クラックストッパの英語

半導体チップ領域１０の表面の端部上に、集積回路領域３１を取り囲んでクラックストッパ用シールリング３０が形成されている。例文帳に追加

On an edge of the surface of a semiconductor chip region 10, a sealing ring 30 for crack stoppers is formed while surrounding an integrated circuit region 31. - 特許庁

クラックストッパ用シールリング３０は、集積回路領域３１の外の半導体基板１１上に形成された積層構造体であり、第１ダミー金属層２０、第２ダミー金属層２１、第３ダミー金属層２２が、それぞれ、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１４、第３層間絶縁膜１６を間に挟んで積層されている。例文帳に追加

In the sealing ring 30 for crack stoppers, namely a laminated structure formed on a semiconductor substrate 11 outside the integrated circuit region 31, first, second, and third dummy metal layers 20, 21, 22 are laminated while sandwiching first, second, and third interlayer insulating films 12, 14, 16, respectively. - 特許庁