「group IV」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

PROCESS FOR SEPARATION OF GROUP III/GROUP IV METAL COMPOUND例文帳に追加

第ＩＩＩ族、第ＩＶ族金属化合物の分離方法 - 特許庁

The group IV semiconductor substrate may be a silicon substrate or a germanium substrate.例文帳に追加

IV族半導体基板とは、シリコン基板やゲルマニウム基板であったりする。 - 特許庁

To provide a laminated composite device consisting of a group III-V transistor and a group IV diode.例文帳に追加

III−Ｖ族トランジスタとIV族ダイオードからなる積層複合デバイスを提供する。 - 特許庁

The group of input values [IV] comprises Boolean values [BL].例文帳に追加

入力値のグループ[ＩＶ]はブール値[ＢＶ]を含む。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING IV GROUP MIXED-CRYSTAL SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＩＶ族混晶半導体結晶の形成方法。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING GROUP IV-VI FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＶ−ＶＩ族強磁性半導体の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MAKING AMORPHOUS CRYSTAL SYSTEM IV GROUP SEMICONDUCTOR例文帳に追加

結晶系ＩＶ族半導体の非晶質化方法 - 特許庁

VAPOR DEPOSITION METHOD FOR FORMING ATOM LAYER BY USING GROUP IV METAL PRECURSOR例文帳に追加

ＩＶ族金属前駆体を用いた原子層蒸着法 - 特許庁

DEPOSITION METHOD OF FILM CONTAINING GROUP IV METAL例文帳に追加

第四族金属含有フィルムの堆積方法 - 特許庁

METHOD OF ANALYZING DISTRIBUTION IN DEPTH DIRECTION OF GROUP V ELEMENT IN GROUP IV SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＶ族半導体中のＶ族元素の深さ方向分布の分析方法 - 特許庁

Both of Mn and group V element are co-added to a group IV semiconductor.例文帳に追加

ＩＶ族半導体に、ＭｎとＶ族元素との２つを共添加する。 - 特許庁

The porous material contains at least -M=O group on the surface of a fine pore, where M is at least one kind selected from Zr(IV), Fe(III), Mn(III-VII), Ti(III or IV), Al(III), Co(III) and Ni(III or IV).例文帳に追加

細孔の表面に−Ｍ＝Ｏ基（Ｍは、Ｚｒ（IV）、Ｆｅ（III）、Ｍｎ（III〜VII）、Ｔｉ（IIIまたはIV）、Ａｌ（III）、Ｃｏ（III）およびＮｉ（IIIまたはIV）から選ばれる少なくとも１種である）を含むことを特徴とする多孔質材。 - 特許庁

To obtain a laser treatment apparatus for activating a group IV element film through a laser annealing.例文帳に追加

レーザーアニールによってIV族元素被膜の活性化をおこなうためのレーザー処理装置を提供する。 - 特許庁

A gate of the group IV vertical transistor provides a composite gate on the top side of the stacked composite device.例文帳に追加

IV族縦型トランジスタのゲートが前記積層複合デバイスの上面の複合ゲートを与える。 - 特許庁

A source/drain region is adjacent to the channel and includes a group-IV region formed of a doped group-IV semiconductor material selected from the group consisting essentially of silicon, germanium, and combinations thereof.例文帳に追加

ソース/ドレイン領域はチャネルに隣接し、本質的に、シリコン、ゲルマニウム、及び、それらの組み合わせからなる群から選択されるドープされたIV族半導体材料から形成されるIV族領域を含む。 - 特許庁

In general formulas (I)-(IV) R^1-R^12 indicate each independently a hydrogen atom, alkyl group, aryl group or heteroaryl group.例文帳に追加

一般式（Ｉ）〜（IV）中、Ｒ^１〜Ｒ^１２は各々独立に、水素原子、アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。 - 特許庁

Here, M in formula (1) is transition metal as an element in III group, IV group, or V group in the periodic table, b expresses 1-3, m expresses 1-4, n expresses 0-8, and q expresses 0 or 1.例文帳に追加

（Ｍは、遷移金属、周期律表のIII族、IV族、又はV族元素、ｂは１〜３、ｍは１〜４、ｎは０〜８、ｑは０又は１をそれぞれ表す） - 特許庁

In the formula (2), M represents a transition metal, a group III element, a group IV element, or a group V element in the periodic table, and b represents 1-3, m represents 0-8, and q represents 0 or 1.例文帳に追加

（但し、Ｍは、遷移金属、周期律表のIII族、IV族、又はV族元素、ｂは、１〜３、ｍは１〜４、ｎは０〜８、ｑは０又は１をそれぞれ表す） - 特許庁

ENVIRONMENT-FRIENDLY SPIN-ON PRECURSOR MATERIAL CONTAINING GROUP II AND GROUP IV OR GROUP V ELEMENT例文帳に追加

環境に優しいＩＩ族およびＩＶ族またはＶ族スピン−オン前駆材料 - 特許庁

(iv) Polyether polyol (d) having 2.0-8.0 average functional group number and 200-800 mg KOH/g hydroxyl group value.例文帳に追加

（iv）平均官能基数が２．０〜８．０で且つ水酸基価が２００〜８００ｍｇＫＯＨ／ｇのポリエーテルポリオール（ｄ）。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device with group II-V (or group II-IV-V) compound contact layer, and to provide a manufacturing method of this device.例文帳に追加

II-Vグループ（またはII-IV-Vグループ）化合物接触層のある半導体発光装置および同装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

(iv) Flying as a group within the airspace in item (i). 例文帳に追加

四　航空機の集団飛行を第一号の空域で行うこと。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

MULTIJUNCTION SOLAR CELL WITH GROUP IV/III-V HYBRID ALLOY例文帳に追加

ＩＶ／ＩＩＩ−Ｖ族ハイブリッド合金を有する多接合太陽電池 - 特許庁

INVERTED MULTIJUNCTION SOLAR CELL WITH GROUP IV/III-V HYBRID ALLOY例文帳に追加

ＩＶ／ＩＩＩ−Ｖ族ハイブリッド合金を有する反転多接合太陽電池 - 特許庁

POROUS GROUP IV METAL OXIDE FOR HYDROGENATION TREATMENT AND HYDROGENATION TREATMENT METHOD例文帳に追加

水素化処理用多孔質４族金属酸化物及び水素化処理方法 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR COMPONENT LAYER STRUCTURE ON GROUP IV SUBSTRATE SURFACE例文帳に追加

ＩＶ族基板表面上での窒化物半導体素子の層構造 - 特許庁

POROUS GROUP IV METAL OXIDE, PRODUCING METHOD THEREOF AND USE THEREOF例文帳に追加

多孔質４族金属酸化物、その製造方法及びその用途 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP IV SEMICONDUCTOR NANOWIRE AND STRUCTURE CONTROL METHOD例文帳に追加

ＩＶ族半導体ナノ細線の製造方法並びに構造制御方法 - 特許庁

MEW GROUP IV METAL PRECURSOR AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD USING THE SAME例文帳に追加

新規なＩＶ族金属前駆体及びこれを使用した化学蒸着法 - 特許庁

MONOLITHIC VERTICALLY INTEGRATED COMPOSITE GROUP III-V AND GROUP IV SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

モノリシック垂直集積複合ＩＩＩ−Ｖ族及びＩＶ族半導体デバイス - 特許庁

LAMINATED COMPOSITE DEVICE HAVING GROUP III-V TRANSISTOR AND GROUP IV DIODE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族トランジスタとＩＶ族ダイオードを含む積層複合デバイス - 特許庁

STACKED COMPOSITE DEVICE INCLUDING GROUP III-V TRANSISTOR AND GROUP IV VERTICAL TRANSISTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族トランジスタとＩＶ族縦型トランジスタを含む積層複合デバイス - 特許庁

STACKED COMPOSITE DEVICE INCLUDING GROUP III-V TRANSISTOR AND GROUP IV LATERAL TRANSISTOR例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族トランジスタとＩＶ族横型トランジスタを含む積層複合デバイス - 特許庁

The group of image samples [TL] is composed of the group of input values [IV].例文帳に追加

画像サンプルのグループ[ＴＬ]は、入力値[ＩＶ]のグループから構成される。 - 特許庁

The insulating film contains at least one rare earth element (M_R), at least one Group IV element (M_IV) selected from Ti and Zr, and oxygen.例文帳に追加

前記絶縁膜は、少なくとも１種の希土類元素（Ｍ_R）と、ＴｉおよびＺｒから選択される少なくとも１種のIV族元素（Ｍ_IV）と、酸素とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method also includes steps of: fabricating at least one group IV semiconductor device 272 in the group IV semiconductor body; and fabricating at least one group III-V semiconductor device 274 in the group III-V semiconductor body.例文帳に追加

この方法は、IＶ族半導体本体内に少なくとも1つのIＶ族半導体デバイス２７２を製造するステップと、III−Ｖ族半導体本体内に少なくとも1つのIII−Ｖ族半導体デバイス２７４を製造するステップも含む。 - 特許庁

The method includes steps of: forming group III-V semiconductor bodies 274a and 274b on a group IV semiconductor substrate 202; forming a trench in the group III-V semiconductor bodies; and forming a group IV semiconductor body 232 in the trench.例文帳に追加

IＶ族半導体基板２０２上にIII−Ｖ族半導体本体２７４ａ，２７４ｂを形成するステップと、III−Ｖ族半導体本体にトレンチを形成し、トレンチ内にIＶ族半導体本体２３２を形成するステップとを有する。 - 特許庁

To arrange a semiconductor nanowire extending vertically to the face of a substrate, on a Group IV semiconductor represented by a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板に代表されるIV族半導体上に、基板面に対して垂直に延びる半導体ナノワイヤを配置すること。 - 特許庁

The new compound is the prenyl derivative compound of formula (I) (wherein Het is a heterocyclic group of formula (II), (III) or (IV)).例文帳に追加

新規な化合物は式（Ｉ）で表されるプレニル誘導体化合物で、式中、Hetは式（II）、（III）又は（IV）で表されるヘテロ環基を表す。 - 特許庁

The present invention relates to pharmaceutical compositions of DPP IV inhibitors with an amino group, their preparation, and their use to treat diabetes mellitus.例文帳に追加

本発明は、アミノ基を有するDPP IVインヒビターの医薬組成物、その調製及び糖尿病を治療するためのその使用に関する。 - 特許庁

In the formula I, repeating units X and Y are each a monomer selected from the group comprising formulae II-IV.例文帳に追加

Ｘ，Ｙを構成する反復単位は互いに独立に、一般式（II）、（III）及び（IV）からなる群から選択される単量体である。 - 特許庁

To provide a new method for producing simply and easily a fine complex particle of a II-IV group compound having excellent performances.例文帳に追加

良好な性能を有するII−IV族系化合物の複合微細粒子を簡便に製造可能な新規な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new method for producing simply and easily a surface modified fine particle of a II-IV group compound having excellent performances.例文帳に追加

良好な性能を有するII−IV族系化合物の表面修飾微細粒子を簡便に製造可能な新規な方法を提供する。 - 特許庁

The nitride semiconductor wafer includes a p-type conductive nitride semiconductor containing group IV impurity atoms as an acceptor, or at least a p-type conductive nitride semiconductor layer containing a group IV impurity as an acceptor and an n-type conductive nitride semiconductor layer on a substrate.例文帳に追加

IV族の不純物原子をアクセプタとして含むｐ型伝導性の窒化物半導体、又は基板上に、IV族の不純物をアクセプタとして含むｐ型伝導性の窒化物半導体層と、ｎ型伝導性の窒化物半導体層を少なくとも有する窒化物半導体ウェハの構造とする。 - 特許庁

The anti-HIV agent is expressed by formula (IV) (wherein, R is any of a carboxy group, a sulfo group and a phosphate group; and M is any of Fe^2+, Mn^2+, Co^2+, and Zn^2+).例文帳に追加

（式中、Rは、カルボキシ基、スルホ基、リン酸基の何れかを表し、MはFe^2+、Mn^2+、Co^2+、Zn^2+の何れかを表す。）で示される抗HIV剤。 - 特許庁