tracks.
トラック加工に用いたレジストマスク４の除去前に化学的機械研磨法あるいはエッチバック法による平坦化工程（ｄ）を導入する。 - 特許庁 - The columnar spacers 19 are formed of the same material as the material of planarization films, by which the utilization of a halftone exposure method and slit mask exposure method is made possible.
柱スペーサ１９を平坦化膜と同一の材料で形成したことで、ハーフトーン露光法やスリットマスク露光法の利用が可能になる。 - 特許庁 - Etching is not performed in the process of planarizing a polycrystalline Si wafer, but only mechanical grinding is performed for planarization (S104, S106).
本発明では、多結晶Ｓｉウェハの平坦化の工程でのエッチングは行なわれず、機械研削のみで平坦化がなされる（Ｓ１０４、Ｓ１０６）。 - 特許庁 - To provide a polishing method, a polishing system and a process management system, which enables high grade planarization of a film to be polished, which is deposited on a wafer.
ウェハ上に堆積された被研磨膜の高度な平坦化が可能な研磨方法、研磨システムおよび工程管理システムを提供する。 - 特許庁 - The platform substrate 11 is thinned by CMP (chemical mechanical planarization) or the like to form a membrane 11 covering a sealed cavity 33 defined by the well 31 and the mounting surface 24.
CMPなどによりプラットフォーム基板11を薄厚化し、ウェル31と取付面24により画定される密閉空洞部33を覆う膜11を形成する。 - 特許庁 - To achieve high planarization on a surface to be polished after CMP, and to ensure a high polishing rate for obtaining a sufficient amount of over cutting.
ＣＭＰ後における被研磨面の高平坦化を可能にしつつ、高い研磨レートを確保して十分な削り込み量を得られるようにする。 - 特許庁 - The organic EL display device has a planarization layer whose residual oligomer is 5% or less measured by using a gas chromatograph mass spectrometer.
ガスクロマトグラフ質量分析計を用いて測定した残留オリゴマーが５％以下の平坦化層を有する有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a conductive pad (conductive sheet) excellent in planarization characteristics and exhibiting high polishing speed while suppressing the occurrence of scratch.
平坦化特性に優れ、スクラッチの発生を抑制でき、研磨速度が大きい導電性パッド（導電性シート）を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To enable planarization of solder bumps for flip-chip mounting following the thickness of a substrate without necessitating fine adjustment of parallelism.
フリップチップ実装用はんだバンプを平坦化する場合に、平行度の微調整を必要とせず、基板の厚みに追従した平坦化を可能にする。 - 特許庁 - To provide a GaN substrate which achieves planarization of a surface, a manufacturing method of the same, a nitride semiconductor element and a manufacturing method of the same.
表面の平坦化が図られたＧａＮ基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a magnetoresistance effect element, which retracts a planarized surface with comparatively high dimensional accuracy after planarization polishing.
平坦化研磨後に比較的に高い寸法精度で平坦化面を後退させることができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus of substrate planarization to manufacture a substrate surface of superior quality with high throughput.
高スループットで良好な品質の基板表面を製造する基板平坦化の方法及び装置を提供することが、本発明の利点である。 - 特許庁 - To provide an organic light emitting device that can prevent gas from being discharged from a pixel defining layer or a planarization layer and a method for manufacturing the same.
画素定義膜や平坦化膜におけるガス排出を防止できる有機発光表示装置及びこれを製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a planarization device which can assure planarity between a probe card and a wafer in manufacturing the probe card, and to provide a method for obtaining the planarity of the probe card.
プローブカード製造においてプローブカードとウエハとのプラナリティを保証するプラナリゼーション装置および、プローブカードのプラナリティを得る方法を提供する。 - 特許庁 - A chemical and mechanical planarization system 100 includes a factory interface 102, a loading robot 104 and a polishing module 106.
プラテン２３０およびプラテン上に配置されたポリシング材２５２のウェブ４０２を一般に含む、基板１２２を研磨するための半導体基板処理システムである。 - 特許庁 - To reduce dust deposited on a surface of an object to be polished and scratches thereon and achieve a planarization characteristic at the same time.
被研磨物表面へのダスト付着性を少なくし、スクラッチ傷の低減を果たし、更に平坦化特性をも両立させることをその課題とする。 - 特許庁 - By improving the planarization and homogeneity of the insulating layer, a method and a system which enhance the optical efficiency of a CCD and a CMOS image sensor device are provided.
絶縁層の平坦化と均一性を改善して、ＣＣＤとＣＭＯＳイメージセンサーデバイスの光学効率を向上させる方法とシステムを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a thin film transistor whereby reduction in the photolithography step, facilitation of the width adjustment of LDD regions, and planarization of laminated thin films can be devised.
フォトリソグラフィー工程の節減、LDD領域の幅調節の容易化と積層された薄膜の平坦化を図れる薄膜トランジスターの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A method of chemical mechanical planarization of the substrate on the fixed abrasive grain polishing pad to which planarizing solution is dispensed, is disclosed.
固定砥粒研磨パッド上に平坦化溶液が分配される、固定砥粒研磨パッド上で基板を化学機械的に平坦化する方法を開示する。 - 特許庁 - To provide a tin composition for manufacturing a polishing pad (polishing layer) which is excellent in planarization characteristics, is capable of suppressing the generation of scratches and has a high polishing speed.
平坦化特性に優れ、スクラッチの発生を抑制でき、研磨速度が大きい研磨パッド（研磨層）を製造するための錫組成物を提供する。 - 特許庁 - Then, the periphery of the opening of the through hole 14 in the backside of a photoelectric conversion portion 10 is subjected to planarization to form a planarized region 17.
次に、光電変換部１０の裏面におけるスルーホール１４の開口部周辺に平坦化処理を施して平坦化領域１７を形成する。 - 特許庁 - At step S130, the amount of polishing is measured by each measuring point within the dummy wafer plane, and the polishing characteristics is grasped by finding the deviance from the ideal planarization condition.
ステップＳ１３０でダミーウエハの面内の各測定点で研磨量を測定し、理想平坦状況からのズレを求めて研磨特性を把握する。 - 特許庁 - There is no overlap of the upper and lower electrodes 406 and 102, thus avoiding shorting problems which can occur during a planarization process.
上部電極層４０６と下部電極層１０２のオーバーラップは存在せず、平面化プロセスの間発生することのある短絡の問題を回避できる。 - 特許庁 - At this time, the second insulating film 14 acts as an etching stopper, and exposure of the second insulating film 14 is detected, to finish polishing (planarization process) (Fig. 1 (c)).
その際、第２絶縁膜１４がエッチングストッパとなり、第２絶縁膜１４の露出を検出して研磨（平坦化工程）終了とする（図１（ｃ））。 - 特許庁 - The planarization mechanism of the film sticking apparatus includes upper and lower chambers mutually and movably sandwiching a mold release film disposed in the middle.
本発明のフィルム貼付装置の平坦化機構は、中間に配置される離型フィルムを互いに可動可能に挟持する上チャンバおよび下チャンバを含む。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a plurality of field-effect transistors which are respectively stacked with a planarization layer interposed therebetween over a substrate having an insulating surface, in which semiconductor layers in the plurality of field-effect transistors are separated from semiconductor substrates.
また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。 - 特許庁 - To embed the inside of a trench with an epitaxial layer, and to planarize the epitaxial layer in parallel to the surface of an SiC substrate, when carrying out planarization.
トレンチ内をエピタキシャル層で埋め込んだ後、平坦化する際にＳｉＣ基板の表面に対して並行に平坦化が行うことができるようにする。 - 特許庁 - Subsequently, the inside of the reaction tube 2 is maintained at 450°C, and a planarization gas containing fluorine and hydrogen fluoride is supplied from the process gas introduction tube 17.
続いて、反応管２内を４５０℃に維持するとともに処理ガス導入管１７からフッ素とフッ化水素を含む平坦化ガスを供給する。 - 特許庁 - To provide a planarization method that allows a highly reliable wiring system and a superconductor device to be formed, and a wiring structure.
配線パターンの大きさ、密度によらない、高信頼度の配線系および超電導素子を形成できる平坦化方法および配線構造を提供する。 - 特許庁 - When an interlayer insulation film 3 is made open to form a contact hole 4, a position detection groove 10 is formed and a planarization suppressing groove 20 is formed inside it (Fig. 2 (a)).
層間絶縁膜３を開口してコンタクトホール４を形成する際、位置検出溝１０と、その内側に平坦化抑制溝２０とを形成する（図２（ａ））。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a waveguide device capable of making compatible both the uniform polling processing over a wide range and planarization of a device surface.
広範囲にわたる均質なポーリング処理とデバイス表面の平滑化の両立が図られた導波路デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can restrain excessive polishing at the periphery of a nitride film by restraining weight loss of the nitride film in a planarization treatment.
平坦化処理における窒化膜の目減りを抑制し、窒化膜周辺の過度の研磨を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a fabrication process of a semiconductor device in which removal of a cap layer on an electrode layer and planarization of an interlayer film can be carried out simultaneously.
電極層上のキャップ層の除去と、層間膜の平坦化を同時に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The planarization layer may smooth over roughness caused by removal of material from a blank to form burls on the substrate holder.
この平坦化層は、基板ホルダ上にバールを形成するように空所から材料を除去することによってもたらされた粗さの上を滑らかにすることができる。 - 特許庁 - On the edge of the surface of a semiconductor chip region 10, a planarization insulation film region 30 is formed while surrounding an integrated circuit region 31.
半導体チップ領域１０の表面の端部上に、前記集積回路領域３１を取り囲んで平坦化絶縁膜領域３０が形成されている。 - 特許庁 - Each electronic component 1-4 has a capacitor 11 formed on a smooth substrate 51 having a planarization layer 52 formed on the surface as a base.
電子部品１〜４は、基材として、表面に平坦化層５２が形成された平滑な基板５１上にコンデンサ１１が形成されたものである。 - 特許庁 - The buried oxidized film is formed in the trench for the depth H Å of the trench + the stopper film thickness x Å and the planarization is performed by using a CMP technique.
このトレンチに埋め込み酸化膜をトレンチの深さＨÅ＋ストッパ膜厚ｘÅを成膜し、ＣＭＰ技術を用いて平坦化を行う。 - 特許庁 - To provide a CMP polishing method for polishing a surface to be polished at a stable polishing speed selectively, without flaws, and for achieving high planarization.
安定した研磨速度で被研磨面を選択的に傷なく研磨することができ、高平坦化することが可能であるＣＭＰ研磨方法を提供する。 - 特許庁 - To provide slurry for chemical mechanical polishing, excellent in planarization performance and capable of extremely reducing a step between a stopper film and an insulating film.
平坦化性能に優れ、ストッパ膜と絶縁膜との間の段差を極めて小さくすることができる化学的機械的研磨用スラリーを提供すること。 - 特許庁 - The first planarization layer 11 is disposed between a light receiving part 3 and a microlens 15 for allowing the light receiving part 3 to collect incident light.
第１平坦化層１１は、受光部３とこの受光部３に入射光を集光させるためのマイクロレンズ１５との間に設けられている。 - 特許庁 - To provide an organic light-emitting device in which high reliability and a long life can be expected by effectively preventing moisture absorption to a planarization film.
平坦化膜への水分吸着を効果的に防止することにより、高い信頼性と長寿命を期待できる有機発光装置を提供する。 - 特許庁 - This is the organic EL display in which at least a transparent support substrate, one kind or a plurality kinds of chromatic conversion layers formed in a pattern state, a planarization layer, an inorganic membrane layer, a transparent electrode, an organic EL layer, and a reflecting electrode are included in this order, and in which the planarization layer is a laminate of two or more layers of acrylic resin layers.
少なくとも、透明支持基板と、パターン状に形成されている１種または複数種の色変調層と、平坦化層と、無機膜層と、透明電極と、有機ＥＬ層と、反射電極とをこの順に含み、該平坦化層は、２層以上のアクリル樹脂層の積層体であることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing an MR element which can planarize a top electrode layer without carrying out a planarization process or by a very simple planarization process, and can supply a sufficient bias for domain control to a free layer of an MR laminate; and also to provide a method of manufacturing a thin film magnetic head, and to provide the thin film magnetic head.
平坦化処理を行うことなく又は行ったとしても非常に簡単な平坦化処理で上部電極層を平坦化でき、さらに、ＭＲ積層体のフリー層に充分な磁区制御用バイアスを供給できるＭＲ素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法及び薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁 - The final film planarization of the hole injection layer 3 is improved, by alternately laminating an appropriate number of the first and the second organic material layers.
第１有機材料層と第２有機材料層とが交互に適切な数だけ積層されることで、最終的な正孔注入層３の膜の平坦性が向上する。 - 特許庁 - Furthermore, the first and second CMP monitor patterns 127B and 127C are used for controlling thicknesses TH1 and TH2 of the PSG film 112, and at the same time, planarization polishing is conducted through CMP polishing.
さらに、第１，第２ＣＭＰモニタパターン１２７Ｂ，１２７Ｃを用いてＰＳＧ膜１１２の膜厚ＴＨ１，ＴＨ２を管理しつつＣＭＰ研磨により平坦化研磨する。 - 特許庁 - The film 13 is a laminated film formed by laminating a planarization film 13a consisting of an insulative organic resin film, such as a BCB(benzo cyclobutene) resin film, a polyimide film and an acrylic resin film, and an insulating inorganic film 13b.
ゲート絶縁膜１３は、ＢＣＢ、ポリイミド、アクリル等の絶縁性有機樹脂膜でなる平坦化膜１３ａと、絶縁性無機膜１３ｂとの積層膜でなる。 - 特許庁
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