crystal rocking curve widthとは 意味・読み方・使い方

The gallium oxide(β-Ga_2O_3) single crystal shows a half-value width of X-ray rocking curve obtained by X-ray rocking curve measurement using a radiated light as an X-ray source of ≤0.08°.例文帳に追加

放射光をＸ線源としたＸ線ロッキングカーブ測定により得られるＸ線ロッキングカーブの半値幅が０．０８°以下であることを特徴とする酸化ガリウム（β-Ga_2O_3）単結晶である。 - 特許庁

In the support substrate 1, rocking curve half-value width is not larger than 59 sec in a plane crystal orientation at the side wall 1b of the opening or the recess.例文帳に追加

支持基板１は、開口部又は凹部の側壁１ｂにおける、面の結晶方位でロッキングカーブ半値幅が５９ｓｅｃ以下である。 - 特許庁

The non-magnetic garnet single crystal substrate is used when the bismuth substituted-type magnetic garnet film is obtained by the LPE method and characterized in that the half-value width of a rocking curve of the substrate is characterized by being one for ≤140 sec.例文帳に追加

ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を得るに際して用いる基板であって、該基板がロッキングカーブの半値幅が１４０秒以下のものであることを特徴とする非磁性ガーネット単結晶基板である。 - 特許庁

Furthermore, a full width at half maximum (FWHM) of a peak (0.0.24) measured by an XRD rocking curve of the superconductive crystal of the Bi2223 phase is 18° or less.例文帳に追加

また、Ｂｉ２２２３相よりなる超電導結晶のＸＲＤロッキングカーブで測定された（０．０．２４）ピークのＦＷＨＭが１８°以下である。 - 特許庁

This nitride semiconductor self-supporting substrate has a mirror-finished surface of the substrate, and the half-value width of the nitride semiconductor crystal (0002) plane from the result obtained by X-ray rocking curve measurement for the nitride semiconductor self-supporting substrate is 15 sec or more but less than 30 sec.例文帳に追加

本発明に係る窒化物半導体自立基板は、該基板の表面が鏡面であり、前記窒化物半導体自立基板に対するＸ線ロッキングカーブ測定により得られる結果で窒化物半導体結晶の(０００２)面の半値幅が15 sec以上30 sec未満であることを特徴とする。 - 特許庁

This method for producing the bismuth-substitution type magnetic garnet membrane employs an LPE(liquid phase epitaxy) process, characterized in that a non-magnetic garnet single crystal substrate having a half-value width of the rocking curve in lattice(8 8 8) plane of the substrate of ≤140 seconds is used for growing the bismuth-substitution type magnetic garnet membrane by the LPE process.例文帳に追加

ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を得る方法であり、ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を育成するに際して用いる非磁性ガーネット単結晶基板を、該基板（８ ８ ８）面のロッキングカーブの半値幅が１４０秒以下のものを用いることを特徴とするものである。 - 特許庁