イオン雑音の英語

ＰＭＴの暗電流を低減し、背景雑音を低減できるイオントラップ型周波数標準器を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an ion trap type frequency standard that reduces a PMT dark current and background noise. - 特許庁

光電変換膜23中から放出されるガスによる正イオン、余剰電子からエミッタ15とゲート電極13の損傷が防護され、陰極アレイの動作安定、低雑音が実現する。例文帳に追加

An emitter 15 and a gate electrode 13 are protected from damages by the positive ion and excessive electrons caused by the gas to be emitted from the photoelectric transfer film 23, and stabilization of the action and low noise level of the cathode array are realized. - 特許庁

回路の部品点数を極力減らして簡便な回路とし、電源側に与える雑音が少なく小型で安価なイオン発生器用電源装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion generating power supply device comprising a simple circuit by reducing the number of part items of the circuit as much as possible, with little noise to a power supply side and which is reduced in size and price. - 特許庁

これにより、ほとんど全部の電子を電子収集電極Ｌ３に収集することが可能となり、従来の電離真空計において主要な雑音電流であったＸ線光電子電流や電子衝撃脱離イオン電流などの発生を避けることができる。例文帳に追加

Thus, almost all electrons can be collected in the electron collection electrode L3, and X-ray photo-electronic current and electron impact desorption ion current, which are main noise current in a conventional ionization vacuum gauge, can be prevented from occurring. - 特許庁

電界効果半導体装置に関し、電界効果半導体装置のソースに於ける抵抗の上昇を招来することなく、衝突イオン化に起因する正孔が容易にソース電極に吸収されるようにし、正孔と表面準位との再結合に依るキンク効果の発生を抑制して高周波特性や雑音特性を改善しようとする。例文帳に追加

To provide a field-effect semiconductor device which is improved in high-frequency and noise characteristics by a method, wherein holes caused by impact ionization are easily absorbed by a source electrode without increasing the field-effect semiconductor device in source resistance, and a kink effect is not caused by recombination of holes and a surface level. - 特許庁