The insulating film is formed by plasma CVD, using insulating materials of a 1-1-divinyl-1-silacyclopentane, a 1-1-diallyl-1-silacyclopentane, a 1-1-diethynyl-1-silacyclobutane, a 1-1-divinyl-1-silacyclobutane, etc. - 特許庁

ポリシリレンメチレンの重合体または共重合体の製造方法は、特定の不飽和反応性基を有する１，３−ジシラシクロブタン化合物を、金属触媒により開環重合する。例文帳に追加

The process for producing the polysilylene methylene polymer or copolymer comprises subjecting a 1,3-disilacyclobutane compound having the specified unsaturated reactive group to ring-opening polymerization in the presence of a metal catalyst. - 特許庁

１，３−ジシラシクロブタン化合物の製造方法は、特定のジハロシラン化合物と、特定のビスハロメチルシラン化合物とを、グリニャール試薬により反応させる。例文帳に追加

The process for producing the 1,3-disilacyclobutane compound comprises reacting a specified dihalosilane compound with a specified bishalomethylsilane compound in the presence of a Grignard reagent. - 特許庁

１，１，３，３−テトラメトキシジシラシクロブタン、ビス(ジメチルメトキシシリル)メタン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンなどのシラン化合物と有機溶媒とからなる組成物。例文帳に追加

The composition comprises a silane compound, e.g. 1,1,3,3-tetramethoxydisilacyclobutane, bis(dimethylmethoxysilyl)methane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, etc. and an organic solvent. - 特許庁

例文

末端に炭素−炭素間二重結合を有する構造の特定の不飽和反応性基を有する１，３−ジシラシクロブタン化合物の製造方法およびそのような特定の不飽和反応性基を有するポリシリレンメチレンの重合体または共重合体の有利な製造方法並びにそのような特定の不飽和反応性基によって架橋構造が形成されてなるポリシリレンメチレンの架橋物の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a process for producing a 1,3-disilacyclobutane compound having specified unsaturated reactive terminal carbon-carbon double bonds, a process for economically producing a polysilylene methylene polymer or copolymer having the specified unsaturated reactive groups, and a process for producing a crosslinked polysilyene methylene having a crosslinked structure formed by the specified unsaturated reactive groups. - 特許庁