二重拡散法の英語

フィルタ部１３には、第一拡散板１４と第二拡散板１５との間に介挿される正面視凹状の中間拡散板１６が設けられていて、３枚が重合させられた状態で、寸法ｄ２の一定間隔の間隙を有するフィルタ収容部１７が形成されている。例文帳に追加

In a filter part 13, an intermediate diffusion plate 16, having a recessed shape in front view is provided which is interposed between a first diffusion plate 14 and a second diffusion plate 15. - 特許庁

製造工程を簡素化することができる、トレンチゲート構造の縦型二重拡散ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a vertical double diffusion MOS transistor in a trench gate structure, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device capable of simplifying a manufacturing process. - 特許庁

横型二重拡散ＭＯＳトランジスタのオン抵抗を上昇させることなく、オン状態でのソース-ドレイン領域間の耐圧を向上できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device, increasing the voltage endurance between source and drain regions in an ON state without increasing the ON resistance of a lateral double-diffusion MOS transistor. - 特許庁

そして、目標関数の感度を導出し（ステップＳ２３）、また二重井戸型ポテンシャルｆ（φ）を導出して、反応拡散方程式を有限体積法により解く（ステップＳ２４）。例文帳に追加

A sensitivity of the target function is drawn out (step S23), a double well type potential f(ϕ) is drawn out, and reaction diffusion equation is solved by a finite volume method (step S24). - 特許庁

寄生バイポーラトランジスタの動作の抑制と二重拡散型ＭＯＳトランジスタのオン抵抗の低減とを好適に両立することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor and the manufacturing method of the same capable of optimally compatible with both of the suppression of operation of a parasitic bipolar transistor, and of the reduction of on-resistance of a double diffused MOS (metal oxide semiconductor) transistor. - 特許庁

電気二重層キャパシタを構成する電極の静電容量を増加する方法として、大気圧下で簡便な装置を用いて行うことができ、キャパシタセルとした時にイオンの拡散抵抗に影響を及ぼさない方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of increasing a capacitance of an electrode constituting an electric double layer capacitor in which a simple device can be used under atmospheric pressure, and ion diffusion resistance is not affected when the electrode constituting the electric double layer capacitor is assembled as a capacitor cell. - 特許庁

電極の成形体を補強しクラック、われの発生を防止し、イオンの拡散披抗を下げ、高電流密度における静電容量を増加させ、大型の電極の作製が可能となる電気二重層コンデンサ電極の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of an electric double layer capacitor electrode capable of reinforcing the molding of an electrode, preventing the generation of cracks, lowering the diffusion resistance of ions, increasing capacitance at a high current density, and manufacturing a large-sized electrode. - 特許庁

水底に土砂を投入する際に、内管と外管との隙間と、内管の内部とを循環する循環流を生じ易くして円滑な土砂投入と汚濁の拡散抑制を可能にする二重管トレミー装置および土砂の投入方法を提供する。例文帳に追加

To provide a double pipe tremie device which enables the smooth throwing-in of sediment and the inhibition of diffusion of pollution by easily generating a circulating flow circulating through the gap between inner and outer pipes and the inside of the inner pipe, when the sediment is thrown to the bottom of the water; and to provide a method for throwing the sediment. - 特許庁