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impact ionizationとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 衝突電離
「impact ionization」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 51件
ELECTRON IMPACT IONIZATION METHOD AND IONIZATION DEVICE USING THE METHOD例文帳に追加
電子衝撃イオン化方法、及び該方法を用いたイオン化装置 - 特許庁
The first current source is expressed by the product of a drain current in the case without impact ionization, a coefficient accompanying the impact ionization and a function for adjustment.例文帳に追加
第1電流源を、インパクトイオン化のない場合のドレイン電流と、インパクトイオン化に伴う係数と、調整用関数との積で表す。 - 特許庁
METHOD FOR CALCULATING FERMI LEVEL DEPENDENCE OF IMPACT IONIZATION PROBABILITY例文帳に追加
インパクトイオン化確率のフェルミ準位依存性の計算方法 - 特許庁
To provide a circuit simulator improving calculation accuracy of an impact ionization current.例文帳に追加
インパクトイオン化電流の算出精度を向上させる。 - 特許庁
Thus, no impact- ionization occurs at a point where the impact-ionization is easiest to occur, and so no emitted light caused by impact-ionization infiltrates into the photoelectric conversion part 11, preventing degradation in picture quality.例文帳に追加
これにより、最もインパクトイオン化が起きやすい箇所でインパクトイオン化が起きなくなり、光電変換部11にインパクトイオン化を原因とする発光光が入り込まなくなるため、画質の劣化を防止できる。 - 特許庁
A CCD device of the type for providing charge gain by impact ionization has a multiplication register.例文帳に追加
衝撃イオン化により電荷利得を与えるタイプのCCDデバイスは、増倍レジスタを有する。 - 特許庁
To provide a constitution of a solid photographing apparatus improved in impact-ionization withstanding property.例文帳に追加
インパクトイオン化の耐性を高めるに都合の良い固体撮像装置の構成を提供する。 - 特許庁
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ウィキペディア英語版での「impact ionization」の意味 |
Impact ionization
出典:『Wikipedia』 (2011/04/24 03:34 UTC 版)
Impact ionization is the process in a material by which one energetic charge carrier can lose energy by the creation of other charge carriers. For example, in semiconductors, an electron (or hole) with enough kinetic energy can knock a bound electron out of its bound state (in the valence band) and promote it to a state in the conduction band, creating an electron-hole pair.
「impact ionization」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 51件
To provide a solid-state imaging device which is hard to be affected by an emitted light caused by impact-ionization.例文帳に追加
インパクトイオン化を原因とする発光光の影響を受けにくい固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
Ions are implanted, for example, by ionizing gas or vapor of dimer or decaborane, by direct electron impact ionization adjacent the outlet aperture (46, 176) of the ionization chamber (80, 175).例文帳に追加
イオン化チャンバー(80,175)の出口開口部(46,176)に近接の直進電子の衝撃イオン化により、例えば、二量体又はデカボランのガス又は蒸気をイオン化することによりイオン注入を行う。 - 特許庁
To provide an ionizer with a compact configuration capable of performing both EI (electron impact ionization) and PI (photo ionization), which improves detection efficiency and sensitivity by irradiating light uniformly on sample molecules in a wide area when performing the PI.例文帳に追加
EI及びPIの双方が可能であって、小型に構成でき、PIの際に広い範囲にわたって試料分子に対し一様に光を照射することにより検出効率及び感度の向上が可能なイオン化装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device improved in the breakdown voltage characteristics and suppressed in the generation of the impact ionization phenomenon, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
ブレークダウン電圧の特性が向上されて、インパクトイオン化現象の発生を抑えた半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor element which has its breakdown voltage characteristics improved to suppress an impact ionization phenomenon, and a method of fabricating the same.例文帳に追加
ブレークダウン電圧特性が向上されて、インパクトイオン化現象の発生を抑えた半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In the process, a parasitic bipolar transistor turns on, and impact ionization is produced on the drain side, thus increasing the injection charged amount.例文帳に追加
また、このとき寄生バイポーラトランジスタがオンし、これによりドレイン側でインパクトイオン化が生じ注入電荷量が増える。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device whose reliability with reference to the impact ionization of a MOS transistor is high.例文帳に追加
MOSトランジスタのインパクトイオン化に対する信頼性の高い半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which can fully suppress the floating effect of a substrate that accompanies an impact ionization in a SOI device.例文帳に追加
SOIデバイスにおけるインパクトイオン化に伴う基板浮遊効果を十分に抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
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