反射描画器の英語

電子ビーム描画装置は、基体を基体表面と平行な面内に移動させる可動ステージと、基体表面から放出される反射電子を捕捉する電子検出器とを具備する。例文帳に追加

The electron beam drawing apparatus is provided with a movable stage for moving the base material within the plane parallel to the base material surface and an electron detector for seizing the reflected electrons emitted from the base material surface. - 特許庁

光ビーム照射装置（２０）の空間的光変調器（２５）の１つのミラーで反射された光が基板へ照射される領域と、他のミラーで反射された光が基板へ照射される領域が、光ビームによる基板の走査に伴って部分的に重なる多重露光を行って、基板にパターンを描画する。例文帳に追加

A pattern is drawn on a substrate by performing a multiple exposure in which a region where light reflected by one mirror in a spatial optical modulator (25) of a light beam irradiation device (20) is irradiated to a substrate and a region where light reflected by the other mirrors are partially overlapped in accordance with scanning of the substrate with a light beam. - 特許庁

光ビーム照射装置２０の空間的光変調器２５は、光ビームを反射する複数の微小なミラーを二方向に配列して構成され、駆動回路２７が描画データに基づいて各ミラーの角度を変更することにより、基板１へ照射する光ビームを変調する。例文帳に追加

An exposure apparatus includes a light beam irradiating device 20 having a spatial light modulator 25 composed of a plurality of minute mirrors that reflect a beam, arranged in two directions; and the modulator modulates a beam to irradiate a substrate 1 by changing angles of each mirror through a drive circuit 27 based on the drawing data. - 特許庁

電子線描画装置１００は、基板６に形成されたマークに光を照射し、照射された光の反射光を検出して前記マークの位置を計測する第１計測器４と、電子源から電子光学系を介して前記マークに照射された電子線から発生する二次電子を検出して前記マークの位置を計測する第２計測器２４と、制御器１２と、を備える。例文帳に追加

The electron beam lithography device 100 includes a first measuring instrument 4 which irradiates a mark formed on a substrate 6 with light and detects reflected light of the irradiation light to measures the position of the mark, a second measuring instrument 24 which detects a secondary electron generated from an electron beam irradiating the mark from an electron source through an electrooptical system to measure the position of the mark, and a controller 12. - 特許庁

電子ビーム描画装置は、電子ビーム５４を照射する照射部１０と、電子ビーム５４をマーク１０１、１０２の上で走査して得られる反射信号を検出する検出器３２と、マーク１０１、１０２に対応する２つの形状関数と１つの誤差関数によって定義された近似式を用い、反射信号に基づく波形をフィッティングして電子ビーム５４の分解能を取得する分解能取得部３５とを有する。例文帳に追加

This electron beam lithography apparatus has: a radiation section 10 that radiates electron beam 54; a detector 32 that detects reflective signals obtained by scanning the electron beam 54 on marks 101 and 102; and a resolution acquisition section 35 that obtains the resolution of the electron beam 54 by fitting waveforms based on the reflective signals, by using an approximate expression defined by two shape functions that correspond to the marks 101 and 102 and an error function. - 特許庁