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「抵抗用素子」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1797件
抵抗インクと抵抗体、及びそれを用いた歪み抵抗素子とこの歪み抵抗素子の製造方法例文帳に追加
RESISTANCE INK AND RESISTOR, AND BENDING RESISTANCE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
抵抗素子を使用した半導体装置例文帳に追加
避雷器用非線形抵抗素子例文帳に追加
NONLINEAR RESISTANCE ELEMENT FOR LIGHTNING ROD - 特許庁
磁気抵抗素子を用いた磁気センサ例文帳に追加
抵抗素子として利用可能な抵抗素子の電流値を低減する。例文帳に追加
To reduce the current value of a resistance element utilizable as a resistance element. - 特許庁
均一な抵抗値を有する抵抗素子及びそれを用いた半導体素子例文帳に追加
RESISTANCE ELEMENT HAVING UNIFORM RESISTANCE VALUE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME - 特許庁
モニター用抵抗素子及び抵抗素子相対精度測定方法例文帳に追加
RESISTANCE ELEMENT FOR MONITOR AND METHOD FOR MEASURING RELATIVE ACCURACY OF RESISTANCE ELEMENT - 特許庁
磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を用いた記憶装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND STORAGE DEVICE USING THE SAME - 特許庁
磁気抵抗素子及び該素子を用いたメモリ素子例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND MEMORY ELEMENT USING THE ELEMENT - 特許庁
抵抗素子およびそれを用いた可変抵抗器、ならびにその抵抗素子の製造方法例文帳に追加
RESISTOR ELEMENT, VARIABLE RESISTOR USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
磁気抵抗効果素子の抵抗値測定方法および磁気抵抗効果素子用信号読み出し回路例文帳に追加
METHOD FOR MEASURING RESISTANCE VALUE OF MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND CIRCUIT FOR READING SIGNAL FOR MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT - 特許庁
磁気抵抗素子TR103およびTR104は、磁気抵抗素子の抵抗変化を検出するための比較基準用の一定抵抗である。例文帳に追加
The magnetoresistive elements TR103 and TR104 are fixed resistors for reference for comparison for detecting resistance variation of magnetoresistive elements. - 特許庁
磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気抵抗効果型ヘッドを用いたハードディスク装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, AND HARD DISK DEVICE USING MAGNETORESISTIVE HEAD - 特許庁
可変抵抗器およびこれに用いる抵抗素子基板の製造方法例文帳に追加
VARIABLE RESISTOR AND MANUFACTURE OF RESISTANCE ELEMENT SUBSTRATE USING THE SAME - 特許庁
電力用抵抗器とその抵抗素子及びそれらの製造方法例文帳に追加
POWER RESISTOR, ITS RESISTANCE ELEMENT AND MANUFACTURE THEREOF - 特許庁
磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用した装置例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETORESISTANCE EFFECT SENSOR AND DEVICE USING THE ELEMENTS - 特許庁
磁気抵抗効果素子バー用露光方法、磁気抵抗効果素子バーの形成方法及び磁気抵抗効果素子バー例文帳に追加
METHOD FOR EXPOSING MAGNETORESISTIVE ELEMENT BAR, METHOD FOR FORMING MAGNETORESISTIVE ELEMENT BAR, AND MAGNETORESISTIVE ELEMENT BAR - 特許庁
抵抗素子の製造法、並びに当該抵抗素子を用いた電子機器操作用応力センサ例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD OF RESISTANCE ELEMENT, AND STRESS SENSOR USING SAME FOR OPERATING ELECTRONIC APPLIANCE - 特許庁
抵抗素子調整方法、抵抗素子調整方法によって抵抗値及び温度依存特性が調整された抵抗素子、その抵抗素子を用いた電流発生装置例文帳に追加
RESISTIVE ELEMENT ADJUSTING METHOD, RESISTIVE ELEMENT ADJUSTED FOR RESISTANCE VALUE AND TEMPERATURE DEPENDENCY BY METHOD, AND CURRENT GENERATING DEVICE USING RESISTIVE ELEMENT - 特許庁
読み出し用素子30はMTJ素子(磁気抵抗効果素子)からなる。例文帳に追加
The element 30 for reading consists of an MTJ element (magneto-resistance effect element). - 特許庁
半導体抵抗素子及びその製造方法並びに半導体抵抗素子を用いた半導体装置例文帳に追加
SEMICONDUCTOR RESISTIVE ELEMENT, MANUFACTURING METHOD OF SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SEMICONDUCTOR RESISTIVE ELEMENT - 特許庁
抵抗素子及びその製造法並びに当該抵抗素子を歪ゲージとして用いる応力センサ例文帳に追加
RESISTANCE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND STRESS SENSOR USING THE SAME AS STRAIN GAGE - 特許庁
磁気抵抗効果素子及びその製造方法並びにその磁気抵抗効果素子を用いた磁気薄膜メモリ例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC THIN FILM MEMORY USING THE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT - 特許庁
薄膜磁気抵抗素子及びその製造方法並びに薄膜磁気抵抗素子を用いた磁気センサ例文帳に追加
THIN FILM MAGNETORESISTIVE ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC SENSOR USING THE SAME - 特許庁
磁気抵抗効果素子及びその製造方法、ならびに前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD USING IT - 特許庁
磁気抵抗効果素子とその製造方法及びその磁気抵抗効果素子を用いた磁気記録装置例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC RECORDING EQUIPMENT USING THE SAME - 特許庁
磁気抵抗素子、磁気抵抗素子を用いた半導体記憶装置、およびこれらの製造方法例文帳に追加
RELUCTANCE ELEMENT, SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE COMPRISING IT, AND THEIR FABRICATING METHOD - 特許庁
磁気抵抗効果素子、これを用いた磁界検出器、および磁気抵抗効果素子の製造方法例文帳に追加
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC FIELD DETECTOR USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT - 特許庁
磁気抵抗素子のパターン形成方法およびこのパターン形成方法を用いた磁気抵抗素子例文帳に追加
FORMATION OF PATTERN OF MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND MAGNETORESISTANCE ELEMENT USING THE SAME - 特許庁
交換結合膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子、並びに磁気抵抗効果素子の製造方法例文帳に追加
EXCHANGE-COUPLING FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT - 特許庁
磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド例文帳に追加
MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND THIN FILM MAGNETIC HEAD USING ABOVE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT - 特許庁
傍熱型感温抵抗素子、及び傍熱型感温抵抗素子を用いた絶対湿度センサ例文帳に追加
INDIRECT HEAT TYPE HEAT-SENSITIVE RESISTANCE ELEMENT, AND ABSOLUTE HUMIDITY SENSOR USING THE INDIRECT HEAT TYPE HEAT-SENSITIVIE RESISTANCE ELEMENT - 特許庁
磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド例文帳に追加
MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND THIN-FILM MAGNETIC HEAD USING THE ELEMENT - 特許庁
スクリーン印刷装置およびこれを用いて製作した抵抗素子基板、ならびにこの抵抗素子基板を用いた可変抵抗器例文帳に追加
SCREEN PRINTING APPARATUS, RESISTANCE ELEMENT SUBSTRATE MANUFACTURED USING THE SAME AND VARIABLE RESISTOR USING RESISTANCE ELEMENT SUBSTRATE - 特許庁
抵抗素子搭載シート及びその製造法並びに抵抗素子搭載シートを用いた抵抗内蔵多層配線板の製造法例文帳に追加
RESISTIVE ELEMENT MOUNTING SHEET AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND MANUFACTURING METHOD OF MULTILAYER WIRING BOARD CONTAINING RESISTORS USING THE SAME - 特許庁
磁気抵抗素子において、磁気抵抗構造体21上にキャッピング層26としてTiNを使用した磁気抵抗素子及びその製造法である。例文帳に追加
In the magnetoresistive element, TiN is used as a capping layer 26 on a magnetic reluctance structure 21. - 特許庁
微分負性抵抗素子を用いたジャイレータ回路例文帳に追加
GYRATOR CIRCUIT USING DIFFERENTIAL NEGATIVE RESISTANCE DEVICE - 特許庁
磁気抵抗素子およびその製造方法、並びにその利用例文帳に追加
MAGNETORESISTIVE ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND ITS UTILIZATION - 特許庁
半導体磁気抵抗素子を用いた位置変位センサ例文帳に追加
POSITION/DISPLACEMENT SENSOR USING SEMICONDUCTOR MAGNETORESISTIVE ELEMENT - 特許庁
抵抗体素子およびそれを用いた温度検出回路例文帳に追加
RESISTOR ELEMENT AND TEMPERATURE DETECTING CIRCUIT USING IT - 特許庁
オーバーコート用ガラスペースト及び厚膜抵抗素子例文帳に追加
GLASS PASTE FOR OVER COAT AND THICK FILM RESISTANCE ELEMENT - 特許庁
可変抵抗素子およびそれを用いた半導体装置例文帳に追加
VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁
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