silicon OSとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor device has MOS structure composed of a silicon (Si) substrate 1, the gate insulating film 3 provided on the silicon substrate 1, and a gate electrode film 3 provided on the gate insulating film 3 and the gate electrode film 3 consists principally of at least one kind of element among rhodium (Rh), ruthenium (Ru), iridium (Ir), osmium (Os), and platinum (Pt).例文帳に追加

シリコン（Ｓｉ）基板と、前記シリコン基板上に設けられたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極膜からなるＭＯＳ構造の半導体装置において、前記ゲート電極膜が少なくともロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、イリジウム(Ir)、オスミウム(Os)あるいは白金(Pt)のうちの少なくとも一種類の元素を主構成元素とする。 - 特許庁

The layer structure includes a substrate S, a platinum layer PS, and a ferroelectric layer FS formed on the platinum layer PS; a surface OS of the substrate S contains silicon dioxide; and an intermediate layer ZS, formed of amorphous aluminum oxide, is provided between the substrate S and the platinum layer PS.例文帳に追加

基板Ｓと、白金層ＰＳと、白金層ＰＳ上に形成された強誘電体層ＦＳとを有しており、基板Ｓの表面ＯＳは二酸化ケイ素を含み、基板Ｓと白金層ＰＳとの間にアモルファス酸化アルミニウムから成る中間層ＺＳが設けられる。 - 特許庁

Prior to a photolithographic process (b) of forming a resist mask 210a on the inner surface IS of a TFT array substrate 10, a WSi film 201 as a reflection film and a silicon oxide film 202 are formed (a) on the outer surface OS.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板１０の内側表面ＩＳ上にレジストマスク２１０ａを形成するフォトリソグラフィ工程（ｂ）に先立ち、外側表面ＯＳ上に、反射膜としてのＷＳｉ膜２０１及び酸化シリコン膜２０２を形成する（ａ）。 - 特許庁