ギャップエネルギーの英語

第１コンタクト層および窓層のバンドギャップエネルギーは、発光層のバンドギャップエネルギーよりもそれぞれ大きい。例文帳に追加

The band-gap energy of the first contact sublayer and the window sublayer is larger than that of the light-emitting layer. - 特許庁

この物質はＩｎＧａＰ等の従来の障壁層物質よりもバンドギャップエネルギーが大きい。例文帳に追加

This substance has a band gap energy larger than those of conventional barrier layer substances, such as InGaP. - 特許庁

障壁層(33)(34)は量子井戸層(32)よりも高いバンドギャップエネルギーを有する。例文帳に追加

The barrier layers (33) and (34) have a band gap energy higher than that of the quantum well layer (32). - 特許庁

分離層は、光吸収層及び活性層よりも大きいバンドギャップエネルギーを有する。例文帳に追加

The separating layer has a band-gap energy larger than those of the light absorbing layer and the active layer. - 特許庁

第１井戸層２２は、第１井戸層２１よりも高いバンドギャップエネルギーを有する。例文帳に追加

The second well layer 22 has higher band gap energy than the first well layer 21. - 特許庁

高バンドギャップエネルギー層と、それに接する低バンドギャップエネルギー層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。例文帳に追加

The average In composition ratio of a pair of high band-gap energy layer and a low band-gap energy layer is higher on the second semiconductor layer side than on the first semiconductor layer side. - 特許庁

前記第１導電形層は、前記第１電極の上であり前記発光層の下に設けられ、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる。例文帳に追加

The first conductivity type layer is provided above the first electrode and below the light-emitting layer and composed of a III-V compound semiconductor having band-gap energy larger than band-gap energy of the light-emitting layer. - 特許庁

高バンドギャップエネルギー層と、それに接する低バンドギャップエネルギー層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。例文帳に追加

An average In composition ratio of one of the high-band gap energy layers and one of the low-band gap energy layers contacting the high-band gap energy layer is higher on the side of the second semiconductor layer than on the side of the first semiconductor layer. - 特許庁