最終障壁の英語

このバリア領域６の形成するポテンシャル障壁の最終転送段４に対する高さは、転送ゲート領域７によって形成されるポテンシャル障壁の最終転送段４に対する高さよりも低い。例文帳に追加

A height of the potential barrier formed in the barrier region 6 relative to the final transfer stage 4 is lower than a height of a potential barrier formed in the transfer gate region 7 relative to the final transfer stage 4. - 特許庁

最終バリア層１としてバリア層２と同じバンドギャップの材料を用いる場合に比べて電子障壁層３とのバンド不連続量（電子障壁）が大きくできる。例文帳に追加

A band discontinuity amount (electronic barrier) with an electronic barrier 3 can be made larger than when using the same band gap material as in the barrier layer 2, as a final barrier layer 1. - 特許庁

出力ゲート電極１１４に最も近い転送電極の組を構成する最終蓄積電極及び最終障壁電極の境界部下部のチャネル内の電荷転送電界を、それ以外の転送電極の組を構成する蓄積電極及び障壁電極の境界下部のチャネル内の電荷転送電界よりも大きくする。例文帳に追加

A charge transfer electric field in a channel at the lower part of the boundary part of a final accumulation electrode and a final barrier electrode for composing the set of transfer electrodes that are positioned closest to an output gate electrode 114 is set larger than that in the channel at the lower part of the boundary of the final accumulation electrode and final barrier electrode for composing the set of the other transfer electrodes. - 特許庁

転送路１の幅の狭くなっている部分にある少なくとも最終転送段４には、ドレイン領域５と転送路１との間にポテンシャル障壁を形成するバリア領域６が接して形成されている。例文帳に追加

In at least a final transfer stage 4 disposed at a part where the width of the transfer path 1 narrows, a barrier region 6 forming a potential barrier between the drain region 5 and the transfer path 1 is formed in contact with the final transfer stage. - 特許庁