ホット電子プラズマの英語

プラズマイグナイタ３は、ホットエレクトロン、準弾道電子、又は弾道電子を生成する半導体もしくは導電性基板４上に形成された電子ドリフト層５と、電子ドリフト層５上に形成された表面電極６とからなり、大気圧プラズマ処理装置に搭載する。例文帳に追加

The plasma igniter 3 comprises an electron drift layer 5 formed on a semiconducting or conductive substrate 4 generating hot electron, quasi-ballistic electron, or ballistic electron, and a surface electrode 6 formed on the electron drift layer 5, and is loaded on an atmospheric pressure plasma treatment device. - 特許庁

プラズマへの電力の容量結合が、電子エネルギのホット・テール分布を推し進め、その結果、ガス・クラッキングのレベル及び酸化物エッチングなどの半導体処理操作において材料選択的でないフッ素基などの生成が低減される。例文帳に追加

The capacitive coupling of power to the plasma expedites the hot tail distribution of electronic energy and, consequently, the level of gas cracking and the generation of a fluorine group which is not material selective is reduced while semiconductor treatment, such as the oxide etching, etc., is performed. - 特許庁