ジストマ類の英語

レジストマークの位置を検出して、レジスト補正する画像形成装置において、ブラックのレジストマークを、主走査方向における作成基準位置がｄだけ異なる２種類のレジストマーク４０Ｂｋ、４１Ｂｋで構成し、この異なる２種類のレジストマークを光学センサユニット２５で検出する。例文帳に追加

In this image forming device capable of correcting the resist by detecting the position of the resist mark, the device is allowed to compose the resist mark for black, by 2 kind of resist marks 40Bk and 41Bk whose respective manufacturing reference position in the main scanning direction is differed by (d), and to detect these 2 kinds of resist mark by an optical sensor 25. - 特許庁

他のＣ、Ｍ、Ｙのレジストマークについても基準位置の異なる２種類のレジストマークを形成してこれを検出し、上記と同様にしてそれぞれの主走査方向検出量を補正する。例文帳に追加

As for other resist marks of C, M and Y, by detecting them by forming the two kind of resist mark with the different reference position, and correcting the respective main scanning direction quantity in the same way as the above. - 特許庁

サンドブラスト処理後のレジストマスク４が存在する物品１上に粘着シ—ト類６を貼り付け、この粘着シ—ト類６を剥離して、上記物品１上から上記マスク４を剥離除去するにあたり、上記粘着シ—ト類６の貼り付けから剥離までの全工程を加温中で行うことを特徴とするレジストマスクの除去方法。例文帳に追加

This method for removing the resist mask consists in executing all the stages from sticking of a tacky adhesive sheet or the like 6 to peeling thereof under heating when the tacky adhesive sheet or the like 6 is stuck onto the article 1 after the sandblasting treatment on which the resist mask 4 exists and the mask 4 is peeled and removed from the article 1 by peeling the tacky adhesive sheet or the like 6. - 特許庁

このように、島状の半導体領域を形成する際には、レジストマスクを露光、現像工程や液滴吐出工程を経て形成する必要があり、工程数、材料の種類の増加を招いていた。例文帳に追加

The source region and the drain region are formed, a section as a channel region is coated with an insulating film functioning as a channel protective film and the insular semiconductor film is formed. - 特許庁

サンドブラスト処理後のレジストマスクが存在する物品上から上記マスクを粘着シ—ト類を使用して確実に剥離除去する除去装置を提供する。例文帳に追加

To obtain a removing apparatus which reliably peels and removes, with an adhesive sheet, a resist mask remnants from the top of an article after sandblast. - 特許庁

ボーダレス配線構造を有する半導体装置の製造方法において、開口内で２種類の異なる金属が露出するボーダレスビアホールを形成し、前記ビアホールの形成に用いたレジストマスクを剥離する際のウェット処理に先立って、Ｈ2Ｏを含むプラズマでアッシングする。例文帳に追加

A method for manufacturing a semiconductor device having a borderless wiring structure forms a borderless via-hole in which two different types of metals are exposed in an aperture, wherein prior to the wet processing for stripping a resist mask used to form the via hole, ashing is done using plasma including H_2O. - 特許庁

レジストマスク基板１０１上のレジストパターン１０２の配置領域外に、ＦＩＢ照射によるカーボン材パターン形成、インクジェット法による染料剤パターン形成によって、あるいは予めパターン形成されたシールの被着によって、マスクの種類，ロット番号等の情報が入ったマスク識別マーク１０９を付設する。例文帳に追加

Mask identification marks 109 contained with the information on the kinds of the masks, lot numbers, etc., by the formation of carbon material patterns by irradiation with an FIB the formation of dye material patterns by an ink jet method, or the deposition of seals previously formed with the patterns are annexed outside the arrangement regions of the resist patterns 102 on a resist mask substrate 101. - 特許庁