LPEとは 意味・読み方・使い方

By growing only the reflection layer 19 and the current-blocking layer 2 through MOCVD, other layers are grown through LPE method and thereby the diode is manufactured.例文帳に追加

反射層１９及び電流阻止層２のみをＭＯＣＶＤで成長させ、他の層をＬＰＥ法で成長させることにより製造することができる。 - 特許庁

Its shape control can be realized by LPE growth from a previously processed seed film or processing, after the growth.例文帳に追加

その形状制御は、あらかじめ加工した種膜からのＬＰＥ成長もしくは成長後の加工で実現できる。 - 特許庁

The growth of the crystal is preferably a LPE method and the CaO/Fe2O3 (molar ratio) in the raw material is specified to ≥0.025.例文帳に追加

結晶の育成はＬＰＥ法が好ましく、原料中のＣａＯ／Ｆｅ_2 Ｏ_3 （モル比）を０．０２５以上とする。 - 特許庁

An LPE film is formed in a meandering shape or spiral shape to make an electrical conduction path long.例文帳に追加

ＬＰＥ膜をミアンダ形状もしくはスパイラル形状とし、通電経路を長尺化する事により、上述課題を解決する。 - 特許庁

To provide a technique for obtaining a magnetic garnet material having low degree of deterioration in optical absorption characteristics even if manufactured by an LPE method.例文帳に追加

ＬＰＥ法によっても光吸収特性の劣化度の低い磁性ガーネット材料を得る手法を提案する。 - 特許庁

In the method for producing the single crystal, a bismuth-substituted type terbium-iron-garnet single crystal having a lattice constant within a range of 12.482-12.484 Å is grown on a non-magnetic garnet crystal substrate having a lattice constant within a range of 12.482-12.486 Å by the LPE method.例文帳に追加

その製造方法としては、格子定数が12.482Å以上且つ12.486Å以下の範囲の非磁性ガーネット結晶基板上に、LPE法によって12.482Å以上且つ12.484Å以下の範囲の格子定数のビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶を育成する。 - 特許庁

To obtain a nonmagnetic garnet single crystal having a large lattice constant and excellent crystallinity, transparent in the wavelength region used by an optical communication, and suitable as the substrate for growing a magnetooptic crystal by an LPE method, and further to obtain a magnetic garnet LPE single crystal film by using the nonmagnetic garnet single crystal, capable of enlarging a Faraday rotational capacity by substituting a large amount of Bi.例文帳に追加

格子定数が大きく、結晶性が良好で、光通信で使用される波長域で透明であり、ＬＰＥ法による磁気光学結晶の育成用の基板として好適な非磁性ガーネット単結晶、及びそれを用いて、Ｂｉを多量置換してファラデー回転能を大きくできる磁性ガーネットＬＰＥ単結晶膜を得る。 - 特許庁

This method for producing the bismuth-substitution type magnetic garnet membrane employs an LPE(liquid phase epitaxy) process, characterized in that a non-magnetic garnet single crystal substrate having a half-value width of the rocking curve in lattice(8 8 8) plane of the substrate of ≤140 seconds is used for growing the bismuth-substitution type magnetic garnet membrane by the LPE process.例文帳に追加

ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を得る方法であり、ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を育成するに際して用いる非磁性ガーネット単結晶基板を、該基板（８ ８ ８）面のロッキングカーブの半値幅が１４０秒以下のものを用いることを特徴とするものである。 - 特許庁