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group IVとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 第IV族
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該当件数 : 302件
A laminated composite device comprises a group IV diode and a group III-V transistor laminated on the group IV diode.例文帳に追加
積層複合デバイスはIV族ダイオードと該IV族ダイオードの上に積層されたIII−Ｖ族トランジスタとを備える。 - 特許庁
A stacked composite device comprises a group IV vertical transistor 120 and a group III-V transistor 110 stacked over the group IV vertical transistor.例文帳に追加
積層複合デバイスはIV族縦型トランジスタ１２０と該IV族縦型トランジスタの上に積層されたIII−Ｖ族トランジスタ１１０とを備える。 - 特許庁
(GROUP Mn-V) CO-ADDED GROUP IV MAGNETIC SEMICONDUCTOR例文帳に追加
（Ｍｎ−Ｖ族）共添加ＩＶ族磁性半導体 - 特許庁
The group IV semiconductor substrate may be a silicon substrate or a germanium substrate.例文帳に追加
IV族半導体基板とは、シリコン基板やゲルマニウム基板であったりする。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「group IV」の意味 |
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group IV
| fly | 遺伝子名 | group IV |
| 同義語（エイリアス） | SGS378; Salivary gland secretion 3; sgs3; DMSGS378; Sgs3; Salivary glue protein Sgs-3 precursor; CG11720; sgs-3; SGS-3; Sgs-3; 68C GII | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P02840 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:39288 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0003373 |
| fly | 遺伝子名 | Group IV |
| 同義語（エイリアス） | l(2)46Cd; lethal (2) 46Cd; 433 | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:47990 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0014983 |
| fly | 遺伝子名 | GroupIV |
| 同義語（エイリアス） | Ribosomal protein L38; 41Af; M(2)S3; Minute(2)41A; RpL38; l(2)41Ag; M(2)41A; l(2)EMS45-72; CG40278; E-2b; CG18001; l(2)41Ai; l(2)41Af; M(2)S2; l(2)EMS4-72; 41Ag; BcDNA:RE42506; lethal(2)41Af; Enhancer on chromosome 2, complementation group b | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:3355144 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0040007 |
| fly | 遺伝子名 | GroupIV |
| 同義語（エイリアス） | l(2)41Ae; l(2)C147; l(2)C124; 41Ae; l(2)EMS34-14; lethal (2) 41Ae; l(2)Sp9b; l(2R)34-2 | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:250302 | |
| その他のDBのID | FlyBase:FBgn0004660 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「group IV」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 302件
To provide a laminated composite device consisting of a group III-V transistor and a group IV diode.例文帳に追加
III−Ｖ族トランジスタとIV族ダイオードからなる積層複合デバイスを提供する。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING IV GROUP MIXED-CRYSTAL SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加
ＩＶ族混晶半導体結晶の形成方法。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING GROUP IV-VI FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR例文帳に追加
ＩＶ−ＶＩ族強磁性半導体の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MAKING AMORPHOUS CRYSTAL SYSTEM IV GROUP SEMICONDUCTOR例文帳に追加
結晶系ＩＶ族半導体の非晶質化方法 - 特許庁
VAPOR DEPOSITION METHOD FOR FORMING ATOM LAYER BY USING GROUP IV METAL PRECURSOR例文帳に追加
ＩＶ族金属前駆体を用いた原子層蒸着法 - 特許庁
DEPOSITION METHOD OF FILM CONTAINING GROUP IV METAL例文帳に追加
第四族金属含有フィルムの堆積方法 - 特許庁
METHOD OF ANALYZING DISTRIBUTION IN DEPTH DIRECTION OF GROUP V ELEMENT IN GROUP IV SEMICONDUCTOR例文帳に追加
ＩＶ族半導体中のＶ族元素の深さ方向分布の分析方法 - 特許庁
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