バーナ膜板の英語

半導体装置（例えば、強誘電体膜）の製造において、基板１００上に例えば強誘電体膜となる、金属アルコキシド塗布膜を形成し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、金属アルコキシド塗布膜を焼成するとともに、形成される強誘電体膜（金属酸化膜）の改質を行う。例文帳に追加

In manufacturing the semiconductor device (e.g. ferroelectric film), for example, a film applied with a metal alkoxide used as the ferroelectric film is formed on a substrate 100, and thermal processing using a thermal source of flames of a gas burner using a mixed gas of hydrogen and oxygen as a fuel is performed to bake the film applied with metal alkoxide and to modify the ferroelectric film (metal oxide film) to be formed. - 特許庁

ガラス基板１００上に形成されたレジスト膜１０７をマスクに不純物イオンを注入し、変質層１０７ａが形成されたレジスト膜１０７を除去する際、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした処理を施すことにより、レジスト膜１０７を除去する。例文帳に追加

Ion impurities are injected using the resist film 107 formed on a glass substrate 100 as a mask, and processing using a flame of a gas burner consuming a mixed gas of hydrogen and oxygen as a fuel is executed in eliminating the resist film 107 having the altered layer 107a formed thereon, thereby eliminating the resist film 107. - 特許庁

半導体装置（例えば、ＴＦＴ）の製造において、基板１００上に例えば層間絶縁膜となる、ポリシラザン（−（ＳｉＨ_2ＮＨ）−）塗布膜を形成し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、ポリシラザン塗布膜を焼成するとともに、ポリシラザン転化ＳｉＯ_2の改質を行う。例文帳に追加

In manufacturing the semiconductor device (e.g. TFT), a film applied with polysilazane (-(SiH_2NH)-) used as, for example, an interlayer dielectric is formed on a substrate 100, and thermal processing using a thermal source of flames of a gas burner using a mixed gas of hydrogen and oxygen as a fuel is performed to bake the polysilazane-applied film and to modify the polysilazane conversion SiO_2. - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナー（２２）の火炎を熱源として、基板（１００）上に成膜された半導体層（１０３）を熱処理する工程を有し、この熱処理によって、半導体層が再結晶化（１０２ａ）され、半導体層の表面に酸化膜（１０２ｂ）が形成される。例文帳に追加

In this thermal treatment, the semiconductor layer is recrystallized (102a) so that an oxide film (102b) is formed on the surface of the semiconductor layer. - 特許庁