p ionsとは 意味・読み方・使い方

In the chamber 16, ions are supplied to the surface of the substrate P, and the substrate is destaticized.例文帳に追加

除電室１６では基板Ｐの表面にイオンを供給してその除電を行う。 - 特許庁

P-type impurity ions are then implanted via the silicon oxide film using a resist mask.例文帳に追加

そして、レジストマスクを用いてシリコン酸化膜を介してｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

P-type impurity ions are then implanted at a part for forming an LOCOS film 2 using a resist mask.例文帳に追加

そして、レジストマスクを用いてLOCOS膜２の形成箇所にｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

A part to the P-type substrate 2 may be implanted with ions to form the insulation region 3.例文帳に追加

Ｐ型基板２の一部にイオンを注入して絶縁領域３を形成してもよい。 - 特許庁

P-type impurity ions are then implanted at a part for forming an LOCOS film 2, using a resist mask.例文帳に追加

そして、レジストマスクを用いてLOCOS膜２形成箇所に、ｐ型不純物をイオン注入する。 - 特許庁

Further, after the emission of ions is stopped, ink is discharged on the recording medium P.例文帳に追加

また、イオンの放出を停止した後に、記録媒体Ｐにインクを吐出するようにした。 - 特許庁

Then, the precursor selection unit excludes ions falling into the m/z range from M-p to M+q from selection as a precursor during a designated automatic exclusion period.例文帳に追加

その後、指定された自動除外期間の間、M-p〜M+qのm/z範囲のイオンをプリカーサ選択対象から除外する。 - 特許庁

Pole surface layer of the p-type well 3 is implanted with arsenic ions 4 and heat treated to form a p-type lightly doped layer 5.例文帳に追加

ｐ型ウェル３の極表層に砒素イオン４を注入し、熱処理を行うことによりｐ型低濃度層５を形成する。 - 特許庁