「solid-state type」を含む例文一覧(731)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 14 15 次へ＞- COLOR INTERPOLATION METHOD FOR SINGLE BOARD TYPE SOLID- STATE IMAGING DEVICE AND RECORDING MEDIUM FOR RECORDING COLOR INTERPOLATION PROCESSING PROGRAM FOR THE SINGLE BOARD TYPE SOLID-STATE IMAGING DEVICE
単板式固体撮像素子の色補間方法および単板式固体撮像素子の色補間処理プログラムを記録した記録媒体 - 特許庁 - SAMPLING CIRCUIT AND AMPLIFICATION TYPE SOLID STATE IMAGING DEVICE USING THE SAME
サンプリング回路およびそれを用いた増幅型固体撮像装置 - 特許庁 - ELECTRONIC ENDOSCOPE SYSTEM EQUIPPED WITH CHARGE AMPLIFICATION TYPE SOLID-STATE IMAGING DEVICE
電荷増幅型固体撮像素子を備えた電子内視鏡装置 - 特許庁 - CHARGE MULTIPLIER TYPE SOLID-STATE ELECTRONIC IMAGING APPARATUS AND ITS CONTROL METHOD
電荷増倍型固体電子撮像装置およびその制御方法 - 特許庁 - CHARGE-PUMP TYPE BOOSTER CIRCUIT AND SOLID-STATE IMAGING APPARATUS USING IT
チャージポンプ型昇圧回路およびそれを用いた固体撮像装置 - 特許庁 - The solid-state polymer type water electrolysis unit 21 is serially and integrally connected to the solid-state polymer type hydrogen compressing device 41.
固体高分子型水電解装置２１は、固体高分子型水素圧縮装置４１と直列かつ一体的に接続されている。 - 特許庁 - A pair of lamination type solid-state image pickup devices 11a composes a terrace paddy field type solid-state image pickup element 12 so that the steps oppose each other.
１対の積層型固体撮像素子１１ａは、階段部が互いに対向するようにして棚田型固体撮像素子１２を構成する。 - 特許庁 - LOGARITHMIC TRANSFORMATION TYPE PIXEL STRUCTURE AND SOLID-STATE IMAGING APPARATUS USING THE SAME
対数変換型画素構造およびそれを用いた固体撮像装置 - 特許庁 - IMAGING APPARATUS AND CHARGE TRANSFER METHOD OF CCD TYPE SOLID-STATE IMAGING ELEMENT
撮像装置及びＣＣＤ型固体撮像素子の電荷転送方法 - 特許庁 - BACK IRRADIATION TYPE SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT, ELECTRONIC EQUIPMENT MODULE, AND CAMERA MODULE
裏面照射型固体撮像素子、電子機器モジュール及びカメラモジュール - 特許庁 - To provide a solid-state methanol fuel cartridge for a direct methanol type fuel cell and a direct methanol type fuel cell system capable of safely and efficiently taking out methanol from solid-state methanol.
固体状メタノールからメタノールを安全に効率良く取り出すことのできる直接メタノール形燃料電池システムを提供する。 - 特許庁 - To readily discriminate the quality of a MOS type solid-state image pickup element in an inspection method for the MOS-type solid-state image pickup element.
ＭＯＳ型固体撮像素子の検査方法において、ＭＯＳ型固体撮像素子の良否を簡単に判別できることを目的とする。 - 特許庁 - CHARGE MULTIPLICATION TYPE ELECTRONIC SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME
電荷増倍型固体電子撮像装置およびその制御方法 - 特許庁 - LOGARITHMIC TRANSFORM TYPE PIXEL STRUCTURE AND SOLID- STATE IMAGE PICKUP DEVICE USING THE SAME
対数変換型画素構造およびそれを用いた固体撮像装置 - 特許庁 - The hydrogen producing device 2 is a solid-state polymer type water electrolysis unit 21.
水素生成装置２は、固体高分子型水電解装置２１である。 - 特許庁 - SOLID-STATE METHANOL FUEL CARTRIDGE FOR DIRECT METHANOL TYPE FUEL CELL
直接メタノール形燃料電池用固体状メタノール燃料カートリッジ - 特許庁 - To provide an amplification type solid-state imaging device in which crosstalk is reduced.
クロストークが低減された増幅型固体撮像素子を提供する。 - 特許庁 - IMAGE PICKUP DEVICE, CMOS TYPE SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND ITS DRIVING METHOD
撮像装置並びにＣＭＯＳ型固体撮像素子及びその駆動方法 - 特許庁 - To efficiently improve the dynamic range of an amplification type solid-state image pickup element.
増幅型固体撮像素子のダイナミックレンジを効率的に向上させる。 - 特許庁 - To prevent crosstalk and color mixture in a backside irradiation type solid-state imaging device.
裏面照射型固体撮像素子におけるクロストーク，混色を防止する。 - 特許庁 - To provide a thin type solid-state image pickup device which has a high cooling effect.
薄型で、且つ冷却効果の高い固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - PHOTOELECTRIC CONVERSION FILM STACKED TYPE SOLID-STATE IMAGE SENSING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法 - 特許庁 - DOUBLE INTEGRATING TYPE A/D CONVERTER, COLUMN PROCESSING CIRCUIT AND SOLID STATE IMAGING APPARATUS
２重積分型Ａ／Ｄ変換器、カラム処理回路、及び固体撮像装置 - 特許庁 - To improve the readout characteristics for a MOS-type solid-state imaging device.
ＭＯＳ型固体撮像装置における読み出し特性の改善を図る。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a solid-state imaging device, capable of easily manufacturing the thin-type solid-state imaging device on a wafer level.
薄型の固体撮像装置をウエハレベルで容易に製造することができる固体撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - CORRELATED DOUBLE SAMPLING CIRCUIT AND AMPLIFICATION TYPE SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
相関２重サンプリング回路およびそれを用いた増幅型固体撮像装置 - 特許庁 - To provide an amplification-type solid-state image pickup device capable of reducing image quality deterioration.
画質の劣化を抑制し得る増幅型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - To improve the reliability and durability of a package type solid-state imaging device.
パッケージ型の固体撮像装置の信頼性及び耐久性の向上を図る。 - 特許庁 - To suppress the occurrence of color mixing in a back-side illumination type solid-state imaging device.
裏面照射型の固体撮像装置において、混色の発生を抑制する。 - 特許庁 - To provide a thin-type solid-state imaging device which can be readily manufactured.
簡便に製造することのできる薄型の固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - The hydrogen compressing device 11 is a solid-state polymer type hydrogen compressing device 41.
水素圧縮装置１１は、固体高分子型水素圧縮装置４１である。 - 特許庁 - To provide a rear irradiation type solid-state imaging device which has improved condensing characteristics and in which optical noise such as flares or smears is suppressed, a method for manufacturing the same, and a solid-state imaging apparatus and an imaging apparatus using this solid-state imaging device.
集光特性の向上が図られ、フレアやスミア等の光学的雑音が抑制された裏面照射型の固体撮像素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - OPTICAL COUPLING DEVICE FOR ARRAY TYPE SEMICONDUCTOR LASER AND SOLID-STATE LASER DEVICE USING THIS ARRAY TYPE SEMICONDUCTOR LASER
アレイ型半導体レーザ用光結合装置及び該アレイ型半導体レーザを用いた固体レーザ装置 - 特許庁 - The amplification type solid-state imaging device includes a pixel section 10 and a control unit 15.
この増幅型固体撮像装置は、画素部１０と、制御装置１５とを備える。 - 特許庁 - The present invention is applicable, for example, to column A/D conversion type solid-state imaging device.
本発明は、例えば、カラムAD変換方式の固体撮像装置に適用できる。 - 特許庁 - JFET (JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR) AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE USING SAME
ＪＦＥＴ（接合型電界効果トランジスタ）、及びこれを用いた固体撮像装置 - 特許庁 - JUNCTION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLID-STATE IMAGING APPARATUS
接合形電界効果トランジスタ及びその製造方法並びに固体撮像装置 - 特許庁 - To increase the amplitude of the output signal of the active pixel type solid-state image pickup device.
アクティブピクセル型固体撮像装置の出力信号の振幅を大きくする。 - 特許庁 - To raise a frame rate at least, in a MOS amplification type solid state imaging device.
ＭＯＳ増幅型固体撮像素子において、少なくとも高フレームレート化を図る。 - 特許庁 - The amplifying type solid-state imaging device is equipped with a pixel section 10 and a control section 20.
この増幅型固体撮像装置は、画素部１０と制御部２０とを備える。 - 特許庁 - To reduce the power consumption of a MOS-type solid-state image pickup device and to reduce random noise.
ＭＯＳ型固体撮像装置の低消費電力化、低ランダムノイズ化を可能にする。 - 特許庁 - To improve transfer efficiency of signal charge in an amplification type solid state imaging device.
増幅型固体撮像装置における信号電荷の転送効率を向上させる。 - 特許庁 - To provide a MOS type solid-state image pickup device which expands a dynamic range with a low voltage.
ＭＯＳ型固体撮像装置のダイナミックレンジを拡大するとともに、低電圧化を図る。 - 特許庁 - To remove a smear component that a rear face light incidence type solid-state imaging element generates.
裏面光入射型の固体撮像素子において発生したスミア成分を除去する。 - 特許庁 - SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE, ITS MANUFACTURE, AND INTERLINE TRANSFER TYPE CCD IMAGE SENSOR
固体撮像装置およびその製造方法およびインターライン転送型ＣＣＤイメージセンサ - 特許庁 - To provide a solid-state imaging device having a waveguide layer of a well-type structure easy to manufacture.
作製しやすい井戸型構造の導波層を有する固体撮像素子を提供する。 - 特許庁 - To provide a rear-irradiation type solid-state imaging device that can be improved in operational reliability.
動作信頼性を向上させる裏面照射型固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁 - To improve light shielding of a floating diffusion portion of a MOS-type solid-state imaging apparatus.
ＭＯＳ型固体撮像装置のフローティングディフュージョン部の遮光性を向上すること。 - 特許庁 - To enhance the sensitivity even if pixels are microfabricated in an MOS type solid state imaging device.
ＭＯＳ型の固体撮像装置において、画素が微細化されても感度の向上を図る。 - 特許庁 - SOLID STATE IMAGING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND INTERLINE TRANSFER TYPE CCD IMAGE SENSOR
固体撮像装置およびその製造方法およびインターライン転送型ＣＣＤイメージセンサ - 特許庁
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