トンネルトランジスタの英語

ショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a Schottky barrier tunnel transistor and a method for manufacturing the same. - 特許庁

スピントンネルトランジスタ、磁気再生ヘッド、磁気情報再生システム、及び磁気記憶装置例文帳に追加

SPIN TUNNEL TRANSISTOR, MAGNETIC REPRODUCING HEAD, MAGNETIC INFORMATION REPRODUCING SYSTEM, AND MAGNETIC STORAGE DEVICE - 特許庁

１回のリソグラフィ工程によりセルフアラインでトンネルトランジスタを製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a tunnel transistor by self-alignment in one lithography step. - 特許庁

半導体と金属との接合時に自然に形成されるショットキートンネル障壁をトンネル障壁として用いたショットキー障壁トンネルトランジスタのゲート側壁の損傷によるリーク電流を最小化するショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a schottky tunnel barrier transistor, capable of minimizing leakage current due to the damage of the gate sidewall of a Schottky tunnel barrier transistor that uses a Schottky tunnel barrier formed naturally in joining of a semiconductor and a metal, as a tunnel barrier. - 特許庁

シリコン基板に高純度イオンを注入した後、熱処理工程で形成された金属−シリサイドを含むショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a schottky barrier tunnel transistor comprising a metal-silicide formed in an annealing process after implanting high-purity ions into a silicon substrate, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

バンド間トンネリングが横方向に起こる構造を有し、バンド間トンネリングが起こる領域が大きいトンネルトランジスタを備える半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a tunnel transistor that has a structure in which interband tunnelling is generated in a lateral direction, and has a large region where the interband tunnelling is generated. - 特許庁

これにより、イオン注入法を用いてシリコン層にイオンを注入し、熱処理して、金属−シリサイドを形成することによって、特性が安定で且つ高性能を有するショットキー障壁トンネルトランジスタを製造することができる。例文帳に追加

Thereby the ions are implanted into the silicon layer by using an ion implantation method, and the metal-silicide is formed by annealing, so that the schottky barrier tunnel transistor having stable characteristics and high performance can be manufactured. - 特許庁