半導体パワーデバイスの英語

低いオン抵抗を有する高耐圧の半導体パワーデバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor power device having high breakdown voltage, which has low on-resistance. - 特許庁

半導体パワーデバイスから流れる電流を平準化することができ、さらに、半導体パワーデバイスで発生する熱を効率よく放散させることができる半導体パワーモジュールおよびその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor power module which levels a current flowed from a semiconductor power device and effectively radiates heat generated in the semiconductor power device, and to provide a method for manufacturing the semiconductor power module. - 特許庁

スクライブ領域１１に各デバイス領域２０のパワーデバイス２２それぞれに接続されるパワーデバイス用配線１３が形成され、半導体ウェハ１０の外縁部１４にパワーデバイス用配線１３に接続される外部接続端子１５が設けられた半導体ウェハ１０を用意する。例文帳に追加

The semiconductor wafer 10 is prepared, in which a power device wire 13 to be connected to a power device 22 in each device region 20, respectively, is formed in a scribe region 11, and an external connection terminal 15 to be connected to the power device wire 13 is provided on an outer edge part 14 of the semiconductor wafer 10. - 特許庁

半導体素子の製造方法、並びに、その製造方法によって作製された半導体素子を有する発光ダイオードおよびパワーデバイス例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LIGHT EMITTING DIODE AND POWER DEVICE HAVING THE SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURED BY THE METHOD - 特許庁

半導体素子１１は、パワートランジスタやパワーＦＥＴ、またＩＧＢＴなどのパワーデバイスであり、シリコン半導体などで形成されている。例文帳に追加

The semiconductor element 11 is a power device, e.g. a power transistor, a power FET or an IGBT, formed of silicon semiconductor, or the like. - 特許庁

まず、半導体ウエハ１Ｗを準備した後、半導体ウエハ１Ｗの主面にパワーデバイスを形成する。例文帳に追加

At first, the semiconductor wafer 1W is prepared and, thereafter, the power device is formed on the main surface of the semiconductor wafer 1W. - 特許庁

インテリジェントパワーデバイスを構成する半導体装置において、回路部を微細化に適した構成とし、かつパワーデバイス部を配線抵抗が低く損失の小さい構成とすること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that constitutes an intelligent power device, in which a circuit is constituted to be suitable for microfabrication and a power device is constituted to make wiring resistance low for making the loss small. - 特許庁

パワーデバイスとその駆動回路とを備え、パワーデバイスのスイッチング時における駆動回路の誤動作を精度良く防止できる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is provided with a power device and its driving circuit and can prevent a malfunction of the driving circuit with high accuracy at the time of switching the power device. - 特許庁